2021-002558

第１　手続の経緯

本願は、平成２８年３月３０日（優先権主張 平成２７年１０月２７日）の出願であって、令和元年８月２３日付けで拒絶理由通知がされ、令和元年１０月１６日に手続補正がされ、令和２年３月５日付けで拒絶理由通知がされ、令和２年５月１８日に手続補正がされ、令和２年１０月３０日付けで拒絶査定され、令和３年２月２６日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。

第２　原査定の概要

原査定の概要は、次のとおりである。

「●理由２（特許法第２９条第２項）について

理由（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。

（１）引用文献１が主引用文献の場合

・請求項 １ないし１６

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・引用文献等 １、２、４ないし６

（２）引用文献７が主引用文献の場合

・請求項 １ないし１６

・引用文献等 ７、２、４ないし６

（３）引用文献８が主引用文献の場合

・請求項 １ないし１６

・引用文献等 ８、２、４ないし６

＜引用文献等一覧＞

１.特開２００８－２５２０１８号公報

２.特開２００８－２５２０３６号公報

４.特開平４－１２７５０８号公報

５.特開２０１１－１４６０８９号公報

６.特開平２－７９２１０号公報

７.松本光功,森迫昭光,神代直人，Ｍｎ－Ａｌ－Ｎｉ強磁性薄膜の結晶構造と磁気特性，日本応用磁気学会誌，１９９０年，Vol.14,No.2，P.327-330

８.特開昭５８－８４４１１号公報」

第３　本願発明

本願の請求項１ないし１７に係る発明（以下、「本願発明１」ないし「本願発明１７」という。）は、令和２年５月１８日の手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１７に記載された次のとおりのものである。

「【請求項１】

Ｍｎと、Ａｌと、Ｃｏ，ＦｅおよびＣｒのうちのいずれか１つまたは２つ以上とを有し、Ｍｎと、Ｃｏ，ＦｅおよびＣｒのうちのいずれか１つまたは２つ以上とのａｔ％比が、１－ｘ：ｘ（０＜ｘ≦０．０６）であることを特徴とするＭｎ系強磁性薄膜。

【請求項２】

ＭｎＡｌ合金に、Ｃｏ，ＦｅおよびＣｒのうちのいずれか１つまたは２つ以上が固溶されていることを特徴とする請求項１記載のＭｎ系強磁性薄膜。

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【請求項３】

Ｍｎを５０～６０ａｔ％含み、Ａｌを４０～５０ａｔ％含むことを特徴とする請求項１または２記載のＭｎ系強磁性薄膜。

【請求項４】

Ｌ１０型構造を有していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のＭｎ系強磁性薄膜。

【請求項５】

磁化容易軸が膜の表面に対して垂直に配向していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のＭｎ系強磁性薄膜。

【請求項６】

膜厚が3 nm～50 nmであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のＭｎ系強磁性薄膜。

【請求項７】

スパッタリングにより、Ｍｎと、Ａｌと、Ｃｏ，ＦｅおよびＣｒのうちのいずれか１つまたは２つ以上とを有し、Ｍｎと、Ｃｏ，ＦｅおよびＣｒのうちのいずれか１つまたは２つ以上とのａｔ％比が、１－ｘ：ｘ（０＜ｘ≦０．０６）である合金を、基板上に成膜することを特徴とするＭｎ系強磁性薄膜の製造方法。

【請求項８】

前記合金を、層厚3 nm～50 nmで成膜することを特徴とする請求項７記載のＭｎ系強磁性薄膜の製造方法。

【請求項９】

前記基板の温度を２００℃～３５０℃として前記合金を成膜することを特徴とする請求項７または８記載のＭｎ系強磁性薄膜の製造方法。

【請求項１０】

前記合金を成膜後、２００℃以上３５０℃以下で熱処理を行うことを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１項に記載のＭｎ系強磁性薄膜の製造方法。

【請求項１１】

前記合金は、Ｍｎを５０～６０ａｔ％含み、Ａｌを４０～５０ａｔ％含むことを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか１項に記載のＭｎ系強磁性薄膜の製造方法。

【請求項１２】

スパッタリングにより、前記基板上にＣｒとＲｕとを含む下地層を作製し、その下地層の上に前記合金を成膜することを特徴とする請求項７乃至１１のいずれか１項に記載のＭｎ系強磁性薄膜の製造方法。

【請求項１３】

前記下地層は、層厚20 nm～40 nmで作製することを特徴とする請求項１２記載のＭｎ系強磁性薄膜の製造方法。

【請求項１４】

前記下地層は、室温で前記基板上に成膜した後、熱処理を行って作製することを特徴とする請求項１２または１３記載のＭｎ系強磁性薄膜の製造方法。

【請求項１５】

スパッタリングにより、層厚が１．２乃至５０ｎｍで、Ｍｎを５０～６０ａｔ％含み、Ａｌを４０～５０ａｔ％含むＭｎＡｌ合金層の表面に、Ｃｏ，ＦｅおよびＣｒのうちのいずれか１つまたは２つ以上を有する金属を、０．８乃至１．７ｎｍの厚さで成膜することを特徴とするＭｎ系強磁性薄膜の製造方法。

【請求項１６】

前記ＭｎＡｌ合金層は基板上に設けられ、前記基板を２００℃～３５０℃に加熱した状態でスパッタリングを行うことを特徴とする請求項１５記載のＭｎ系強磁性薄膜の製造方法。

【請求項１７】

請求項１乃至６のいずれか１項に記載のＭｎ系強磁性薄膜を有することを特徴とする磁気トンネル接合素子。」

第４　引用発明、引用文献等

１　引用文献１

（１）引用文献１に記載された事項について

原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には、図面とともに次の事項が記載されている（下線は当審で付与した。）。

「【０００１】

本発明は、磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリに関し、例えば、スピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果素子に関する。」

「【０００９】

本発明は、熱的に安定であると同時に低電流の磁化反転を可能とするスピン注入書き込み方式用の磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリを提供しようとするものである。」

「【００１５】

（第１実施形態）

第１実施形態は、ＭＲ素子に関する。

・・・（中略）・・・

【００１８】

図１に示すように、ＭＲ素子１は、少なくとも、２つの磁性層２、３と、磁性層２、３の間に設けられたスペーサ層（中間層）４を有する。磁性層２は、膜面を貫く方向、典型例として膜面に垂直な方向を向いて磁化容易軸を有し、膜面と交わる面に沿って回転する。以下、磁性層２をフリー層（自由層、磁化自由層、磁化可変層、記録層）と称する。フリー層２のより詳細な性質については後述する。以下、膜面を貫く方向の磁化を垂直磁化と称する。

【００１９】

磁性層３は、その磁化を膜面と交わる方向、典型例として膜面に垂直な方向に固定されている。または、フリー層２の保持力よりも大きい保持力を有する構成とされていてもよい。以下、磁性層３を、ピン層（固定層、磁化固定層、参照層、磁化参照層、基準層、磁化基準層）と称する。典型例として、フリー層２の磁化容易軸の方向は、ピン層３の磁化の方向に沿っている。ピン層３のより詳細な性質については後述する。なお、ピン層３の磁化方向は、図では、上を向いているが、下を向いていても構わない。」

【００２０】

スペーサ層（中間層）４は、非磁性金属、非磁性半導体、絶縁膜等から構成される。スペーサ層４のより詳細な性質については、後述する。」

「【００３６】

（２－１）フリー層に求められる性質

ある層が垂直磁化を有するためには、結晶磁気異方性エネルギーＫｕが高くなければならず、実効的な（有効）異方性エネルギーＫｅが、

Ｋｅ＝Ｋｕ－２πＭｓ２＞０　　　　　　　　　　　　　・・・（式１）

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ただし、

Ｍｓ：飽和磁化

でなければ垂直磁化状態が安定ではない。したがって、安定な垂直磁化膜を形成するには、適度な実効的異方性エネルギーＫｅを確保することが重要である。このためには、結晶磁気異方性エネルギーＫｕを大きくするか、飽和磁化Ｍｓを低減することが考えられる。結晶磁気異方性エネルギーＫｕは、材料の性質に大きく依存するため、結晶磁気異方性エネルギーＫｕを大きくすることには限界がある。

【００３７】

また、フリー層２が情報を保持するために必要な活性化エネルギーＥａは、

Ｅａ＝Ｋｅ・ＶＭ

ただし、

Ｋｅ：実効磁気異方性エネルギー

ＶＭ：有効磁化体積

で表される。」

「【００４０】

以上の制約から、安定な垂直磁化膜を形成する、すなわち、十分な熱耐性を有する垂直磁化膜を形成するためには、飽和磁化Ｍｓを低減することが重要である。」

「【００５６】

また、フリー層２の材料として、ＭｎＡｌ合金を用いることができる。ＭｎＡｌ合金によっても、実効的磁気異方性エネルギーＫｅを正の範囲で高く維持しつつ結晶磁気異方性エネルギーＫｕおよび飽和磁化Ｍｓの小さなフリー層２を実現できる。」

「【００６０】

また、フリー層２は、以下の面関係および方位関係を有することができる。すなわち、ＮａＣｌ構造を有する酸化物層上に、

面関係：ＮａＣｌ構造酸化物（１００）／／Ｌ１0構造合金（００１）

方位関係：ＮａＣｌ構造酸化物［１００］／／Ｌ１0構造合金［１００］

で結晶成長させることによって、Ｌ１0規則構造のｃ軸が膜面に対して垂直な層を形成することが可能となる。ここで、／／は、平行であることを意味している。そこで、後述のように、スペーサ層４として用いることができるＮａＣｌ構造を有する酸化物層上に、上記の面関係および方位関係を持って結晶成長させることができる。これにより、より安定な垂直磁化を実現できる。」

「【００６７】

（２－２－３）実施例（ＭｎＡｌ合金）

別の具体的な実施例として、ＭｎＡｌ合金について説明する。

・・・（中略）・・・

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【００６９】

Ｌ１０構造のＭｎＡｌ合金は、Ｍｎの組成比が５０ａｔ％で強磁性体である。Ｍｎの組成比がこれよりも多くなると、ＭｎのＡｌサイトへの置換が起こり、ＡｌサイトのＭｎは、ＭｎサイトのＭｎと反平行なスピン配列をとる。この結果、このようなＭｎＡｌ合金は、フェリ磁性体となる。

【００７０】

Ａｌの原子組成が５０ａｔ％以上の場合においても、Ｍｎ５０Ａｌ５０（ａｔ％）をＡｌで希釈する効果となる。したがって、結晶磁気異方性エネルギーＫｕも単純に減少し、同時に、飽和磁化Ｍｓも低下する。従って、Ｌ１０構造のＭｎＡｌ規則相を析出させることが、高い結晶磁気異方性エネルギーＫｕの維持のためには必要である。その観点から、Ｌ１０構造のＭｎＡｌ規則相を析出させるためには、Ａｌの原子組成は７０ａｔ％以下であることが好ましいといえる。

【００７１】

Ｌ１０構造のＭｎＡｌ合金は、低い飽和磁化Ｍｓで高い結晶磁気異方性エネルギーＫｕを有するがために、高い活性化エネルギーＥａを有する。そこで、活性化エネルギーＥａを適切な値へと調整するために、第３の元素Ｘおよび第４の元素Ｙが添加される。また、第３の元素Ｘは、ＭｎＡｌ合金の分極率を向上させ、ＴＭＲ比を向上させる効果も有する。同時に、第３の元素Ｘは、飽和磁化Ｍｓを上げて、活性化エネルギーＥａを下げるための添加元素である。

【００７２】

第３の元素Ｘとしては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉがある。Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ元素は、Ｍｎサイトに置換型に配置される。これにより、ＭｎＸＡｌとなり、飽和磁化Ｍｓが増大するために、実効的な垂直磁化の結晶磁気異方性エネルギーＫｕ－ｅｆｆｅｃｔを下げることが可能となり、これによっても活性化エネルギーＥａを下げることができる。ここで、Ｋｕ－ｅｆｆｅｃｔは、

Ｋｕ－ｅｆｆｅｃｔ＝Ｋｕ－２πＭｓ２

で表される。第３の元素Ｘは、Ｍｎサイトに置換されるが、置換する量としては、Ｍｎと元素Ｘの原子組成比で、１以下（０を除く）であることが好ましい。これは、Ｆｅの原子組成比が１を超えると、急激に飽和磁化Ｍｓが増大すると考えられるからである。」

（２）引用文献１に記載された技術事項について

上記記載から、引用文献１には、次の技術事項が記載されているものと認められる。

ア　段落【００１８】より、「ＭＲ素子１」が「有する」「磁性層２は」、「膜面に垂直な方向を向いて磁化容易軸を有し、」「フリー層」「と称する」との技術的事項を読み取ることができる。

イ　段落【００５６】より、「フリー層２の材料として、ＭｎＡｌ合金を用いることができる」との技術的事項を読み取ることができる。

ウ　段落【００６０】より、「フリー層２は」「酸化物層上に」「結晶成長させ」るとの技術的事項を読み取ることができる。

エ　段落【００６９】より、「Ｌ１０構造のＭｎＡｌ合金は、Ｍｎの組成比が５０ａｔ％で強磁性体である」との技術的事項を読み取ることができる。

オ　段落【００７１】、【００７２】より、「活性化エネルギーＥａを適切な値へと調整するために」、「Ｌ１０構造のＭｎＡｌ合金」に「第３の元素Ｘ」「が添加され」、「第３の元素Ｘとしては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉがあ」り、「Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ元素は、Ｍｎサイトに置換型に配置され」、「これにより、ＭｎＸＡｌとなり、飽和磁化Ｍｓが増大するために、」「活性化エネルギーＥａを下げることができる」との技術的事項を読み取ることができる。

カ　段落【００７２】より、「第３の元素Ｘは、Ｍｎサイトに置換されるが、置換する量としては、Ｍｎと元素Ｘの原子組成比で、１以下（０を除く）であることが好ましい」との技術的事項を読み取ることができる。

（３）引用文献１に記載された発明について

上記（２）アないしカより、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。

「ＭＲ素子１が有する磁性層２は、膜面に垂直な方向を向いて磁化容易軸を有し、フリー層と称し、

フリー層２の材料として、ＭｎＡｌ合金を用いることができ、

フリー層２は酸化物層上に結晶成長させ、

Ｌ１０構造のＭｎＡｌ合金は、Ｍｎの組成比が５０ａｔ％で強磁性体であり、

活性化エネルギーＥａを適切な値へと調整するために、Ｌ１０構造のＭｎＡｌ合金に第３の元素Ｘが添加され、第３の元素Ｘとしては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉがあり、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ元素は、Ｍｎサイトに置換型に配置され、これにより、ＭｎＸＡｌとなり、飽和磁化Ｍｓが増大するために、活性化エネルギーＥａを下げることができ、

第３の元素Ｘは、Ｍｎサイトに置換されるが、置換する量としては、Ｍｎと元素Ｘの原子組成比で、１以下（０を除く）であることが好ましい、

磁性層２。」

２　引用文献２について

（１）引用文献２に記載された事項について

原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２には、次の事項が記載されている（下線は当審で付与した。）

「【技術分野】

【０００１】

本発明は、磁気抵抗素子及び磁気メモリに係り、例えば双方向に電流を供給することで情報を記録することが可能な磁気抵抗素子及び磁気メモリに関する。」

「【００２１】

垂直磁化型ＭＴＪ素子の場合、強磁性体としては例えば、Ｆｅ５０Ｐｔ５０、Ｆｅ５０Ｐｄ５０、Ｃｏ５０Ｐｔ５０、Ｃｏ５０Ｐｄ５０、Ｆｅ３０Ｎｉ２０Ｐｔ５０、Ｃｏ３０Ｆｅ２０Ｐｔ５０、Ｃｏ３０Ｎｉ２０Ｐｔ５０、Ｍｎ５０Ａｌ５０、或いはＦｅ５０Ｎｉ５０の規則合金があげられる。これらの規則合金の組成比は一例であり、上記組成比に限定されない。なお、これらの規則合金に、Ｃｕ（銅）、Ｚｎ（亜鉛）、Ａｇ（銀）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｏ（コバルト）、Ｆｅ（鉄）、Ｍｎ（マンガン）、Ｃｒ、（クロム）、Ｖ（バナジウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｏｓ（オスミウム）等の不純物元素若しくはその合金、又は絶縁物を加えて磁気異方性エネルギー、及び飽和磁化を低く調整することができる。また、組成比を調整することによってＬ１２型の規則合金を用いても良い。」

（２）引用文献２に記載された技術事項について

上記記載より、引用文献２には、次の技術（以下「引用文献２に記載された技術」というが記載されているものと認められる。

「垂直磁化型ＭＴＪ素子の強磁性体としては、Ｍｎ５０Ａｌ５０規則合金があげられ、規則合金に、Ｃｕ（銅）、Ｚｎ（亜鉛）、Ａｇ（銀）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｏ（コバルト）、Ｆｅ（鉄）、Ｍｎ（マンガン）、Ｃｒ、（クロム）、Ｖ（バナジウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｏｓ（オスミウム）等の不純物元素若しくはその合金、又は絶縁物を加えて磁気異方性エネルギー、及び飽和磁化を低く調整する」技術。

３　引用文献４について

原査定の拒絶の理由に引用された引用文献４には、次の事項が記載されている（下線は、当審で付与した。）。

「上記本発明の目的は、Ｍｎ－Ａ１薄膜を、ＭｇＯ単結品基板の｛１００｝面上に．０～３５０℃の温度範囲で形成後、形成時の基板温度より高くかつ２００～５００℃の範囲の温度で熱処理することにより達成できる。この方法で作製したＭｎ－Ａ１薄膜は、パルク合金と同等あるいはそれ以上の自発磁化を示し、特性のばらつきも小さい。」（第２頁左上欄第３－９行）

よって、引用文献４には、次の技術が記載されているものと認められる。

「Ｍｎ－Ａ１薄膜を、基板面上に．０～３５０℃の温度範囲で形成後、形成時の基板温度より高くかつ２００～５００℃の範囲の温度で熱処理することにより、パルク合金と同等あるいはそれ以上の自発磁化を示し、特性のばらつきも小さいＭｎ－Ａ１薄膜を作製する」技術。

４　引用文献５について

原査定の拒絶の理由に引用された引用文献５には、次の事項が記載されている（下線は、当審で付与した。）。

「【００２９】

また、上記配向制御層は、上記シード層による作用効果と相俟って、ＦｅＰｔ合金を主成分とする材料からなる磁性層（垂直磁気記録層）におけるＬ１０結晶構造の磁化容易軸の垂直配向性（　結晶配向を基板面に対して垂直方向に配向させる）、結晶粒径の均一な微細化、及びグラニュラー構造を形成する場合の粒界偏析、等を好適に制御するために用いられる。このような配向制御層は、例えばＭｇの金属単体やＭｇＡｌ合金などが挙げられるが、これらに限定はされない。本発明においては、配向制御層の材料として、具体的には、ＭｇＯ、ＭｇＡｌ２Ｏ４，ＣｒＲｕ、ＡｌＲｕ、Ｐｔ、Ｃｒなどが好ましく用いられるが、これらに限定はされない。・・・（以下、省略）」

よって、引用文献５には、次の技術（以下、「引用文献５に記載された技術」という。）が記載されているものと認められる。

「配向制御層は、ＦｅＰｔ合金を主成分とする材料からなる磁性層（垂直磁気記録層）におけるＬ１。結晶構造の磁化容易軸の垂直配向性等を好適に制御するために用いられ、具体的には、ＭｇＯ、ＭｇＡｌ２Ｏ４，ＣｒＲｕ、ＡｌＲｕ、Ｐｔ、Ｃｒなどが好ましく用いられる」技術。

５　引用文献６について

原査定の拒絶の理由に引用された引用文献６には、次の事項が記載されている（下線は、当審で付与した。）。

「［作用］

この発明においては、Ｍｎ－Ａｌ合金からなる第１の極薄層と、Ｓｂからなる第２の極薄層とを交互に且つ周期的に積層した薄膜を形成し、熱処理により各層間に原子拡散を生じさせ、前述したＭｎｘＡＩｙＳｂｚで表わされる組成の磁気記録薄膜を形成する。この組成の磁性薄膜は膜面に垂直に磁化容易軸が存在し、垂直磁気メモリや光磁気メモリの高密度記録に適用することができる。また、熱処理前の構造を互いに組成が異なる極薄膜を交互に積層した構造としたので、熱処理による原子拡散が積層薄膜全体に亘って生じるのではなく、主に層界面を通してのみ生じる。従って、結品粒成長が抑制され、微細結品の薄膜を得ることができる。」(第２頁右上欄第３－１６行）

よって、引用文献６には、次の技術（以下、「引用文献６に記載された技術」という。）が記載されているものと認められる。

「Ｍｎ－Ａｌ合金からなる第１の極薄層と、Ｓｂからなる第２の極薄層とを交互に且つ周期的に積層した薄膜を形成し、熱処理により各層間に原子拡散を生じさせ、前述したＭｎｘＡＩｙＳｂｚで表わされる組成の磁気記録薄膜を形成する」技術。

６　引用文献７について

（１）引用文献７に記載された事項について

原査定の拒絶の理由に引用された引用文献７には、図面とともに次の事項が記載されている（下線は当審で付与した。なお、オングストロームを「A」と記載した。）。

ア　「２.実験方法

薄膜は，直流マグネトロンスパッタ法により作製した．Table　1に薄膜作製条件を示す．薄膜の組成を，Mn60-xAl40Nixとして，x=0～35の範囲で変化した．組成制御は，Alターゲット（1OOmmφ）上のMn片（5mm角）の個数およびNi線の本数や長さを変化させることにより行った．基板温度Tsを150℃，アルゴンガス圧PArを2mTorrとした．膜厚は7000Aとした。」(第３２７頁右下欄第１６－２３行）

イ　「3.3　磁気特性

Fig.4に飽和磁化MsのNi組成依存性を示す．同図中にはτおよびκ相の形成領域を併せて示している．MsはNi組成3at%までは増加し，最大値240emu/ccとなる．一方，τ相とκ相の混相領域になるとMsは減少傾向を示す．さらにκ相単相となるNi組成10～20at％付近では，ほぼl80emu/ccとなった．以上のことからNi3at%まではAlサイトに入っている過剰なMnが，Niによって有効に置換されたため反強磁性結合が減少し，Msが増加したと考えられる．またτ相とκ相の混相状態では，各相の規則度の低下のためMsが減少するものと考えられる．」（第３２８頁右下欄第２５行－第３２９頁左下欄第５行）

Fig.4

ウ　「Fig.6に保磁力HcのNi組成依存性を示す．２元系薄膜ではHcは最大1.8kOeであったが，Niの添加によりHcは増加し，Ni3at％で最大値2.9kOeとなった．そしてこれ以上のNi添加ではHcはなだらかに減少している．3at%付近でHcが増加する原因は，τ相の結晶構造が歪むために結晶磁気異方性が増加したためと推測される．」(第３２９頁右下欄第１－７行）

Fig.6

エ　「Fig.7にMnAlNiτ相薄膜の磁化曲線の一例を示す．//は膜面内方向に，⊥は膜面に垂直方向に磁界を加えた場合である．膜面に垂直方向の磁化曲線は膜面方向のものと比較してヒステリシスが小さくまた飽和しにくい．形状異方性磁界(～4πMs)は約3kOe程度と見積られるが，この薄膜を垂直方向で飽和させるのには10kOe以上の磁界が必要であることが分かる．すなわち，膜面内に大きな磁気異方性が存在することを示している．」（当審註：略等号を「～」と表記した。）（第３２９頁右下欄第９－１６行）

Fig.7

（２）引用文献７に記載された技術事項について

よって、引用文献７には、次の技術事項が記載されているものと認められる。

ア　（１）アより、（１）イないしエの記載は「直流マグネトロンスパッタ法により作製した」「薄膜」であって、「薄膜の組成をMn60-xAl40Nixとして，x=0～35の範囲で変化」させた場合の磁化特性に関してのものであることがわかる。

イ　（１）イより、「飽和磁化MsのNi組成依存性」は、「Ni組成3at%までは増加し．最大値240emu/ccとな」り、「一方τ相とκ相の混相領域になるとMsは減少傾向を示」し、「さらにκ相単相となるNi組成10～20at％付近では，ほぼl80emu/ccとなった」との技術的事項を読み取ることができる。

ウ　（１）ウより、「保磁力HcのNi組成依存性」は、「Niの添加によりHcは増加し，Ni3at％で最大値2.9kOeとな」り「そしてこれ以上のNi添加ではHcはなだらかに減少している」との技術的事項を読み取ることができる。

エ　（１）エより、「MnAlNiτ相薄膜の磁化曲線」は、「膜面に垂直方向の磁化曲線は膜面方向のものと比餃してヒステリシスが小さくまた飽和しにく」く、「膜面内に大きな磁気異方性が存在する」との技術的事項を読み取ることができる。

（３）引用文献７に記載された発明について

上記「（２）」アないしエから、引用文献７には、次の発明（以下「引用発明７」という。）が記載されているものと認められる。

「直流マグネトロンスパッタ法により作製した薄膜であって、薄膜の組成をMn60-xAl40Nixとして、x=0～35の範囲で変化させた場合、

飽和磁化MsのNi組成依存性は、Ni組成3at%までは増加し、最大値240emu/ccとなり、一方τ相とκ相の混相領域になるとMsは減少傾向を示し、さらにκ相単相となるNi組成10～20at％付近では、ほぼl80emu/ccとなり、保磁力HcのNi組成依存性は、Niの添加によりHcは増加し.Ni3at％で最大値2.9kOeとなり、そしてこれ以上のNi添加ではHcはなだらかに減少し、

MnAlNiτ相薄膜の磁化曲線は、膜面に垂直方向の磁化曲線は膜面方向のものと比較してヒステリシスが小さくまた飽和しにくく、膜面内に大きな磁気異方性が存在する、

薄膜。」

７　引用文献８について

（１）引用文献８に記載された事項について

原査定の拒絶の理由に引用された引用文献８には、図面とともに次の事項が記載されている（下線は当審で付与した。）。

ア　「実施例

高周波マグネトロンスパック装置を用いて、　Mn-Al-Cu系薄膜を作成した。組成は、Cu7wt%とし、残余の93w%が,重量比で71:29のMnとAlで構成されるものとした。スパッタ条件は、バックグランドガス圧が5. 0 ×1 0-7Torr（チャンバー内）、A rガス流量(Arを流し、平衡状態でのチャンバー内の圧力で表示）4.0×10-5Torr、Arガス圧4.0×10-3Torr (ダイレクトフロー）、高周波電力1.6kWそして基板温度230℃である。基板としてはポリイミドフィルムを用い、スパッタ時間は5分とした。

得られた膜へ磁気特性を測定したところ、保磁力は520Oe、飽和磁束密度は4270G、そして角形比は0.57であつた。これらの磁気特性は磁気記録媒体として使用するに良好なものであり、特に飽和磁束密度は蒸着法による同じ膜の数倍にも及んでいる。」(第２頁右下欄第１４行－第３頁左上欄第１１行）

イ　「次いで、Cuの比率を変えて先きと同条件にてスパッタを行い．生成された膜の磁気特性を測定した。Cu以外の残余を構成するMnとAlとは71:29の重量比にて一定を保持した。結果を添付グラフに示す。グラフからCuの比率としては25重量%以下が適していることがわかる。Cu5～20%の範囲において保磁力が左程に低下せず高い飽和磁束密度の材料が得られることがわかる。」(第３頁左上欄第１２－１９行）

ウ　図面には「Cu」の比率について「Cuの比率（重量％）」と記載されている。

（２）引用文献８に記載された技術事項について

したがって、引用文献８には、次の技術事項が記載されているものと認められる。

ア　上記（１）アより、「高周波マグネトロンスパック装置を用いて」「作成した」「Mn-Al-Cu系薄膜」との技術事項を読み取ることができる。

イ　上記（１）アないしウより、「MnとAlとは71:29の重量比にて一定を保持し」、「Cuの比率を変えて」「生成され」、「Cuの比率（重量％）5～20%の範囲において保磁力が左程に低下せず」、「飽和磁束密度」の「高い」「薄膜」との技術事項を読み取ることができる。

（３）引用文献８に記載された発明について

上記（２）アないしイより、引用文献８には、次の発明（以下、「引用発明８」という。）が記載されているものと認められる。

「高周波マグネトロンスパック装置を用いて作成したMn-Al-Cu系薄膜であって、

MnとAlとは71:29の重量比にて一定を保持し、Cuの比率を変えて生成され、Cuの比率（重量％）5～20%の範囲において保磁力が左程に低下せず、飽和磁束密度の高い薄膜」。

第５　対比・判断

１　引用発明１を主引用例にした場合

（１）本願発明１について

ア　対比

本願発明と引用発明１とを対比する。

（ア）引用発明１における「磁性層２」は、「酸化物層上に結晶成長させ」た膜、つまり薄膜であって、「Ｍｎの組成比が５０ａｔ％で強磁性体であ」るから、本願発明１における「Ｍｎ系強磁性薄膜」に相当する。

（イ）引用発明１における「ＭｎＡｌ合金」の「活性化エネルギーＥａを適切な値へと調整するために、Ｌ１０構造のＭｎＡｌ合金に第３の元素Ｘが添加され、第３の元素Ｘとしては、Ｆｅ、Ｃｏ」「があり、Ｆｅ、Ｃｏ」「元素は、Ｍｎサイトに置換型に配置され」ていることは、本願発明１における「Ｍｎと、Ａｌと、Ｃｏ，ＦｅおよびＣｒのうちのいずれか１つまたは２つ以上とを有」するとの要件を満たしている。

（ウ）本願発明１では「Ｍｎと、Ｃｏ，ＦｅおよびＣｒのうちのいずれか１つまたは２つ以上とのａｔ％比が、１－ｘ：ｘ（０＜ｘ≦０．０６）である」のに対し、引用発明１では「第３の元素Ｘ」である「Ｆｅ、Ｃｏ」は、Ｍｎサイトに置換されるが、置換する量としては、Ｍｎと元素Ｘの原子組成比で、１以下（０を除く）であることが好ましい」、つまり、「Ｍｎと元素Ｘの原子組成比」「％」が「１－ｘ：ｘ（０＜ｘ≦５０）であることが好ましい」とされているものの、特に該比を「１－ｘ：ｘ（０＜ｘ≦０．０６）」とする点は示されていない点で相違する。

よって、本願発明１と引用発明１との一致点、相違点は次のとおりである。

（一致点）

「Ｍｎと、Ａｌと、Ｃｏ，ＦｅおよびＣｒのうちのいずれか１つまたは２つ以上とを有するＭｎ系強磁性薄膜。」

（相違点１）

本願発明１では「Ｍｎと、Ｃｏ，ＦｅおよびＣｒのうちのいずれか１つまたは２つ以上とのａｔ％比が、１－ｘ：ｘ（０＜ｘ≦０．０６）である」のに対し、引用発明１では「第３の元素Ｘ」である「Ｆｅ、Ｃｏ」は、「Ｍｎサイトに置換されるが、置換する量としては、Ｍｎと元素Ｘの原子組成比で、１以下（０を除く）であることが好ましい」、つまり、「Ｍｎと元素Ｘの原子組成比」「％」が「１－ｘ：ｘ（０＜ｘ≦５０）であることが好ましい」とされているものの、特に該比を「１－ｘ：ｘ（０＜ｘ≦０．０６）」とする点は示されていない点。

イ　判断

そこで、上記相違点１について検討すると、

（ア）引用発明１では、「Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ元素は、Ｍｎサイトに置換型に配置され、これにより、ＭｎＸＡｌとなり、飽和磁化Ｍｓが増大するために、活性化エネルギーＥａを下げることができ」るとの効果を期待して添加されているのであるから、これとは真逆に、「磁気異方性エネルギー、及び飽和磁化を低く調整する」ために「Ｃｕ（銅）、Ｚｎ（亜鉛）、Ａｇ（銀）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｏ（コバルト）、Ｆｅ（鉄）、Ｍｎ（マンガン）、Ｃｒ、（クロム）、Ｖ（バナジウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｏｓ（オスミウム）等の不純物元素」を添加している引用文献２に記載された技術を適用する動機付けは見出せない。

（イ）また、仮に動機付けがあったとしても、引用文献２に記載された技術の内容は、Ｍｎ５０Ａｌ５０規則合金に不純物元素若しくはその合金を添加することで、磁気異方性エネルギー、及び飽和磁化を低く調整することができる、との一般的な知見を示すにすぎず、例示された不純物元素若しくはその合金の中から、特に「Ｃｏ（コバルト）、Ｆｅ（鉄）」、「Ｃｒ（クロム）」を選択し、さらにその添加量を「Ｍｎと、Ｃｏ，ＦｅおよびＣｒのうちのいずれか１つまたは２つ以上とのａｔ％比が、１－ｘ：ｘ（０＜ｘ≦０．０６）である」ように特定したうえで引用発明１に適用し、上記相違点１に係る構成とすることは、当業者であっても容易になし得たことではない。

（ウ）また、引用文献４ないし６に記載された技術は、「Ｍｎ系強磁性薄膜」に「Ｃｏ，ＦｅおよびＣｒのうちのいずれか１つまたは２つ以上」を添加することを何ら開示していない。

ウ　まとめ

よって、本願の請求項１に係る発明は、当業者であっても、引用文献１に記載された発明及び引用文献２、４ないし６に記載された技術に基づいて容易になし得たものではない。

（２）本願発明２ないし６、１７について

本願発明２ないし６、１７は、本願発明１に係る請求項１を引用する請求項２ないし６、１７に係る発明であるから、上記相違点１に係る構成を備えるものである。

よって、本願の請求項２ないし６、１７に係る発明は、本願発明１について述べたのと同じ理由によって、当業者であっても、引用文献１に記載された発明及び引用文献２、４ないし６に記載された技術に基づいて容易になし得たものではない。

（３）本願発明７について

本願の請求項７に係る発明は、本願発明１を製造する方法に関する発明であって、上記相違点１と同様の構成を備えているから、本願発明１について述べたのと同じ理由によって、当業者であっても、引用文献１に記載された発明及び引用文献２、４ないし６に記載された技術に基づいて容易になし得たものではない。

（４）本願発明８ないし１４について

本願発明８ないし１４は、本願発明７に係る請求項７を引用する請求項８ないし１４に係る発明であるから、上記相違点１と同様の構成を備えるものである。

よって、本願の請求項８ないし１４に係る発明は、本願発明７について述べたのと同じ理由によって、当業者であっても、引用文献１に記載された発明及び引用文献２、４ないし６に記載された技術に基づいて容易になし得たものではない。

（５）本願発明１５について

ア　対比

上記「（１）」「ア」を踏まえつつ、本願発明１５と引用発明１とを対比すると、両者の一致点、相違点は次のとおりである。

（一致点）

「Ｍｎを５０～６０ａｔ％含み、Ａｌを４０～５０ａｔ％含むＭｎＡｌ合金層からなるＭｎ系強磁性薄膜の製造方法。」

（相違点２）

本願発明１５では、「スパッタリングにより」Ｍｎ系強磁性薄膜を製造しているのに対し、引用発明１では、どのような方法により薄膜を製造しているか示されていない点。

（相違点３）

本願発明１５では、「ＭｎＡｌ合金層の表面に、Ｃｏ，ＦｅおよびＣｒのうちのいずれか１つまたは２つ以上を有する金属を、０．８乃至１．７ｎｍの厚さで成膜する」のに対し、引用発明１では、そのような成膜をすることについて、示されていない点。

イ　判断

事案に鑑み、まず上記相違点３について検討すると、引用文献２、４ないし６には、「ＭｎＡｌ合金層の表面に、Ｃｏ，ＦｅおよびＣｒのうちのいずれか１つまたは２つ以上を有する金属を、０．８乃至１．７ｎｍの厚さで成膜する」ことについて、記載も示唆もされていない。

ウ まとめ

よって、本願の請求項１５に係る発明は、上記相違点２について検討するまでもなく、当業者であっても、引用文献１に記載された発明及び引用文献２、４ないし６に記載された技術に基づいて容易になし得たものではない。

（６）本願発明１６について

本願の請求項１６に係る発明は、本願発明１５に係る請求項１５を引用して記載された請求項１６に係る発明であって、上記相違点３に係る構成を備えているから、本願発明１５について述べたのと同様の理由によって、当業者であっても、引用文献１に記載された発明及び引用文献２、４ないし６に記載された技術に基づいて容易になし得たものではない。

２　引用発明７を主引用例とした場合

（１）本願発明１について

ア　対比

本願発明１と引用発明７とを対比する。

引用発明７における「Mn60-xAl40Nixとして、x=0～35の範囲」の「薄膜」は、その「磁化曲線」が「膜面に垂直方向の磁化曲線は膜面方向のものと比餃してヒステリシスが小さくまた飽和しにくく、膜面内に大きな磁気異方性が存在する」から、本願発明１とは、「Ｍｎと、Ａｌと、他の金属元素とを有するＭｎ系強磁性薄膜」の点で一致する。

しかしながら、本願発明１では「他の金属元素」が「Ａｌと、Ｃｏ，ＦｅおよびＣｒのうちのいずれか１つまたは２つ以上とを有し、Ｍｎと、Ｃｏ，ＦｅおよびＣｒのうちのいずれか１つまたは２つ以上とのａｔ％比が、１－ｘ：ｘ（０＜ｘ≦０．０６）である」のに対し、引用発明７では、「他の金属元素」が「Ni」であって、「薄膜の組成をMn60-xAl40Nixとして、x=0～35の範囲で変化させ」ている点で相違する。

よって、本願発明１と引用発明７との一致点、相違点は次のとおりである。

（一致点）

「Ｍｎと、Ａｌと、他の金属元素とを有するＭｎ系強磁性薄膜。」

（相違点４）

本願発明１では「他の金属元素」が「Ａｌと、Ｃｏ，ＦｅおよびＣｒのうちのいずれか１つまたは２つ以上とを有し、Ｍｎと、Ｃｏ，ＦｅおよびＣｒのうちのいずれか１つまたは２つ以上とのａｔ％比が、１－ｘ：ｘ（０＜ｘ≦０．０６）である」のに対し、引用発明７には、「他の金属元素」が「Ni」であって、「薄膜の組成をMn60-xAl40Nixとして、x=0～35の範囲で変化させ」ている点。

イ　判断

そこで、上記相違点４について検討すると、

（ア）引用文献２に記載された技術の内容は、不純物元素若しくはその合金を添加することで、磁気異方性エネルギー、及び飽和磁化を低く調整することができる、との一般的な知見にすぎないから、引用文献２に記載された技術をみても、当業者が、引用発明７に示された「Ni」に代え、引用文献２に例示された不純物元素若しくはその合金の中から、特に「Ｃｏ（コバルト）、Ｆｅ（鉄）」、「Ｃｒ（クロム）」を選択して用いることは動機付けられないことである。

また、仮に、動機付けられたとしても、さらに進んで、その添加量を「Ｍｎと、Ｃｏ，ＦｅおよびＣｒのうちのいずれか１つまたは２つ以上とのａｔ％比が、１－ｘ：ｘ（０＜ｘ≦０．０６）である」ようにし、上記相違点７に係る構成とすることは、当業者であっても容易になし得たことではない。

（イ）また、引用文献４ないし６に記載された技術は、「Ｍｎ系強磁性薄膜」に「Ｃｏ，ＦｅおよびＣｒのうちのいずれか１つまたは２つ以上」を添加することを何ら開示していない。

ウ　まとめ

よって、本願の請求項１に係る発明は、当業者であっても、引用文献７に記載された発明及び引用文献２、４ないし６に記載された技術に基づいて容易になし得たものではない。

（２）本願発明２ないし６、１７について

本願発明２ないし６、１７は、本願発明１に係る請求項１を引用して記載された請求項２ないし６、１７に係る発明であるから、上記相違点４に係る構成を備えるものである。

よって、本願の請求項２ないし６、１７に係る発明は、本願発明１について述べたのと同じ理由によって、当業者であっても、引用文献７に記載された発明及び引用文献２、４ないし６に記載された技術に基づいて容易になし得たものではない。

（３）本願発明７について

本願の請求項７に係る発明は、本願発明１を製造する方法に関する発明であって、上記相違点４と同様の構成を備えているから、本願発明１について述べたのと同じ理由によって、当業者であっても、引用文献７に記載された発明及び引用文献２、４ないし６に記載された技術に基づいて容易になし得たものではない。

（４）本願発明８ないし１４について

本願発明８ないし１４は、本願発明７に係る請求項７を引用する請求項８ないし１４に係る発明であるから、上記相違点１と同様の構成を備えるものである。

よって、本願の請求項８ないし１４に係る発明は、本願発明７について述べたのと同じ理由によって、当業者であっても、引用文献１に記載された発明及び引用文献２、４ないし６に記載された技術に基づいて容易になし得たものではない。

（５）本願発明１５について

ア　対比

引用発明７における「直流マグネトロンスパッタ法により」が、本願発明１７における「スパッタリングにより」に相当する。そして、上記「（１）」「ア」を踏まえると、本願発明１５と引用発明７とは、次の一致点、相違点を有しているといえる。

（一致点）

「スパッタリングによる、Ｍｎを５０～６０ａｔ％含み、Ａｌを４０～５０ａｔ％含むＭｎＡｌ合金層からなるＭｎ系強磁性薄膜の製造方法。」

（相違点５）

本願発明１５では、「ＭｎＡｌ合金層の表面に、Ｃｏ，ＦｅおよびＣｒのうちのいずれか１つまたは２つ以上を有する金属を、０．８乃至１．７ｎｍの厚さで成膜する」のに対し、引用発明７では、そのような成膜をすることについて、示されていない点。

イ　判断

上記相違点５について検討すると、引用文献２、４ないし６には、「ＭｎＡｌ合金層の表面に、Ｃｏ，ＦｅおよびＣｒのうちのいずれか１つまたは２つ以上を有する金属を、０．８乃至１．７ｎｍの厚さで成膜する」ことについて、記載も示唆もされていない。

ウ まとめ

よって、本願の請求項１５に係る発明は、当業者であっても、引用文献７に記載された発明及び引用文献２、４ないし６に記載された技術に基づいて容易になし得たものではない。

（６）本願発明１６について

本願の請求項１６に係る発明は、本願発明１５に係る請求項１５を引用して記載された請求項１６に係る発明であって、上記相違点５に係る構成を備えているから、本願発明１５について述べたのと同様の理由によって、当業者であっても、引用文献７に記載された発明及び引用文献２、４ないし６に記載された技術に基づいて容易になし得たものではない。

３　引用文献８を主引用例とした場合

（１）本願発明１について

ア　対比

本願発明１と引用発明８とを対比する。

引用発明８における「MnとAlとは71:29の重量比にて一定を保持し」、「Cuの比率（重量％）5～20%の範囲において」「生成され」、「保磁力が左程に低下せず高い飽和磁束密度の材料が得られた薄膜」と、本願発明１とは「Ｍｎと、Ａｌと、他の金属元素とを有するＭｎ系強磁性薄膜」の点で一致する。

しかしながら、本願発明１では「他の金属元素」が「Ａｌと、Ｃｏ，ＦｅおよびＣｒのうちのいずれか１つまたは２つ以上とを有し、Ｍｎと、Ｃｏ，ＦｅおよびＣｒのうちのいずれか１つまたは２つ以上とのａｔ％比が、１－ｘ：ｘ（０＜ｘ≦０．０６）である」のに対し、引用発明８では、「他の金属元素」が「Cu」であって、その比率（質量％）が「5～20%の範囲」である点で相違する。

よって、本願発明１と引用発明８との一致点、相違点は次のとおりである。

（一致点）

「Ｍｎと、Ａｌと、他の金属元素とを有するＭｎ系強磁性薄膜。」

（相違点６）

本願発明１では「他の金属元素」が「Ａｌと、Ｃｏ，ＦｅおよびＣｒのうちのいずれか１つまたは２つ以上とを有し、Ｍｎと、Ｃｏ，ＦｅおよびＣｒのうちのいずれか１つまたは２つ以上とのａｔ％比が、１－ｘ：ｘ（０＜ｘ≦０．０６）である」のに対し、引用発明８では、「他の金属元素」が「Cu」であって、その比率（質量％）が「5～20%の範囲」である点。

イ　判断

そこで、上記相違点６について検討すると、

（ア）引用文献２に記載された技術の内容は、不純物元素若しくはその合金を添加することで、磁気異方性エネルギー、及び飽和磁化を低く調整することができる、との一般的な知見すぎないから、引用文献２に記載された技術をみても、当業者が、引用発明８に示された「Ｃｕ」に代え、引用文献２に例示された不純物元素若しくはその合金の中から、特に「Ｃｏ（コバルト）、Ｆｅ（鉄）」、「Ｃｒ（クロム）」を選択して用いることは動機付けられないことである。

また、仮に、動機付けられたとしても、さらに進んで、その添加量を「Ｍｎと、Ｃｏ，ＦｅおよびＣｒのうちのいずれか１つまたは２つ以上とのａｔ％比が、１－ｘ：ｘ（０＜ｘ≦０．０６）である」ようにし、上記相違点６に係る構成とすることは、当業者であっても容易になし得たことではない。

（イ）また、引用文献４ないし６に記載された技術は、「Ｍｎ系強磁性薄膜」に「Ｃｏ，ＦｅおよびＣｒのうちのいずれか１つまたは２つ以上」を添加することを何ら開示していない。

ウ　まとめ

よって、本願の請求項１に係る発明は、当業者であっても、引用文献８に記載された発明及び引用文献２、４ないし６に記載された技術に基づいて容易になし得たものではない。

（２）本願発明２ないし６、１７について

本願発明２ないし６、１７は、本願発明１に係る請求項１を引用して記載された請求項２ないし６、１７に係る発明であるから、上記相違点６に係る構成を備えるものである。

よって、本願の請求項２ないし６、１７に係る発明は、本願発明１について述べたのと同じ理由によって、当業者であっても、引用文献８に記載された発明及び引用文献２、４ないし６に記載された技術に基づいて容易になし得たものではない。

（３）本願発明７について

本願の請求項７に係る発明は、本願発明１を製造する方法に関する発明であって、上記相違点６と同様の構成を備えているから、本願発明１について述べたのと同じ理由によって、当業者であっても、引用文献８に記載された発明及び引用文献２、４ないし６に記載された技術に基づいて容易になし得たものではない。

（４）本願発明８ないし１４について

本願発明８ないし１４は、本願発明７に係る請求項７を引用する請求項８ないし１４に係る発明であるから、上記相違点６と同様の構成を備えるものである。

よって、本願の請求項８ないし１４に係る発明は、本願発明７について述べたのと同じ理由によって、当業者であっても、引用文献１に記載された発明及び引用文献２、４ないし６に記載された技術に基づいて容易になし得たものではない。

（５）本願発明１５について

ア　対比

上記引用発明８が「高周波マグネトロンスパック装置を用いて」いることが、本願発明１５における「スパッタリングにより」に相当する。そして、「（１）」「ア」を踏まえつつ、本願発明１５と引用発明８とを対比すると、両者の一致点、相違点は次のとおりである。

（一致点）

「スパッタリングによる、Ｍｎを５０～６０ａｔ％含み、Ａｌを４０～５０ａｔ％含むＭｎＡｌ合金層からなるＭｎ系強磁性薄膜の製造方法。」

（相違点７）

本願発明１５では、「ＭｎＡｌ合金層の表面に、Ｃｏ，ＦｅおよびＣｒのうちのいずれか１つまたは２つ以上を有する金属を、０．８乃至１．７ｎｍの厚さで成膜する」のに対し、引用発明８では、そのような成膜をすることについて、示されていない点。

イ　判断

上記相違点７について検討すると、引用文献２、４ないし６には、「ＭｎＡｌ合金層の表面に、Ｃｏ，ＦｅおよびＣｒのうちのいずれか１つまたは２つ以上を有する金属を、０．８乃至１．７ｎｍの厚さで成膜する」ことについて、記載も示唆もされていない。

ウ　まとめ

よって、本願の請求項１５に係る発明は、当業者であっても、引用文献８に記載された発明及び引用文献２、４ないし６に記載された技術に基づいて発明をすることができたものではない。

（６）本願発明１６について

本願の請求項１６に係る発明は、本願発明１５に係る請求項１５を引用して記載された請求項１６に係る発明であって、上記相違点７に係る構成を備えているから、本願発明１５について述べたのと同様の理由によって、当業者であっても、引用文献８に記載された発明及び引用文献２、４ないし６に記載された技術に基づいて容易に発明をすることができたものではない。

第６　むすび

以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。

また、他に本願を拒絶する理由を発見しない。

よって、結論のとおり審決する。