2021-012326

１ 手続の経緯

本件出願は、平成２９年６月１９日の出願であって、令和３年１月２６日付けで拒絶の理由が通知され、これに対して、同年４月１日に意見書が提出されたものの、同年５月２０日付けで拒絶査定がなされた。

本件は、これを不服として、同年９月１４日に請求された拒絶査定不服審判であって、同日付けで手続補正がなされたものである。

２ 本願発明

本件出願の特許請求の範囲の請求項１～８に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」～「本件発明８」という。）は、令和３年９月１４日になされた手続補正により補正された、特許請求の範囲の請求項１～８に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。

「【請求項１】

半導体製造装置のための炭化珪素部材を製造する製造方法であって、

少なくとも１つの炭化珪素焼結体の表面に中空流路用の凹部又は貫通孔が形成された複数の炭化珪素焼結体を準備する工程と、

少なくとも前記中空流路用の凹部又は貫通孔を有する前記炭化珪素焼結体に対して酸素含有雰囲気で熱処理を施す工程と、

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前記熱処理が施された炭化珪素焼結体を含む前記複数の炭化珪素焼結体を互いに直接接合法により接合し、前記炭化珪素部材中の中空流路を画定する工程と、を含むことを特徴とする製造方法。

【請求項２】

前記熱処理を施す工程は、１０００℃以上から１２００℃以下の温度範囲で行われることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。

【請求項３】

前記複数の炭化珪素焼結体を準備する工程は、炭化珪素成形体に対して前記中空流路用の凹部又は貫通孔を形成する工程と、前記炭化珪素成形体を焼成することにより前記炭化珪素焼結体を得る工程とを含み、

前記熱処理の前の前記中空流路用の凹部又は貫通孔の内面を含む前記炭化珪素焼結体の表層を除去する工程を、さらに含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の製造方法。

【請求項４】

前記炭化珪素部材は半導体基板が載置される載置面に複数の開口部を有する基板保持部材を構成する部材であり、

前記複数の炭化珪素焼結体を準備する工程において、前記開口部と連通することとなる前記中空流路用の凹部又は貫通孔が形成された前記炭化珪素焼結体を準備することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の製造方法。

【請求項５】

半導体製造装置のための炭化珪素部材を製造する製造方法であって、

少なくとも１つの炭化珪素焼結体の表面に中空流路用の凹部又は貫通孔が形成された複数の炭化珪素焼結体を準備する工程と、

少なくとも前記中空流路用の凹部又は貫通孔を有する前記炭化珪素焼結体に対してプラズマ処理を施す工程と、

前記プラズマ処理が施された炭化珪素焼結体を含む前記複数の炭化珪素焼結体を、互いに直接接合法により接合し、前記炭化珪素部材中の中空流路を画定する工程と、を含むことを特徴とする製造方法。

【請求項６】

前記炭化珪素焼結体を準備する工程は、炭化珪素成形体に対して前記中空流路用の凹部又は貫通孔を形成する工程と、前記炭化珪素成形体を焼成することにより前記炭化珪素焼結体を得る工程とを含み、

前記プラズマ処理の前に前記中空流路用の凹部又は貫通孔の内面を含む前記炭化珪素焼結体の表層を除去する工程を、さらに含むことを特徴とする請求項５に記載の製造方法。

【請求項７】

前記炭化珪素部材は半導体基板が載置される載置面に複数の開口部を有する基板保持部材を構成する部材であり、前記複数の炭化珪素焼結体を準備する工程において、前記開口部と連通することとなる前記中空流路用の凹部又は貫通孔が形成された前記炭化珪素焼結体を準備することを特徴とする請求項５又は６に記載の製造方法。

【請求項８】

前記プラズマ処理は酸素プラズマ処理又はフッ素プラズマ処理であることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載の製造方法。」

３ 原査定の理由

原査定の理由は、次のとおりである。

この出願の請求項１～８に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物１～２に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。

（刊行物）

１ 特開２００９－７８９４３号公報（以下、「引用文献１」という。）

２ 特表２００７－５１１９１１号公報（以下、「引用文献２」という。）

５ 対比・判断

５－１ 請求項１について

（１）対比

本件発明１と引用発明とを対比する。

ア 引用発明の「常圧焼結炭化ケイ素セラミックス材」は、本件発明１の「炭化珪素焼結体」に相当する。

イ 引用発明の「接合体」は、「常圧焼結炭化ケイ素セラミックス材に、」「溝１を３本形成して試料片を作製し、」「この試料片２枚を、接合面２間に、ペースト状のシリコン（純度９９％以上）を介在させて、」「熱処理」するもの、すなわち、「常圧焼結炭化ケイ素セラミックス材」の「試料片２枚」を「接合」したものであるから、本件発明１の「炭化珪素部材」に相当する。

ウ 引用発明の「接合体の作製方法」と、本件発明１の「半導体製造装置のための炭化珪素部材を製造する製造方法」とは、「炭化珪素部材を製造する製造方法」で共通する。

エ 引用発明の「幅２ｍｍ、深さ２．５ｍｍの溝１」は、本件発明１の「凹部又は貫通孔」に相当する。また、引用発明の「試料片」は「２枚」あることから、「試料片」は少なくとも２枚（複数枚）「作製」されることは明らかである。

そうすると、引用発明の「５０ｍｍ×５０ｍｍ×厚さ１０ｍｍの常圧焼結炭化ケイ素セラミックス材に、幅２ｍｍ、深さ２．５ｍｍの溝１を３本形成して試料片を作製」する事項と、本件発明１の「少なくとも１つの炭化珪素焼結体の表面に中空流路用の凹部又は貫通孔が形成された複数の炭化珪素焼結体を準備する工程」「を含む」事項とは、「少なくとも１つの炭化珪素焼結体の表面に」「凹部又は貫通孔が形成された複数の炭化珪素焼結体を準備する工程」「を含む」事項で共通する。

オ 引用発明は、「常圧焼結炭化ケイ素セラミックス材に、」「溝を」「形成し」た後に、「熱酸化処理」するものであるから、引用発明の「試料片を熱酸化処理して全面に厚さ２００～２５０ｎｍの酸化膜を形成」する事項と、本件発明１の「少なくとも前記中空流路用の凹部又は貫通孔を有する前記炭化珪素焼結体に対して酸素含有雰囲気で熱処理を施す工程」「を含む」事項とは、「少なくとも前記」「凹部又は貫通孔を有する前記炭化珪素焼結体に対して酸素含有雰囲気で熱処理を施す工程」「を含む」事項で共通する。

カ 引用発明の「試料片２枚を、接合面２間に、ペースト状のシリコン（純度９９％以上）を介在させて、０．０１Ｔｏｒｒの真空雰囲気中、１５００℃で０．５時間熱処理する」工程は、上記イで検討したとおり、「試料片２枚」を「接合」する工程である。

また、引用発明の「接合体の作成方法」は、「試料片を熱酸化処理し、全面に厚さ２００～２５０ｎｍの酸化膜を形成し」た後に、「接合面２を、平面研削盤で表面から厚さ０．５ｍｍ研削し、この試料片２枚を、接合面２間に、ペースト状のシリコン（純度９９％以上）を介在させて、０．０１Ｔｏｒｒの真空雰囲気中、１５００℃で０．５時間熱処理する」ものであるから、熱処理が施された「試料片２枚」を「接合」するものであるといえる。

そうすると、引用発明の「試料片２枚を、接合面２間に、ペースト状のシリコン（純度９９％以上）を介在させて、０．０１Ｔｏｒｒの真空雰囲気中、１５００℃で０．５時間熱処理する」事項と、本件発明１の「熱処理が施された炭化珪素焼結体を含む前記複数の炭化珪素焼結体を互いに直接接合法により接合し、前記炭化珪素部材中の中空流路を画定する工程」「を含む」事項とは、「熱処理が施された炭化珪素焼結体を含む前記複数の炭化珪素焼結体を互いに」「接合」「する工程」「を含む」事項で共通する。

キ 上記ア～カより、本件発明１と引用発明とは、

「炭化珪素部材を製造する製造方法であって、

少なくとも１つの炭化珪素焼結体の表面に凹部又は貫通孔が形成された複数の炭化珪素焼結体を準備する工程と、

少なくとも前記凹部又は貫通孔を有する前記炭化珪素焼結体に対して酸素含有雰囲気で熱処理を施す工程と、

前記熱処理が施された炭化珪素焼結体を含む前記複数の炭化珪素焼結体を互いに接合する工程と、を含むことを特徴とする製造方法。」で一致し、次の相違点で相違する。

（相違点１）

「炭化珪素部材」について、本件発明１は、「半導体製造装置のための」ものであるのに対し、引用発明は、「接合体」の用途が不明である点。

（相違点２）

「凹部又は貫通孔」について、本件発明１は、「中空流路用」のものであって、「複数の炭化珪素焼結体を互いに」「接合」することにより、「炭化珪素部材中の中空流路を画定する」ものであるのに対し、引用発明は、「幅２ｍｍ、深さ２．５ｍｍの溝１」がどのような目的で形成されているかが不明である点。

（相違点３）

「複数の炭化珪素焼結体」の「接合」について、本件発明１は、「直接接合法により接合」するのに対し、引用発明は、「試料片２枚を、接合面２間に、ペースト状のシリコン（純度９９％以上）を介在させて、０．０１Ｔｏｒｒの真空雰囲気中、１５００℃で０．５時間熱処理する」ものである点。

（２）相違点についての判断

ア 事案に鑑み、まず、相違点３について検討する。

イ 引用発明は、「接合」について、「接合面２間に、ペースト状のシリコン（純度９９％以上）を介在させ」るものであるから、本件発明１のように「直接接合法により接合」するものではない。

ウ ここで、新たに引用する特開２０１４－１８７２１３号公報に、「半導体集積回路の製造工程に用いられる露光装置や検査装置等の各種装置において、半導体ウェハ等の対象物２を真空吸着する真空チャック（吸着手段）として用いられる」「吸着部材１」（【００１９】）における「例えば炭化珪素質焼結体等のセラミック焼結体からなる」「第１基体１５」（【００２４】）、及び、「第１基体１５と同様のセラミック焼結体からなる」「第２基体１８」（【００２７】）の「接合」について、「接合剤１０を介して」「接合した構成を例に説明したが」、「他の接合方法で接合されていてもよく、例えば、拡散接合で接合されていても構わない」（【００７５】）と記載されているように、複数の炭化珪素焼結体の接合について、炭化珪素質焼結体を、接合剤を用いて接合することも、直接接合（特開２０１４－１８７２１３号公報の「拡散接合」がこれに相当。）により接合することも周知技術である。

エ 一方、引用発明は、「酸化膜」が、「炭化ケイ素セラミックス材の表面よりもロウ材が付着しにくい」（【０００７】）ことを利用して、「炭化ケイ素セラミックス材同士を、シリコンを含むロウ材を用いて接合させる際、前記炭化ケイ素セラミックス材の非接合面に、予め、酸化膜を形成してお」（【０００６】）き、「細孔や溝等を有する複雑な形状の炭化ケイ素セラミックス材であっても、前記細孔や溝等を接合材により閉塞させることなく、接合体を得ることができる」（【０００５】）ようにしたものである。

オ すなわち、引用発明は、「炭化ケイ素セラミックス材同士」を「ロウ材を用いて接合する」こと、すなわち「ペースト状のシリコン（純度９９％以上）を介在させて」接合することが前提となるものであって、当該「接合」にロウ材、すなわちペースト状のシリコンを用いることが必須である。

カ そうすると、上記ウのとおり、複数の炭化珪素焼結体の接合について、炭化珪素質焼結体を、接合剤を用いて接合することも、直接接合により接合することも周知技術であったとしても、引用発明において、「試料片２枚を、接合面２間に、ペースト状のシリコン（純度９９％以上）を介在させて、０．０１Ｔｏｒｒの真空雰囲気中、１５００℃で０．５時間熱処理する」事項に代えて、試料片２枚を直接接合法により接合することは、阻害要因があるといわざるを得ない。

キ したがって、引用発明において、相違点３に係る本件発明１の発明特定事項を得ることは、当業者が容易になし得たこととはいえない。そして、この点は、引用文献２を参酌しても変わりはない。

ク よって、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１は、引用発明、引用文献２に記載された事項、及び、周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。

５－２ 請求項２～４について

ア 請求項２～４は請求項１を引用するものであって、本件発明２～４は本件発明１の発明特定事項を全て含むものである。

イ そうすると、本件発明２～４と引用発明とは、少なくとも相違点３と同様の相違点で相違するから、上記５－１で検討した理由と同様の理由により、本件発明２～４は、引用発明、引用文献２に記載された事項、及び、周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。

５－３ 請求項５について

（１）対比

本件発明５と引用発明とを対比する。

ア 引用発明の「常圧焼結炭化ケイ素セラミックス材」は、本件発明５の「炭化珪素焼結体」に相当する。

イ 上記５－１の（１）のイと同様の理由により、引用発明の「接合体」は、本件発明５の「炭化珪素部材」に相当する。

ウ 引用発明の「接合体の作製方法」と、本件発明５の「半導体製造装置のための炭化珪素部材を製造する製造方法」とは、「炭化珪素部材を製造する製造方法」で共通する。

エ 上記５－１の（１）のエと同様の理由により、引用発明の「５０ｍｍ×５０ｍｍ×厚さ１０ｍｍの常圧焼結炭化ケイ素セラミックス材に、幅２ｍｍ、深さ２．５ｍｍの溝１を３本形成して試料片を作製」する事項と、本件発明５の「少なくとも１つの炭化珪素焼結体の表面に中空流路用の凹部又は貫通孔が形成された複数の炭化珪素焼結体を準備する工程」「を含む」事項とは、「少なくとも１つの炭化珪素焼結体の表面に」「凹部又は貫通孔が形成された複数の炭化珪素焼結体を準備する工程」「を含む」事項で共通する。

オ 引用発明の「試料片２枚を、接合面２間に、ペースト状のシリコン（純度９９％以上）を介在させて、０．０１Ｔｏｒｒの真空雰囲気中、１５００℃で０．５時間熱処理する」工程は、上記上記５－１の（１）のイで検討したとおり、「試料片２枚」を「接合」する工程である。

そうすると、引用発明の「試料片２枚を、接合面２間に、ペースト状のシリコン（純度９９％以上）を介在させて、０．０１Ｔｏｒｒの真空雰囲気中、１５００℃で０．５時間熱処理する」事項と、本件発明５の「プラズマ処理が施された炭化珪素焼結体を含む前記複数の炭化珪素焼結体を互いに直接接合法により接合し、前記炭化珪素部材中の中空流路を画定する工程」「を含む」事項とは、「炭化珪素焼結体を含む前記複数の炭化珪素焼結体を互いに」「接合」「する工程」「を含む」事項で共通する。

カ 上記ア～オより、本件発明５と引用発明とは、

「炭化珪素部材を製造する製造方法であって、

少なくとも１つの炭化珪素焼結体の表面に凹部又は貫通孔が形成された複数の炭化珪素焼結体を準備する工程と、

前記複数の炭化珪素焼結体を、互いに接合する工程と、を含む製造方法。」で一致し、次の相違点で相違する。

（相違点４）

「炭化珪素部材」について、本件発明５は、「半導体製造装置のための」ものであるのに対し、引用発明は、「接合体」の用途が不明である点。

（相違点５）

「凹部又は貫通孔」について、本件発明５は、「中空流路用」のものであって、「複数の炭化珪素焼結体を互いに」「接合」することにより、「炭化珪素部材中の中空流路を画定する」ものであるのに対し、引用発明は、「幅２ｍｍ、深さ２．５ｍｍの溝１」がどのような目的で形成されているかが不明である点。

（相違点６）

本件発明５は、「少なくとも前記」「凹部又は貫通孔を有する前記炭化珪素焼結体に対してプラズマ処理を施す工程」「を含」み、その後「前記プラズマ処理が施された炭化珪素焼結体を含む前記複数の炭化珪素焼結体を」「接合」するのに対し、引用発明は、そのような工程を有することが特定されていない点。

（相違点７）

「複数の炭化珪素焼結体」の「接合」について、本件発明５は、「直接接合法により接合」するのに対し、引用発明は、「試料片２枚を、接合面２間に、ペースト状のシリコン（純度９９％以上）を介在させて、０．０１Ｔｏｒｒの真空雰囲気中、１５００℃で０．５時間熱処理する」ものである点。

（２）相違点についての判断

ア 事案に鑑み、まず、相違点７について検討する。

イ 相違点７は相違点３と同様の相違点であり、引用発明において、相違点３に係る本件発明１の発明特定事項を得ることは、当業者が容易になし得たこととはいえないことは、上記５－１の（２）で検討したとおりである。

ウ そうすると、上記５－１の（２）で検討した理由と同様の理由により、引用発明において、相違点７に係る本件発明５の発明特定事項を得ることは、当業者が容易になし得たこととはいえない。

エ よって、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明５は、引用発明、引用文献２に記載された事項、及び、周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。

５－４ 請求項６～８について

ア 請求項６～８は請求項５を引用するものであって、本件発明６～８は本件発明５の発明特定事項を全て含むものである。

イ そうすると、本件発明６～８と引用発明とは、少なくとも相違点７と同様の相違点で相違するから、上記５－３で検討した理由と同様の理由により、本件発明６～８は、引用発明、引用文献２に記載された事項、及び、周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。

６ むすび

以上のとおり、請求項１～８に係る発明は、引用文献１に記載された発明、引用文献２に記載された事項、及び、周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。

したがって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。

また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。

よって、結論のとおり審決する。