2020-006012

第２　令和２年５月１日にされた手続補正についての補正却下の決定

［補正の却下の決定の結論］

令和２年５月１日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。

［理由］

１ 本件補正について（補正の内容）

（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載

本件補正により、特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおり補正された。（下線部は、補正箇所である。）

「【請求項１】

大径粉および小径粉を含むＦｅ系軟磁性粉を有する磁性体コアであって、

前記大径粉がＦｅ基ナノ結晶を含み、

前記大径粉は、組成式（Ｆｅ（１－（α＋β））Ｘ１αＸ２β）（１－（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ））ＭａＢｂＰｃＳｉｄＣｅＳｆＴｉｇからなる成分からなり、

続きを表示（全27行）

Ｘ１はＣｏおよびＮｉからなる群から選択される１種以上、

Ｘ２はＡｌ，Ｍｎ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｂｉ，Ｎ，Ｏおよび希土類元素からなる群より選択される１種以上、

ＭはＮｂ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｍｏ，ＷおよびＶからなる群から選択される１種以上であり、

０．０２０≦ａ≦０．１４

０．０２０＜ｂ≦０．２０

０≦ｃ≦０．１５

０≦ｄ≦０．１４

０≦ｅ≦０．０３０

０≦ｆ≦０．０１０

０≦ｇ≦０．００１０

α≧０

β≧０

０≦α＋β≦０．５０

であり、

前記大径粉における上記以外の元素の含有量は前記大径粉１００重量％に対して、０．１重量％以下であり、

前記大径粉の平均粒子径をＤ１、前記小径粉の平均粒子径をＤ２として、

Ｄ１が５．０μｍ以上２００μｍ以下であり、Ｄ２が０．１０μｍ以上１５μｍ以下であり、Ｄ２／Ｄ１＜１．０を満たし、

前記大径粉および前記小径粉が絶縁コーティングされており、

前記大径粉の平均絶縁コート厚みをＴ１、前記小径粉の平均絶縁コート厚みをＴ２として、

３．００≦Ｔ１／Ｔ２≦５．００を満たし、

任意の切断面における前記大径粉の面積割合をＳ１、前記小径粉の面積割合をＳ２とし

て、

０．２０≦Ｓ２／Ｓ１≦０．５５を満たす磁性体コア。」

（２）本件補正前の特許請求の範囲

本件補正前の、令和元年１０月２４日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。

「【請求項１】

大径粉および小径粉を含むＦｅ系軟磁性粉を有する磁性体コアであって、

前記大径粉がＦｅ基ナノ結晶を含み、

前記大径粉は、組成式（Ｆｅ（１－（α＋β））Ｘ１αＸ２β）（１－（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ））ＭａＢｂＰｃＳｉｄＣｅＳｆＴｉｇからなる成分からなり、

続きを表示（全24行）

Ｘ１はＣｏおよびＮｉからなる群から選択される１種以上、

Ｘ２はＡｌ，Ｍｎ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｂｉ，Ｎ，Ｏおよび希土類元素からなる群より選択される１種以上、

ＭはＮｂ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｍｏ，ＷおよびＶからなる群から選択される１種以上であり、

０．０２０≦ａ≦０．１４

０．０２０＜ｂ≦０．２０

０≦ｃ≦０．１５

０≦ｄ≦０．１４

０≦ｅ≦０．０３０

０≦ｆ≦０．０１０

０≦ｇ≦０．００１０

α≧０

β≧０

０≦α＋β≦０．５０

であり、

前記大径粉における上記以外の元素の含有量は前記大径粉１００重量％に対して、０．１重量％以下であり、

前記大径粉の平均粒子径をＤ１、前記小径粉の平均粒子径をＤ２として、

Ｄ１が５．０μｍ以上２００μｍ以下であり、Ｄ２が０．１０μｍ以上１５μｍ以下であり、Ｄ２／Ｄ１＜１．０を満たし、

前記大径粉および前記小径粉が絶縁コーティングされており、

前記大径粉の平均絶縁コート厚みをＴ１、前記小径粉の平均絶縁コート厚みをＴ２として、

Ｔ１／Ｔ２＞１．０を満たす磁性体コア。」

２ 補正の適否

本件補正は、本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「Ｔ１／Ｔ２」について、「Ｔ１／Ｔ２＞１．０」とあったところを、「３．００≦Ｔ１／Ｔ２≦５．００」と減縮するとともに、「任意の切断面における前記大径粉の面積割合をＳ１、前記小径粉の面積割合をＳ２として、０．２０≦Ｓ２／Ｓ１≦０．５５を満たす」との限定をさらに付加するものであって、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法１７条の２第５項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。

そこで、本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下、検討する。

（１）本件補正発明

本件補正発明は、上記１（１）に記載したとおりのものである。

（３）引用発明との対比

本件補正発明と引用発明１とを対比する。

ア　引用発明１における「磁性体ベース」は、「コイル導体が、磁性体ベースの凸部が巻芯部に位置するように配置され」るから、本件補正発明における「磁性体コア」に相当する。

イ　引用発明１における「メジアン径（Ｄ５０）５０μｍ」の「Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ系合金のアモルファス粒子」及び「メジアン径（Ｄ５０）２μｍ」の「Ｆｅの結晶質粒子」が、それぞれ、本件補正発明における「大径粉」及び「小径粉」の「Ｆｅ系軟磁性粉」に相当する。

ウ　引用発明１における「磁性体ベースを構成する金属粒子」は、「メジアン径（Ｄ５０）５０μｍ」の「Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ系合金のアモルファス粒子」と「メジアン径（Ｄ５０）２μｍ」の「Ｆｅの結晶質粒子」の「混合物」であるから、本件補正発明における「大径粉および小径粉を含むＦｅ系軟磁性粉」に相当する。

エ　引用発明１における「メジアン径（Ｄ５０）５０μｍ」の「Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ系合金のアモルファス粒子」における、Ｆｅ以外の含有量は、引用文献１の段落【０１３４】に「Ｓｉ含有量７ｗｔ％、Ｃｒ含有量３ｗｔ％、Ｂ含有量３ｗｔ％、Ｃ含有量０．８ｗｔ％」と記載されているとおりであるから、本件補正発明とは、「前記大径粉がＦｅを主成分として含み、」の点で共通する。

しかしながら、本件補正発明における「大径粉」が、「Ｆｅ基ナノ結晶を含み」、その「組成式」が「（Ｆｅ（１－（α＋β））Ｘ１αＸ２β）（１－（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ））ＭａＢｂＰｃＳｉｄＣｅＳｆＴｉｇからなる成分からなり、

Ｘ１はＣｏおよびＮｉからなる群から選択される１種以上、

Ｘ２はＡｌ，Ｍｎ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｂｉ，Ｎ，Ｏおよび希土類元素からなる群より選択される１種以上、

ＭはＮｂ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｍｏ，ＷおよびＶからなる群から選択される１種以上であり、

０．０２０≦ａ≦０．１４

０．０２０＜ｂ≦０．２０

０≦ｃ≦０．１５

０≦ｄ≦０．１４

０≦ｅ≦０．０３０

０≦ｆ≦０．０１０

０≦ｇ≦０．００１０

α≧０

β≧０

０≦α＋β≦０．５０

であり、

前記大径粉における上記以外の元素の含有量は前記大径粉１００重量％に対して、０．１重量％以下であ」るのに対し、引用発明1における「メジアン径（Ｄ５０）５０μｍ」の「粒子」は、「Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ系合金のアモルファス粒子」であって、「Ｆｅ基ナノ結晶を含」んでおらず、組成式も一致しない点で相違する。

オ　引用発明１における「Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ系合金のアモルファス粒子」の「メジアン径（Ｄ５０）」が「５０μｍ」であり、「Ｆｅの結晶質粒子」の「メジアン径（Ｄ５０）」が「２μｍ」であることは、本件補正発明における「前記大径粉の平均粒子径をＤ１、前記小径粉の平均粒子径をＤ２として、Ｄ１が５．０μｍ以上２００μｍ以下であり、Ｄ２が０．１０μｍ以上１５μｍ以下であり、Ｄ２／Ｄ１＜１．０を満たし、」に含まれる。

カ　引用発明１における「アモルファスの金属粒子の絶縁被膜の厚みは、結晶質の金属粒子の絶縁被膜の厚みよりも厚」く、「メジアン径（Ｄ５０）５０μｍ」の「Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ系合金のアモルファス粒子を、リン酸でコートし（厚み２０ｎｍ）」、「メジアン径（Ｄ５０）２μｍ」の「Ｆｅの結晶質粒子を、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）によりコートし（厚み１０ｎｍ）」は、本件補正発明における「前記大径粉および前記小径粉が絶縁コーティングされており、前記大径粉の平均絶縁コート厚みをＴ１、前記小径粉の平均絶縁コート厚みをＴ２として、１＜Ｔ１／Ｔ２を満たし、」に含まれる。

しかしながら、本件補正発明では、「前記大径粉の平均絶縁コート厚みをＴ１、前記小径粉の平均絶縁コート厚みをＴ２として、３．００≦Ｔ１／Ｔ２≦５．００を満たし、」ているのに対し、引用発明１では、「Ｔ１／Ｔ２」に相当する数値が「Ｔ１／Ｔ２＝２（２０ｎｍ／１０ｎｍ)」である点で相違する。

キ　引用発明１における「メジアン径（Ｄ５０）５０μｍ」の「Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ系合金のアモルファス粒子」と、「メジアン径（Ｄ５０）２μｍ」の「Ｆｅの結晶質粒子」との「配合量（質量％）の割合」が「６５：３５」～「９０：１０」（実施例１～５）であることと、本件補正発明とは、「前記大径粉の割合が、前記小径粉の割合より多い」点で共通する。

しかしながら、本件補正発明では「任意の切断面における前記大径粉の面積割合をＳ１、前記小径粉の面積割合をＳ２として、０．２０≦Ｓ２／Ｓ１≦０．５５を満たす」のに対し、引用発明１には、その旨の記載がない点で相違する。

上記アないしキから、本件補正発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。

（一致点）

「大径粉および小径粉を含むＦｅ系軟磁性粉を有する磁性体コアであって、

前記大径粉がＦｅを主成分として含み、

前記大径粉の平均粒子径をＤ１、前記小径粉の平均粒子径をＤ２として、

Ｄ１が５．０μｍ以上２００μｍ以下であり、Ｄ２が０．１０μｍ以上１５μｍ以下であり、Ｄ２／Ｄ１＜１．０を満たし、

前記大径粉および前記小径粉が絶縁コーティングされており、前記大径粉の平均絶縁コート厚みをＴ１、前記小径粉の平均絶縁コート厚みをＴ２として、１＜Ｔ１／Ｔ２を満たし、

前記大径粉の割合が、前記小径粉の割合より多い、

磁性体コア。」

（相違点１）

本件補正発明における「大径粉」は、「Ｆｅ基ナノ結晶を含み」、その「組成式」が「（Ｆｅ（１－（α＋β））Ｘ１αＸ２β）（１－（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ））ＭａＢｂＰｃＳｉｄＣｅＳｆＴｉｇからなる成分からなり、

Ｘ１はＣｏおよびＮｉからなる群から選択される１種以上、

Ｘ２はＡｌ，Ｍｎ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｂｉ，Ｎ，Ｏおよび希土類元素からなる群より選択される１種以上、

ＭはＮｂ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｍｏ，ＷおよびＶからなる群から選択される１種以上であり、

０．０２０≦ａ≦０．１４

０．０２０＜ｂ≦０．２０

０≦ｃ≦０．１５

０≦ｄ≦０．１４

０≦ｅ≦０．０３０

０≦ｆ≦０．０１０

０≦ｇ≦０．００１０

α≧０

β≧０

０≦α＋β≦０．５０

であり、

前記大径粉における上記以外の元素の含有量は前記大径粉１００重量％に対して、０．１重量％以下であ」るのに対し、引用発明１における「メジアン径（Ｄ５０）５０μｍ」の「粒子」は、「Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ系合金のアモルファス粒子」であって、組成も一致しない点。

（相違点２）

本件補正発明では、「前記大径粉の平均絶縁コート厚みをＴ１、前記小径粉の平均絶縁コート厚みをＴ２として、３．００≦Ｔ１／Ｔ２≦５．００を満たし」ているのに対し、引用発明１では、「メジアン径（Ｄ５０）５０μｍ」の「Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ系合金のアモルファス粒子」の「絶縁被膜の厚み」は、「２０ｎｍ」、「メジアン径（Ｄ５０）２μｍ」の「Ｆｅの結晶質粒子」の「絶縁被膜の厚み」は、「１０ｎｍ」であって、本件補正発明の「Ｔ１／Ｔ２」に相当する数値が「Ｔ１／Ｔ２＝２（２０ｎｍ／１０ｎｍ）」である点。

（相違点３）

本件補正発明では、「任意の切断面における前記大径粉の面積割合をＳ１、前記小径粉の面積割合をＳ２として、０．２０≦Ｓ２／Ｓ１≦０．５５を満たす」のに対し、引用発明１には、その旨の記載がない点。

（４）判断

以下、相違点について検討する。

ア（相違点１）について

ファインメットの代表的な組成「Fe７３．５Si１３ ．５B９Nb３Cu１」（引用文献５参照。）は、書き換えると、

「（Ｆｅ０．９８７Ｃｕ０．０１３）０．７４５Ｎｂ０．０３Ｂ０．０９Ｓｉ０．１３５」

であるから、本件補正発明における「大径粉」の「組成式」において、

Ｘ２をＣｕ、ＭをＮｂとし、

ａ～０．０３　（本件補正発明では、０．０２０≦ａ≦０．１４　の範囲。以下同じ。）

ｂ～０．０９　（０．０２０＜ｂ≦０．２０）

ｃ～０　　　　（０≦ｃ≦０．１５）

ｄ～０．１３５（０≦ｄ≦０．１４）

α～０　　　　（α≧０）

β～０．０１３（０≦β，０≦α＋β≦０．５０）

としたものに相当する。

つまり、ファインメットは、本件補正発明における「大径粉」の「組成式」を満足するものである。

この点を踏まえて、以下検討する。

引用文献２に記載されているように、コア（圧粉磁心）用の粒子として、Fe基のアモルファス金属よりも透磁率が高いFINEMET（ファインメット）を用いることは周知技術である。

そして、引用文献１の段落【００５０】、段落【００６４】ないし【００６７】には、「アモルファスの金属粒子」と「ナノ結晶構造の金属粒子」とが併記され（なお、「ナノ結晶構造」とは、引用文献１の段落【００４６】に記載されているとおり「アモルファスに微小な結晶を析出させた構造を意味する。」）、しかも、引用文献１の段落【００６８】に「磁性体ベースにおける金属粒子の充填率・・・を高くすることにより、磁性体部の透磁率が高くなり、より高いインダクタンスを得ることが可能になる。」と記載されているとおり、引用発明１において磁性体ベースの透磁率を高めることが望ましいことは、いうまでもないことであるから、「メジアン径（Ｄ５０）５０μｍ」の「粒子」として、「Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ系合金のアモルファス粒子」に代え、より透磁率の高い周知のＦＩＮＥＭＥＴ（ファインメット）粒子を用い、上記相違点１に係る構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。

イ（相違点２）について

本願明細書の段落【０１２７】、【表１】において、本件補正発明の特定事項である「３．００≦Ｔ１／Ｔ２≦５．００」を満たす試料番号（特に、試料番号４、１０、１２）の耐電圧、透磁率と、「３．００≦Ｔ１／Ｔ２≦５．００」を満たさない試料番号１、７、９、１３（特に、試料番号１３）の耐電圧、透磁率を対比すると、必ずしも前者が後者より優れているわけではないことがわかる。

したがって、本件補正発明における「前記大径粉の平均絶縁コート厚みをＴ１、前記小径粉の平均絶縁コート厚みをＴ２として、３．００≦Ｔ１／Ｔ２≦５．００を満たし」との数値範囲に格別の技術的意義を見出すことはできない。

そして、引用文献１には、「アモルファスの金属粒子およびナノ結晶構造の金属粒子の絶縁被膜の厚みは、結晶質の金属粒子の絶縁被膜の厚みよりも厚」（【００６４】）く、「アモルファスの金属粒子およびナノ結晶構造の金属粒子の絶縁被膜の厚みは、１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、結晶質の金属粒子の絶縁被膜の厚みは、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であ」（【００６６】）ると記載されているのであるから、引用発明１において、「メジアン径（Ｄ５０）５０μｍ」の粒子として「ナノ結晶構造」のＦＩＮＥＭＥＴ（ファインメット）粒子を用いるとともに、（「メジアン径（Ｄ５０）５０μｍ」の「粒子」の「絶縁被膜の厚み」）／（「メジアン径（Ｄ５０）２μｍ」の「粒子」の「絶縁被膜の厚み」）の数値範囲を、本件補正発明で規定する３．００ないし５．００とすることは、当業者が適宜なし得たことである。

ウ（相違点３）について

（ア）引用文献４に記載された技術を再掲すれば、次のとおりである。

「本体５０は、磁気特性を示す磁性材料が充填されて形成され、上記本体を破断して一断面を観察したとき、第１磁性粒子５１が占める断面積の和をａ、第２磁性粒子及び第３磁性粒子５２、５３が占める断面積の和をｂとするとき、上記第１から第３磁性粒子はａ：ｂが５：５～９：１を満たすように本体に含まれることができ、上記第１から第３磁性粒子５１、５２、５３が上記範囲の混合比で本体に含まれる場合、充填率が向上し、高透磁率を示すことができる。」

また、引用文献５には「体積比（Vv）を、断面での観察結果をもとに、Vv＝AA（AA　面積比）の関係によって評価する。」ことが記載されている。

さらに、引用文献１の段落【００７２】には、「ここに、上記充填率とは、磁性体部の断面のＳＥＭ画像における金属粒子の占める面積の割合を意味する。」と、体積率である充填率を、面積の割合で定義している。

（イ）以上の記載より、第１磁性粒子と第２磁性粒子との配合割合を、秤量値で規定するか、断面を観察したときのそれぞれの粒子の断面積の割合（引用文献５に示すとおり、理論的には、体積比と等しい値となる）で規定するかは当業者が適宜選択し得ることであると認められる。

（ウ）そして、引用文献１の上記段落【００７２】には「磁性体部の断面のＳＥＭ画像における金属粒子の占める面積」を観測することが記載されているのであるから、引用発明１において、「メジアン径（Ｄ５０）５０μｍ」の粒子と「メジアン径（Ｄ５０）２μｍ」の粒子との配合量の割合を、秤量値（質量％）で規定することに代え、それぞれの粒子が磁性体ベースの断面において占める面積の割合（断面積比）で規定するものとし、その数値範囲を、引用発明１における（実施例１）ないし（実施例３）の配合割合の範囲である６５：３５～８０：２０（引用文献１の段落【０１３７】【表１】参照）に対応させて、０．２５～０．５３（＝２０／８０～３５／６５、なお、粒子はいずれも鉄を主成分としたものであるから、比重はほぼ同じと考えられ、質量比と体積比とを同じとした。）と規定して、上記相違点３に係る本件補正発明の数値範囲（０．２０≦Ｓ２／Ｓ１≦０．５５）を満たすものとすることは、当業者が容易になし得たことである。

エ　そして、これらの相違点を総合的に勘案しても、本件補正発明の奏する作用効果は、引用発明１及び引用文献２、４ないし６に記載された周知技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。

オ　請求人の主張について

（ア）請求人は、審判請求書において、「透磁率を良好に維持しつつ耐電圧が著しく向上」する点を本件補正発明の「異質な効果および／または著しく優れた効果である」と主張する。

しかし、例えば、特開２００１－３１３２０８号公報の段落【００１８】－【００１９】に「【００１８】このような絶縁体被覆金属は、樹脂中に分散混合することにより、従来のフェライトを破砕して粉末にした片状、あるいは凹凸のあるブロック状のものに比較して球状でありかつ小径であるため樹脂中に分散性よく混合される。また、この粒子を樹脂に分散させた場合、絶縁体層が金属粒子に対して１ｗｔ％の少量の添加量であっても絶縁抵抗の向上に寄与することができ、かつ耐電圧をも向上させることができる。

【００１９】さらに、複合磁性材料中においても被覆金属粒子の形状は複合磁性材料に混合させる前の形状を保持しており、かつ、被覆絶縁体層も破壊されず保持されている。このことが、前記に示したような耐電圧の向上の一因をなしている。・・・」と記載されているとおり、「絶縁体被覆金属」を用いて「絶縁抵抗の向上」を図ることは、「耐電圧をも向上」させることにも繋がるのであるから、引用文献１の段落【００６７】に記載された「・・・高い透磁率と高い絶縁性を両立すること・・・」とは、高い透磁率と高い耐電圧性を両立することを目指したものと理解することもできる。

よって、請求人の主張する上記作用効果は、「異質な効果および／または著しく優れた効果である」と認めることはできない。

（イ）また、請求人は、本件補正発明の作用効果として「充填率が著しく向上する」ことを挙げているが、引用文献１の段落【００６９】には、「磁性体ベース８における金属粒子の充填率は、好ましくは６５％以上、より好ましくは７５％以上、さらに好ましくは８５％以上であり得る。・・・」と記載されているのであるから、本件補正発明の上記作用効果が格別顕著なものであるということはできない。

（ウ）さらに、請求人は、令和２年１０月１３日の上申書において、「０．２０≦Ｓ２／Ｓ１≦０．５５などを満たす構成とすることにより充填率が高い場合において透磁率と耐電圧との両方を向上させるという技術的思想は引用文献１～４から容易に想到できない。」、「Ｓ２／Ｓ１の数値範囲のうち、少なくとも下限については臨界的意義がある」旨主張する。

しかし、上記ウに記載したとおり、引用発明１における（実施例１）ないし（実施例３）の配合割合の範囲は、面積割合の比で規定すれば、０．２５～０．５３であって、上記Ｓ２／Ｓ１の数値範囲を満たしている。また、引用発明１においても、高い透磁率（すなわち、高い充填率）と高い耐電圧性との両立を目指していることは、上記（ア）で述べたとおりである。

（エ）よって、請求人の主張は採用できない。

カ　したがって、本件補正発明は、引用文献１に記載された発明及び引用文献２、３－６に記載された周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法２９条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。

３　本件補正についてのむすび

よって、本件補正は、特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するので、同法１５９条１項の規定において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。

したがって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。

第３　本願発明について

１　本願発明

令和２年５月１日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし７に係る発明は、令和元年１０月２４日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される、前記第２［理由］１（２）に記載のとおりのものである。

２　原査定の拒絶の理由

原査定の拒絶の理由は、この出願の請求項１ないし７に係る発明は、本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１に記載された発明及び引用文献２ないし４に記載された周知技術に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない、

というものである。

記

１．特開２０１８－１８２２０３号公報

２．特開２０１６－２５３５２号公報（周知技術を示す文献）

３．特開２００４－３４９５８５号公報（周知技術を示す文献）

４．特開２０１６－２０８００２号公報（周知技術を示す文献）

３　引用文献

原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１、２、４及びその記載事項は、前記第２の［理由］２（２）に記載したとおりである。

４　対比・判断

本願発明１は、前記第２の［理由］２で検討した本件補正発明から、「Ｔ１／Ｔ２」について、「３．００≦Ｔ１／Ｔ２≦５．００」とあったところを、「Ｔ１／Ｔ２＞１．０」と数値範囲を拡張するとともに、「任意の切断面における前記大径粉の面積割合をＳ１、前記小径粉の面積割合をＳ２として、０．２０≦Ｓ２／Ｓ１≦０．５５を満たす」との限定を削除したものに相当する。

そうすると、本願発明１と引用文献１に記載された発明とは、前記第２の[理由]２（３）に記載した（相違点１）で相違するが、該（相違点１）は、前記第２の［理由］２（４）アに記載したとおり、引用文献２に記載された周知技術に基づいて当業者が容易になし得たことである。

よって、本願発明１は、引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載された周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。

第４　むすび

以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。

よって、結論のとおり審決する。