2020-001685

第１　事案の概要

１　手続等の経緯

特願２０１５－８２０３７号（以下「本件出願」という。）は、平成２７年４月１３日にされた特許出願であって、その手続等の経緯の概要は、以下のとおりである。

２　原査定の概要

原査定の拒絶の理由は、概略、本件出願の請求項６～８、１０～１２、１４～１５に係る発明（令和元年６月２８日にした手続補正後のもの）は、本件出願前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物である下記の引用文献に記載された発明と同一であるか、又は、下記の引用文献に記載された発明に基づいて、本件出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項３号に該当するか、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、という理由を含むものである。

３　本願発明

本件出願の請求項１～請求項１５に係る発明は、令和元年６月２８日にした手続補正（以下「本件補正」という。）後の特許請求の範囲の請求項１～請求項１５に記載された事項によって特定されるとおりの、以下のものである。

「　　【請求項１】

レジスト膜を形成する工程、

上記レジスト膜の一方の面に上層膜形成用組成物により上層膜を形成する工程、

上記上層膜が形成されたレジスト膜を液浸露光する工程、及び

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有機溶媒を含有する現像液で上記液浸露光されたレジスト膜を現像する工程

を備え、

上記上層膜形成用組成物が、

異なる重合体中に、脂環構造を含む第１構造単位を有する第１重合体と、下記式（２）で表される基を含む構造単位（ＩＩ－１）及びフッ素化アルキル基を含む構造単位（ＩＩ－２）を有する第２重合体とを含む重合体成分、及び

溶媒

を含有し、

上記重合体成分中のフッ素原子含有率が２質量％以上１５質量％以下であるネガ型レジストパターン形成方法。

【化１】

（式（２）中、ＲＡは、水素原子又は炭素数１～２０の１価の有機基である。ＲＢ及びＲＣは、それぞれ独立して、フッ素原子又は炭素数１～２０のフッ素化アルキル基である。）

【請求項２】

上記構造単位（ＩＩ－２）が下記式（３）で表される請求項１に記載のネガ型レジストパターン形成方法。

【化２】

（式（３）中、ＲＨは、水素原子、メチル基、フッ素原子又はトリフルオロメチル基である。ＲＩは、１価のフッ素化アルキル基である。）

【請求項３】

上記第２重合体に対する上記第１重合体の質量比が、１０／９０以上９５／５以下である請求項１又は請求項２に記載のネガ型レジストパターン形成方法。

【請求項４】

上記脂環構造が多環構造である請求項１、請求項２又は請求項３に記載のネガ型レジストパターン形成方法。

【請求項５】

上記重合体成分を構成する全構造単位に対する上記第１構造単位の含有割合が、２０モル％以上９５モル％以下である請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のネガ型レジストパターン形成方法。

【請求項６】

レジスト膜を形成する工程、

上記レジスト膜の一方の面に上層膜形成用組成物により上層膜を形成する工程、

上記上層膜が形成されたレジスト膜を液浸露光する工程、及び

有機溶媒を含有する現像液で上記液浸露光されたレジスト膜を現像する工程

を備え、

上記上層膜形成用組成物が、

同一の重合体中に、脂環構造を含む第１構造単位と、上記第１構造単位以外のフッ素原子を含む第２構造単位とを有する重合体成分、及び

溶媒

を含有し、

上記重合体成分中のフッ素原子含有率が２質量％以上３０質量％以下であり、

上記脂環構造が多環構造であり、

上記第２構造単位が下記式（２）で表される基を含み、

上記重合体成分を構成する全構造単位に対する上記第１構造単位の含有割合が、４０モル％以上９５モル％以下であるネガ型レジストパターン形成方法。

【化３】

（式（２）中、ＲＡは、水素原子又は炭素数１～２０の１価の有機基である。ＲＢ及びＲＣは、それぞれ独立して、フッ素原子又は炭素数１～２０のフッ素化アルキル基である。）

【請求項７】

上記重合体成分中のフッ素原子含有率が２５質量％以下である請求項６に記載のネガ型レジストパターン形成方法。

【請求項８】

上記第１構造単位が下記式（１－１）又は（１－２）で表される請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のネガ型レジストパターン形成方法。

【化４】

（式（１－１）中、Ｒ１は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Ｌは、単結合又は炭素数１～２０の２価の有機基である。Ｒ２は、置換又は非置換の環員数３～２０の１価の脂環式炭化水素基である。

式（１－２）中、Ｒ１’は、水素原子又はメチル基である。Ｙ１、Ｙ２及びＹ３は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１～２０の１価の有機基である。ａは、１～４の整数である。ａが２以上の場合、複数のＹ１は同一でも異なっていてもよく、複数のＹ２は同一でも異なっていてもよい。Ｌ’は、単結合又は炭素数１～２０の２価の有機基である。Ｒ２’は、置換又は非置換の環員数３～２０の１価の脂環式炭化水素基である。）

【請求項９】

上記式（１－１）におけるＲ２及び上記式（１－２）におけるＲ２’の脂環式炭化水素基が非置換である請求項８に記載のネガ型レジストパターン形成方法。

【請求項１０】

上記溶媒が、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、環状エーテル系溶媒、アルコール系溶媒又はこれらの組み合わせからなる請求項１から請求項９のいずれか１項に記載のネガ型レジストパターン形成方法。

【請求項１１】

上記現像工程で用いられる現像液の有機溶媒が、エステル系溶媒、ケトン系溶媒又はこれらの組み合わせを含む請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載のネガ型レジストパターン形成方法。

【請求項１２】

上記液浸露光工程後、上記現像工程と同時又はその前に、上記上層膜を除去する工程をさらに備える請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載のネガ型レジストパターン形成方法。

【請求項１３】

有機溶媒を含有する現像液を用いるネガ型レジストパターン形成方法に用いられる上層膜形成用組成物であって、

異なる重合体中に、脂環構造を含む第１構造単位を有する第１重合体と、下記式（２）で表される基を含む構造単位（ＩＩ－１）及びフッ素化アルキル基を含む構造単位（ＩＩ－２）を有する第２重合体とを含む重合体成分、及び

溶媒

を含有し、

上記重合体成分中のフッ素原子含有率が２質量％以上１５質量％以下であることを特徴とする上層膜形成用組成物。

【化５】

（式（２）中、ＲＡは、水素原子又は炭素数１～２０の１価の有機基である。ＲＢ及びＲＣは、それぞれ独立して、フッ素原子又は炭素数１～２０のフッ素化アルキル基である。）

【請求項１４】

有機溶媒を含有する現像液を用いるネガ型レジストパターン形成方法に用いられる上層膜形成用組成物であって、

同一の重合体中に、脂環構造を含む第１構造単位と、上記第１構造単位以外のフッ素原子を含む第２構造単位とを有する重合体成分、及び

溶媒

を含有し、

上記重合体成分中のフッ素原子含有率が２質量％以上３０質量％以下であり、

上記脂環構造が多環構造であり、

上記第２構造単位が下記式（２）で表される基を含み、

上記重合体成分を構成する全構造単位に対する上記第１構造単位の含有割合が、４０モル％以上９５モル％以下であることを特徴とする上層膜形成用組成物。

【化６】

（式（２）中、ＲＡは、水素原子又は炭素数１～２０の１価の有機基である。ＲＢ及びＲＣは、それぞれ独立して、フッ素原子又は炭素数１～２０のフッ素化アルキル基である。）

【請求項１５】

上記現像液の有機溶媒が、エステル系溶媒、ケトン系溶媒又はこれらの組み合わせを含む請求項１３又は請求項１４に記載の上層膜形成用組成物。」

第２　当合議体の判断

１　引用文献の記載及び引用発明

（１）引用文献１について

原査定の拒絶の理由で引用文献１として引用され、本件出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である、特開２０１４－２１５５４９号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の記載がある。なお、下線は当合議体が付したものであり、引用発明の認定及び判断等に活用した箇所を示す。

ア　「【技術分野】

【０００１】

本発明は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に係り、特に、異なるカチオンを有する２種以上の光酸発生剤を含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に関する。

また、本発明は、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いたパターン形成方法にも関する。

【背景技術】

【０００２】

従来より、ＩＣやＬＳＩなどの半導体デバイスの製造プロセスにおいては、フォトレジスト組成物を用いたリソグラフィーによる微細加工が行われている。

近年、集積回路の高集積化に伴い、より超微細パターン形成が要求されており、その対策として、例えば、特許文献１では新規な光酸発生剤を含む組成物を使用する方法が提案されている。特に、特許文献１においては、２種の光酸発生剤を含む組成物を用いた態様が具体的に開示されている。」

イ　「【発明が解決しようとする課題】

【０００４】

一方、パターン形成に使用される感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物（レジスト膜形成用組成物）は、通常、購入後、所定時間保管した後、使用される。そのため、保管後においても、所望の効果が得られることが求められる。

本発明者らは、特許文献１に具体的に開示されている２種の光酸発生剤を含む組成物を所定時間保管した後、その特性を評価した所、パターン形成時において現像欠陥が生じやすく、ＬＷＲ（line　width　roughness）も大きくなることを知見した。

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【０００５】

本発明は、上記実情に鑑みて、長期保管後も現像欠陥が生じにくく、ＬＷＲの劣化も抑制される感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供することを目的とする。

また、本発明は、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いたパターン形成方法を提供することも目的とする。

【課題を解決するための手段】

【０００６】

本発明者らは、従来技術の問題点について鋭意検討した結果、所定のカチオンを含む２種の光酸発生剤を含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を使用することにより、上記課題を解決できることを見出した。

すなわち、以下の構成により上記目的を達成することができることを見出した。

【０００７】

（１）　少なくとも２種の光酸発生剤（Ａ）、及び、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂（Ｂ）を含有し、

光酸発生剤が、後述する一般式（Ａ－１）で表される光酸発生剤、及び、後述する一般式（Ａ－２）で表される光酸発生剤を少なくとも含む、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

（２）　Ｚ1及びＺ2のうち、一方は一般式（Ｃ－１）又は（Ｃ－２）で表されるカチオンであり、他方は一般式（Ｃ－３）で表されるカチオンである、（１）に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

（３）　一般式（Ａ－１）中のＡ1及び一般式（Ａ－２）中のＡ2が、両方とも一般式（Ｂ－１）で表されるアニオンである、（１）または（２）に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

（４）　光酸発生剤の総含有量が、組成物中の全固形分に対して、１２～３０質量％である、（１）～（３）のいずれか１つに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

（５）　一般式（Ｃ－１）又は（Ｃ－２）で表されるカチオンを有する光酸発生剤の含有量が、組成物中の全固形分に対して、６～２５質量％である、（１）～（４）のいずれか１つに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

（６）　一般式（Ｃ－１）又は（Ｃ－２）で表されるカチオンを有する光酸発生剤の合計質量Ｗ１と、一般式（Ｃ－３）で表されるカチオンを有する光酸発生剤の質量Ｗ２との混合比（Ｗ１／Ｗ２）が１．０～９．０である、（１）～（５）のいずれか１つに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

（７）　ｐが１である、（１）～（６）のいずれか１つに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

（８）　ｑが２である、（１）～（７）のいずれか１つに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

（９）　Ｙが置換又は無置換のアダマンチル基である、（１）～（８）のいずれか１つに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

（１０）　Ｌ2が＊1－ＯＣＯ－＊2基（＊1で（ＣＲ1Ｒ2）qと結合し、＊2でＹと結合する）である、（１）～（９）のいずれか１つに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

（１１）　Ｌ1が単結合である、（１）～（１０）のいずれか１つに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

（１２）　Ｌ1が＊1－ＣＯＯ－＊2基（＊1で（ＣＱ1Ｑ2）pと結合し、＊2で（ＣＲ1Ｒ2）qと結合する）である、（１）～（１０）のいずれか１つに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

（１３）　樹脂（Ｂ）が、後述する一般式（ｎＩ）又は（ｎＩＩ）で表される繰り返し単位を有する、（１）～（１２）のいずれか１つに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

（１４）　（１）～（１３）のいずれか１つに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を含む膜を形成する膜形成工程と、

膜に活性光線又は放射線を照射する露光工程と、

現像液を用いて活性光線又は放射線を照射した膜を現像する現像工程とを備える、パターン形成方法。

（１５）　現像工程が、有機溶剤を含む現像液により現像を行う工程を含む、（１４）に記載のパターン形成方法。

（１６）　有機溶剤を含む現像液により現像を行う工程を含むパターン形成方法に使用される、（１）～（１３）のいずれか１つに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。」

ウ　「【発明の効果】

【０００８】

本発明によれば、長期保管後も現像欠陥が生じにくく、ＬＷＲの劣化も抑制される感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供することができる。

また、本発明によれば、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いたパターン形成方法を提供することができる。

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【００１１】

本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の特徴点としては、特定のカチオンを含む２種以上の光酸発生剤を使用している点が挙げられる。本発明者らは、従来技術の問題点について鋭意検討を行った結果、長期保管中における光酸発生剤の結晶化が上記問題の原因であることを知見している。つまり、組成物を長期保管すると、組成物中における光酸発生剤が結晶化して凝集するため、上記現像欠陥の発生や、ＬＷＲの劣化を引き起こすことを知見している。そこで、本発明者らは、特定のカチオンを含む２種以上の光酸発生剤を用いることにより、組成物の長期保管中に光酸発生剤の結晶化が抑制され、結果として所望の効果が得られることを見出している。

【００１２】

本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物（以後、単に「組成物」とも称する）には、少なくとも２種の光酸発生剤（Ａ）、及び、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂（Ｂ）が含有される。

以下では、まず、組成物中に含まれる各成分について詳述する。

【００１３】

＜光酸発生剤（Ａ）＞

本発明の組成物中には、少なくとも２種の光酸発生剤（Ａ）が含まれ、一般式（Ａ－１）で表される光酸発生剤、及び、一般式（Ａ－２）で表される光酸発生剤が少なくとも含まれる。なお、後述するように、一般式（Ａ－１）で表される光酸発生剤、及び、一般式（Ａ－２）で表される光酸発生剤は、少なくともカチオン部分の構造が異なる。

以下では、まず、以下の式で表される光酸発生剤について詳述する。

・・・中略・・・

【００８１】

＜酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂（Ｂ）＞

本発明の組成物は、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂（以下、「酸分解性樹脂」又は「樹脂（Ｂ）」ともいう。）を含有する。

酸分解性樹脂は、樹脂の主鎖又は側鎖、あるいは、主鎖及び側鎖の両方に、酸の作用により分解し、アルカリ可溶性基を生じる基（以下、「酸分解性基」ともいう）を有する。

樹脂（Ｂ）は、好ましくはアルカリ現像液に不溶又は難溶性である。

酸分解性基は、アルカリ可溶性基を酸の作用により分解し脱離する基で保護された構造を有することが好ましい。

・・・中略・・・

【０１４０】

＜その他の成分＞

組成物には、上記光酸発生剤（Ａ）及び樹脂（Ｂ）以外の成分が含まれていてもよい。

以下に、任意の成分について詳述する。

【０１４１】

（酸拡散制御剤）

本発明の組成物は、酸拡散制御剤を含有することが好ましい。酸拡散制御剤は、光酸発生剤等から発生する酸をトラップするクエンチャーとして作用するものである。酸拡散制御剤としては、塩基性化合物、窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下又は消失する塩基性化合物、光酸発生剤に対して相対的に弱酸となるオニウム塩を使用することができる。」

エ　「【０１８９】

（疎水性樹脂（Ｄ））

本発明の組成物は、特に液浸露光に適用する際、疎水性樹脂（以下、「疎水性樹脂（Ｄ）」又は単に「樹脂（Ｄ）」ともいう）を含有してもよい。なお、疎水性樹脂（Ｄ）は樹脂（Ｂ）とは異なることが好ましい。

これにより、膜表層に疎水性樹脂（Ｄ）が偏在化し、液浸媒体が水の場合、水に対するレジスト膜表面の静的／動的な接触角を向上させ、液浸液追随性を向上させることができる。

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疎水性樹脂（Ｄ）は前述のように界面に偏在するように設計されることが好ましいが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性／非極性物質を均一に混合することに寄与しなくても良い。

【０１９０】

疎水性樹脂（Ｄ）は、膜表層への偏在化の観点から、“フッ素原子”、“珪素原子”、及び、“樹脂の側鎖部分に含有されたＣＨ3部分構造”のいずれか１種以上を有することが好ましく、２種以上を有することが更に好ましい。

疎水性樹脂（Ｄ）が、フッ素原子及び／又は珪素原子を含む場合、疎水性樹脂（Ｄ）に於ける上記フッ素原子及び／又は珪素原子は、樹脂の主鎖中に含まれていてもよく、側鎖中に含まれていてもよい。

【０１９１】

疎水性樹脂（Ｄ）がフッ素原子を含んでいる場合、フッ素原子を有する部分構造として、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、又は、フッ素原子を有するアリール基を有する樹脂であることが好ましい。

フッ素原子を有するアルキル基（好ましくは炭素数１～１０、より好ましくは炭素数１～４）は、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖又は分岐アルキル基であり、更にフッ素原子以外の置換基を有していてもよい。

フッ素原子を有するシクロアルキル基は、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された単環又は多環のシクロアルキル基であり、更にフッ素原子以外の置換基を有していてもよい。

フッ素原子を有するアリール基としては、フェニル基、ナフチル基などのアリール基の少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換されたものが挙げられ、更にフッ素原子以外の置換基を有していてもよい。

【０１９２】

フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、及びフッ素原子を有するアリール基として、好ましくは、下記一般式（Ｆ２）～（Ｆ４）で表される基を挙げることができるが、本発明は、これに限定されるものではない。

【０１９３】

【化４３】

【０１９４】

一般式（Ｆ２）～（Ｆ４）中、

Ｒ57～Ｒ68は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基（直鎖若しくは分岐）を表す。但し、Ｒ57～Ｒ61の少なくとも１つ、Ｒ62～Ｒ64の少なくとも１つ、及びＲ65～Ｒ68の少なくとも１つは、それぞれ独立に、フッ素原子又は少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基（好ましくは炭素数１～４）を表す。

Ｒ57～Ｒ61及びＲ65～Ｒ67は、全てがフッ素原子であることが好ましい。Ｒ62、Ｒ63及びＲ68は、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基（好ましくは炭素数１～４）が好ましく、炭素数１～４のパーフルオロアルキル基であることが更に好ましい。Ｒ62とＲ63は、互いに連結して環を形成してもよい。

【０１９５】

一般式（Ｆ２）で表される基の具体例としては、例えば、ｐ－フルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、３，５－ジ（トリフルオロメチル）フェニル基等が挙げられる。

一般式（Ｆ３）で表される基の具体例としては、米国特許出願公開２０１２／０２５１９４８号明細書の段落［０５００］に例示されたものを挙げることができる。

一般式（Ｆ４）で表される基の具体例としては、例えば、－Ｃ（ＣＦ3）2ＯＨ、－Ｃ（Ｃ2Ｆ5）2ＯＨ、－Ｃ（ＣＦ3）（ＣＨ3）ＯＨ、－ＣＨ（ＣＦ3）ＯＨ等が挙げられ、－Ｃ（ＣＦ3）2ＯＨが好ましい。

フッ素原子を含む部分構造は、主鎖に直接結合してもよく、更に、アルキレン基、フェニレン基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合及びウレイレン結合よりなる群から選択される基、或いはこれらの２つ以上を組み合わせた基を介して主鎖に結合してもよい。

・・・中略・・・

【０１９９】

また、上記したように、疎水性樹脂（Ｄ）は、側鎖部分にＣＨ3部分構造を含むことも好ましい。

ここで、疎水性樹脂（Ｄ）中の側鎖部分が有するＣＨ3部分構造（以下、単に「側鎖ＣＨ3部分構造」ともいう）には、エチル基、プロピル基等が有するＣＨ3部分構造を包含するものである。

一方、疎水性樹脂（Ｄ）の主鎖に直接結合しているメチル基（例えば、メタクリル酸構造を有する繰り返し単位のα－メチル基）は、主鎖の影響により疎水性樹脂（Ｄ）の表面偏在化への寄与が小さいため、本発明におけるＣＨ3部分構造に包含されないものとする。

・・・中略・・・

【０２０３】

疎水性樹脂（Ｄ）は、側鎖部分にＣＨ3部分構造を有する繰り返し単位を有する樹脂であることが好ましく、このような繰り返し単位として、下記一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位、及び、下記一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位のうち少なくとも一種の繰り返し単位（ｘ）を有していることがより好ましい。

【０２０４】

以下、一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位について詳細に説明する。

【０２０５】

【化４６】

【０２０６】

上記一般式（ＩＩ）中、Ｘb1は水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表し、Ｒ2は１つ以上のＣＨ3部分構造を有する、酸に対して安定な有機基を表す。ここで、酸に対して安定な有機基は、より具体的には、樹脂（Ｂ）において説明した“酸分解性基”を有さない有機基であることが好ましい。

・・・中略・・・

【０２１２】

以下、一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位について詳細に説明する。

【０２１３】

【化４８】

【０２１４】

上記一般式（ＩＩＩ）中、Ｘb2は水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表し、Ｒ3は１つ以上のＣＨ3部分構造を有する、酸に対して安定な有機基を表し、ｎは１から５の整数を表す。

Ｘb2のアルキル基は、炭素数１～４のものが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基又はトリフルオロメチル基等が挙げられるが、水素原子であることが好ましい。Ｘb2は、水素原子であることが好ましい。

・・・中略・・・

【０２２２】

また、疎水性樹脂（Ｄ）は、（ｉ）フッ素原子及び／又は珪素原子を含む場合においても、（ｉｉ）側鎖部分にＣＨ3部分構造を含む場合においても、下記（ｘ）～（ｚ）の群から選ばれる基を少なくとも１つを有していてもよい。

（ｘ）酸基、

（ｙ）ラクトン構造を有する基、酸無水物基、又は酸イミド基、

（ｚ）酸の作用により分解する基

・・・中略・・・

【０２３１】

疎水性樹脂（Ｄ）は、更に、下記一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位を有していてもよい。

【０２３２】

【化５２】

・・・中略・・・

【０２４５】

以下に疎水性樹脂（Ｄ）の具体例を示す。また、下記表に、各樹脂における繰り返し単位のモル比（各繰り返し単位と左から順に対応）、重量平均分子量、分散度を示す。

【０２４６】

【化５５】

【０２４７】

【化５６】

【０２４８】

【化５７】

【０２４９】

【表１】

・・・中略・・・

【０２５３】

（溶剤）

組成物は、溶剤を含有していてもよい。

組成物を調製する際に使用することができる溶剤としては、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、環状ラクトン（好ましくは炭素数４～１０）、環を有してもよいモノケトン化合物（好ましくは炭素数４～１０）、アルキレンカーボネート、アルコキシ酢酸アルキル、ピルビン酸アルキル等の有機溶剤を挙げることができる。

これらの溶剤の具体例は、米国特許出願公開２００８／０１８７８６０号明細書の段落［０４４１］～［０４５５］に記載のものを挙げることができる。

・・・中略・・・

【０２６５】

＜パターン形成方法＞

次に、本発明に係るパターン形成方法について説明する。

本発明のパターン形成方法は特に制限されないが、

（ア）上記組成物を含む膜（以後、レジスト膜とも称する）を形成する膜形成工程、

（イ）該膜に活性光線又は放射線を照射する露光工程、及び

（ウ）現像液を用いて上記活性光線又は放射線を照射した膜を現像する現像工程、

を少なくとも含むことが好ましい。

【０２６６】

上記工程（イ）における露光は、液浸露光であってもよい。

本発明のパターン形成方法は、（イ）露光工程の後に、（エ）加熱工程を含むことが好ましい。

本発明のパターン形成方法は、（イ）露光工程を、複数回含んでいてもよい。

本発明のパターン形成方法は、（エ）加熱工程を、複数回含んでいてもよい。

・・・中略・・・

【０２７３】

本発明における組成物を用いて形成した膜（レジスト膜）の後退接触角は温度２３±３℃、湿度４５±５％において７０°以上であることが好ましく、液浸媒体を介して露光する場合に好適であり、７５°以上であることがより好ましく、７５～８５°であることが更に好ましい。

【０２７４】

後退接触角が小さすぎると、液浸媒体を介して露光する場合に好適に用いることができず、かつ水残り（ウォーターマーク）欠陥低減の効果を十分に発揮することができない。好ましい後退接触角を実現する為には、疎水性樹脂（Ｄ）を組成物に含ませることが好ましい。あるいは、レジスト膜の上に、疎水性の樹脂組成物によるコーティング層（いわゆる「トップコート」）を形成することにより後退接触角を向上させてもよい。

【０２７５】

液浸露光工程に於いては、露光ヘッドが高速でウェハ上をスキャンし露光パターンを形成していく動きに追随して、液浸液がウェハ上を動く必要があるので、動的な状態におけるレジスト膜に対する液浸液の接触角が重要になり、液滴が残存することなく、露光ヘッドの高速なスキャンに追随する性能がレジストには求められる。

【０２７６】

本発明において膜を形成する基板は特に限定されるものではなく、シリコン、ＳｉＮ、ＳｉＯ2やＳｉＮ等の無機基板、ＳＯＧ等の塗布系無機基板等、ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造工程、更にはその他のフォトファブリケーションのリソグラフィー工程で一般的に用いられる基板を用いることができる。更に、必要に応じて、レジスト膜と基板の間に反射防止膜を形成させてもよい。反射防止膜としては、公知の有機系、無機系の反射防止膜を適宜用いることができる。

【０２７７】

本発明の組成物を用いて形成されたレジスト膜を現像する工程において使用する現像液は特に限定しないが、例えば、アルカリ現像液又は有機溶剤を含有する現像液（以下、有機系現像液とも言う）を用いることができる。

【０２７８】

本発明のパターン形成方法が、アルカリ現像液を用いて現像する工程を有する場合、使用可能なアルカリ現像液は特に限定されないが、一般的には、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの２．３８％質量の水溶液が望ましい。また、アルカリ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。

アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常０．１～２０質量％である。

アルカリ現像液のｐＨは、通常１０．０～１５．０である。

アルカリ現像の後に行うリンス処理におけるリンス液としては、純水を使用し、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。

また、現像処理又はリンス処理の後に、パターン上に付着している現像液又はリンス液を超臨界流体により除去する処理を行うことができる。

【０２７９】

本発明のパターン形成方法が、有機溶剤を含有する現像液を用いて現像する工程を有する場合、当該現像液（以下、有機系現像液とも言う）としては、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤及び炭化水素系溶剤を用いることができる。

・・・中略・・・

【０２８９】

現像方法としては、たとえば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法（パドル法）、基板表面に現像液を噴霧する方法（スプレー法）、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液吐出ノズルをスキャンしながら現像液を吐出しつづける方法（ダイナミックディスペンス法）などを適用することができる。

【０２９０】

上記各種の現像方法が、現像装置の現像ノズルから現像液をレジスト膜に向けて吐出する工程を含む場合、吐出される現像液の吐出圧（吐出される現像液の単位面積あたりの流速）は好ましくは２ｍＬ／ｓｅｃ／ｍｍ2以下、より好ましくは１．５ｍＬ／ｓｅｃ／ｍｍ2以下、更に好ましくは１ｍＬ／ｓｅｃ／ｍｍ2以下である。流速の下限は特に無いが、スループットを考慮すると０．２ｍＬ／ｓｅｃ／ｍｍ2以上が好ましい。

吐出される現像液の吐出圧を上記の範囲とすることにより、現像後のレジスト残渣に由来するパターンの欠陥を著しく低減することができる。

【０２９１】

このメカニズムの詳細は定かではないが、恐らくは、吐出圧を上記範囲とすることで、現像液がレジスト膜に与える圧力が小さくなり、レジスト膜・レジストパターンが不用意に削られたり崩れたりすることが抑制されるためと考えられる。

なお、現像液の吐出圧（ｍＬ／ｓｅｃ／ｍｍ2）は、現像装置中の現像ノズル出口における値である。

現像液の吐出圧を調整する方法としては、例えば、ポンプなどで吐出圧を調整する方法や、加圧タンクからの供給で圧力を調整することで変える方法などを挙げることができる。

また、有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後に、他の溶媒に置換しながら、現像を停止する工程を実施してもよい。

【０２９２】

有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後には、リンス液を用いて洗浄する工程を含むことが好ましい。

有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後のリンス工程に用いるリンス液としては、レジストパターンを溶解しなければ特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用することができる。リンス液としては、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種類の有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。

炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤の具体例としては、有機溶剤を含む現像液において説明したものと同様のものを挙げることができる。

・・・中略・・・

【０２９８】

本発明のパターン形成方法は、アルカリ現像液を用いて現像を行う工程（アルカリ現像工程）、及び、有機溶剤を含む現像を用いて現像を行う工程（有機溶剤現像工程）の両方を組み合わせて使用することができる。これにより、より微細なパターンを形成することができる。

本発明において、有機溶剤現像工程によって露光強度の弱い部分が除去されるが、更にアルカリ現像工程を行うことによって露光強度の強い部分も除去される。このように現像を複数回行う多重現像プロセスにより、中間的な露光強度の領域のみを溶解させずにパターンとして残存させることができるため、通常より微細なパターンを形成できる（特開２００８－２９２９７５号公報の段落［００７７］と同様のメカニズム）。

アルカリ現像工程は、有機溶剤現像の前後どちらでも行うことができるが、有機溶剤現像工程の前に行うことがより好ましい。

【０２９９】

また、本発明は、上記した本発明のネガ型パターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法、及び、この製造方法により製造された電子デバイスにも関する。

本発明の電子デバイスは、電気電子機器（家電、ＯＡ・メディア関連機器、光学用機器及び通信機器等）に、好適に、搭載されるものである。」

オ　「【実施例】

【０３００】

以下に実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

【０３０１】

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＜１．光酸発生剤の合成＞

実施例及び比較例で用いた光酸発生剤（Ａ－１～Ａ－２３）を、以下の表３に示す。

なお、これらの光酸発生剤は、特開２００９－１６７１５６、特開２０１１－１６７９４、特開２０１１－２５１９６１、特開２０１１－１３４７９、特開２０１０－４４３７４の記載を参考に合成した。

【０３０２】

【表３】

【０３０３】

＜ 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の調製＞

下記表１に示す成分を溶剤に溶解させ、それぞれについて固形分濃度４質量％の溶液を調製し、これを０．０５μｍのポアサイズを有するポリエチレンフィルターで濾過して感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物（以下、レジスト組成物ともいう）を調製した。このレジスト組成物を、室温暗所に１ヶ月保管した後、下記の方法で評価し、結果を表１に示した。

表１における溶剤について、表中の数字は質量比である。

なお、表１において、レジスト組成物が疎水性樹脂（ＨＲ）を含有している場合、その使用形態を「添加」と標記した。レジスト組成物が疎水性樹脂（ＨＲ）を含有せず、膜を形成後、その上層に疎水性樹脂（ＨＲ）を含有するトップコート保護膜を形成させた場合、その使用形態を「ＴＣ」と標記した。

【０３０４】

【表４】

【０３０５】

【表５】

【０３０６】

【表６】

【０３０７】

【表７】

【０３０８】

上記表１中で使用した各種成分を以下にまとめて示す。

下記の各樹脂Ａ～Ｈについて、繰り返し単位の組成比はモル比である。

また、表１中の疎水性樹脂に関しては、上述した明細書中で例示した疎水性樹脂の番号を示す。

【０３０９】

【化６０】

【０３１０】

〔塩基性化合物〕

ＤＩＡ：２，６－ジイソプロピルアニリン

ＴＥＡ：トリエタノールアミン

ＤＢＡ：Ｎ，Ｎ－ジブチルアニリン

ＰＢＩ：２－フェニルベンズイミダゾール

ＰＥＡ：Ｎ－フェニルジエタノールアミン

【０３１１】

〔酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物〕

【０３１２】

【化６１】

【０３１３】

〔界面活性剤〕

Ｗ－１：メガファックＦ１７６（ＤＩＣ（株）製）（フッ素系）

Ｗ－２：メガファックＲ０８（ＤＩＣ（株）製）（フッ素及びシリコン系）

Ｗ－３：ＰＦ６３２０（ＯＭＮＯＶＡ　Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ　Ｉｎｃ．製）（フッ素系）

Ｗ－４：トロイゾルＳ－３６６（トロイケミカル（株）製）

【０３１４】

〔溶剤〕

Ａ１：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）

Ａ２：シクロヘキサノン

Ａ３：γ?ブチロラクトン

Ｂ１：プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）

Ｂ２：乳酸エチル

【０３１５】

＜評価＞

（パターン形成）

１２インチのシリコンウエハー上に有機反射防止膜ＡＲＣ２９ＳＲ（日産化学社製）を塗布し、２０５℃で、６０秒間ベークを行い、膜厚９８ｎｍの反射防止膜を形成した。その上に、上記で調製したレジスト組成物を塗布し、９５℃で、６０秒間ベークを行い、膜厚１２０ｎｍのレジスト膜を形成した。トップコートを用いる場合は、更にトップコート用樹脂をデカン／オクタノール（質量比９／１）に溶解させた３質量％の溶液を前述で得られたレジスト膜上に塗布し、８５℃で、６０秒間ベークを行い、膜厚５０ｎｍのトップコート層を形成した。

これに対し、ＡｒＦエキシマレーザー液浸スキャナー（ＡＳＭＬ社製　ＸＴ１７００ｉ、ＮＡ１．２０、Ｃ－Ｑｕａｄ、アウターシグマ０．９８１、インナーシグマ０．８９５、ＸＹ偏向）を用い、線幅４８ｎｍの１：１ラインアンドスペースパターンの６％ハーフトーンマスクを通して露光した。液浸液としては、超純水を使用した。その後、９０℃で６０秒間加熱した後、酢酸ブチルで３０秒間パドルして現像し、純水でパドルしてリンスした後、スピン乾燥してパターンを形成した。

【０３１６】

（ＬＷＲ評価）

上記で得られたライン／スペース＝１／１のラインパターン（ＡｒＦ液浸露光：線幅４８ｎｍ）について、走査型顕微鏡（日立社製Ｓ９３８０）で観察した。ラインパターンの長手方向のエッジ２μｍの範囲について、線幅を５０ポイント測定し、その測定ばらつきについて標準偏差を求め、３σを算出した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。

【０３１７】

（現像欠陥評価）

ケー・エル・エー・テンコール社製の欠陥検査装置ＫＬＡ２３６０（商品名）を用い、欠陥検査装置のピクセルサイズを０．１６μｍに、また閾値を２０に設定して、ランダムモードで測定し、比較イメージとピクセル単位の重ね合わせによって生じる差異から抽出される画像欠陥を検出して、単位面積（１ｃｍ２）あたりの現像欠陥数を算出し、以下の基準で４段階にて評価した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。

Ａ：０．２個／ｃｍ2未満

Ｂ：０．２個／ｃｍ2以上０．５個／ｃｍ2未満

Ｃ：０．５個／ｃｍ2以上１．０個／ｃｍ2未満

Ｄ：１．０個／ｃｍ2以上

【０３１８】

表１に示すように、本発明の組成物を用いた場合、長期保管後であっても現像欠陥の発生が抑制され、ＬＷＲの劣化も抑制されていた。

特に、２種のカチオン中のアニオンが共に、一般式（Ｂ－１）で表される実施例はすべて、現像欠陥が「Ａ」であった。

また、実施例９、３２及び３３と、他の実施例との比較から分かるように、２種の光酸発生剤中のカチオンとして一般式（Ｃ－３）で表されるカチオンと、一般式（Ｃ－１）又は一般式（Ｃ－２）で表されるカチオンとを使用した場合、ＬＷＲがより小さく、優れた結果が得られた。

また、樹脂（Ｂ）として一般式（ｎＩ）又は（ｎＩＩ）で表される繰り返し単位を有する「Ｈ」を使用した場合は、実施例２８と実施例３４との比較からも分かるように、ＬＷＲがより小さく、優れた結果が得られた。

一方、特許文献１の実施例欄に記載される比較例１では、現像結果が多く、かつ、ＬＷＲも大きかった。また、カチオンの種類が同じである比較例３や、所定の光酸発生剤が使用されていない比較例４においても、比較例１と同様に、現像結果が多く、かつ、ＬＷＲも大きかった。」

カ　上記ア～オによれば、引用文献１の【０３００】～【０３１８】には、実施例２４として、「シリコンウエハー上に」、「レジスト膜を形成し」、更に「トップコート層を形成し」、「ＡｒＦエキシマレーザー液浸スキャナーを用い、露光し」、「酢酸ブチルで現像し」た「レジストパターン形成方法」が記載されている。そして、引用文献１の【０３０３】～【０３０６】から、「トップコート層」は、「ＨＲ－５０」からなる「疎水性樹脂」を含有すると理解される。ここで、「ＨＲ－５０」の化学構造及び繰り返し単位のモル比は、それぞれ引用文献１の【０２４８】【化５７】及び【０２４９】【表１】に記載されたものである。

くわえて、引用文献１の【０００１】及び【０００８】には、当該文献において「本発明」とされる発明の技術分野及び発明の効果が記載されている。

以上勘案すると、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。

（イ）引用発明

「シリコンウエハー上に有機反射防止膜ＡＲＣ２９ＳＲを塗布し、反射防止膜を形成し、その上に、調製したレジスト組成物を塗布し、レジスト膜を形成し、更にトップコート用樹脂をデカン／オクタノール（質量比９／１）に溶解させた３質量％の溶液をレジスト膜上に塗布し、トップコート層を形成し、ＡｒＦエキシマレーザー液浸スキャナーを用い、露光し、９０℃で６０秒間加熱した後、酢酸ブチルで３０秒間パドルして現像し、純水でパドルしてリンスした後、スピン乾燥して形成したレジストパターン形成方法であって、

トップコート層は、疎水性樹脂（ＨＲ－５０）

を繰り返し単位のモル比（５０／５０）で含有し、

感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に係り、特に、異なるカチオンを有する２種以上の光酸発生剤を含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用い、

長期保管後も現像欠陥が生じにくく、ＬＷＲの劣化も抑制されるネガ型パターン形成方法。」

２　対比及び判断

（１）対比

本件補正後の請求項６に係る発明（以下「本願発明６」という。）と引用発明を対比すると、以下のとおりとなる。

ア　レジスト膜を形成する工程

引用発明の「シリコンウエハー上に有機反射防止膜ＡＲＣ２９ＳＲを塗布し、反射防止膜を形成し、その上に、調製したレジスト組成物を塗布し、レジスト膜を形成」する工程は、技術的にみて、本願発明６の「レジスト膜を形成する工程」に相当する。

イ　上層膜形成用組成物により上層膜を形成する工程

引用発明の「トップコート用樹脂」は、「ＨＲ－５０」を含み、「ＨＲ－５０」は、化学構造からみて、「ＨＲ－５０」のフッ素原子を含まない構造単位は、本願発明６の「脂環構造を含む第１構造単位」に相当し、「ＨＲ－５０」のフッ素原子を含む構造単位は、本願発明６の「第１構造単位以外のフッ素原子を含む第２構造単位」に相当する。そうすると、引用発明の「ＨＲ－５０」は、本願発明６の「同一の重合体中に、脂環構造を含む第１構造単位と、上記第１構造単位以外のフッ素原子を含む第２構造単位とを有する重合体成分」に相当する。また、引用発明の「ＨＲ－５０」は、その化学構造から、本願発明６の「上記第２構造単位が下記式（２）で表される基を含み」という要件を満たす。さらに、引用発明の「ＨＲ－５０」の「繰り返し単位のモル比」は、「５０／５０」であるから、本願発明６の「上記重合体成分を構成する全構造単位に対する上記第１構造単位の含有割合が、４０モル％以上９５モル％以下である」という要件を満たす。

さらに、引用発明の「トップコート用樹脂をデカン／オクタノール（質量比９／１）に溶解させた３質量％の溶液」は、「レジスト膜上に塗布」するものであるから、本願発明６の「上層膜形成用組成物」に相当し、「同一の重合体中に、脂環構造を含む第１構造単位と、上記第１構造単位以外のフッ素原子を含む第２構造単位とを有する重合体成分、及び溶媒を含有」するという要件を満たす。

そうしてみると、引用発明の「トップコート用樹脂をデカン／オクタノール（質量比９／１）に溶解させた３質量％の溶液をレジスト膜上に塗布し、トップコート層を形成」する工程は、本願発明６の「上記レジスト膜の一方の面に上層膜形成用組成物により上層膜を形成する工程」に相当する。

ウ　液浸露光する工程、現像する工程

引用発明は、

「シリコンウエハー上に」「反射防止膜を形成し、その上に、」「レジスト膜を形成し、更に」「、トップコート層を形成し、ＡｒＦエキシマレーザー液浸スキャナーを用い、露光し、」「酢酸ブチルで３０秒間パドルして現像」しており、上記露光工程ないし現像工程からみて、引用発明は、本願発明６の「上記上層膜が形成されたレジスト膜を液浸露光する工程、及び有機溶媒を含有する現像液で上記液浸露光されたレジスト膜を現像する工程」を具備する。

エ　ネガ型レジストパターン形成方法

引用発明の「ネガ型パターン形成方法」は、技術的にみて、本願発明６の「ネガ型レジストパターン形成方法」に相当する。

（２）　引用発明との一致点及び相違点

ア　一致点

本願発明６と引用発明は、次の構成で一致する。

「　レジスト膜を形成する工程、

上記レジスト膜の一方の面に上層膜形成用組成物により上層膜を形成する工程、

上記上層膜が形成されたレジスト膜を液浸露光する工程、及び

有機溶媒を含有する現像液で上記液浸露光されたレジスト膜を現像する工程

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を備え、

上記上層膜形成用組成物が、

同一の重合体中に、脂環構造を含む第１構造単位と、上記第１構造単位以外のフッ素原子を含む第２構造単位とを有する重合体成分、及び

溶媒

を含有し、

上記第２構造単位が下記式（２）で表される基を含み、

上記重合体成分を構成する全構造単位に対する上記第１構造単位の含有割合が、４０モル％以上９５モル％以下であるネガ型レジストパターン形成方法。

【化３】

（式（２）中、ＲＡは、水素原子又は炭素数１～２０の１価の有機基である。ＲＢ及びＲＣは、それぞれ独立して、フッ素原子又は炭素数１～２０のフッ素化アルキル基である。」

イ　相違点

本願発明６と引用発明は、次の点で相違する。

（相違点１）

本願発明６は、「重合体成分中のフッ素原子含有率が２質量％以上３０質量％以下であ」るのに対し、引用発明は、「ＨＲ－５０」の化学構造及び各構造単位のモル比から計算すると、重合体成分中のフッ素原子含有率が約３１．５％であり、重合体成分中のフッ素原子含有率が２質量％以上３０質量％以下でない点。

（相違点２）

本願発明６は、「同一の重合体中に、脂環構造を含む第１構造単位と、上記第１構造単位以外のフッ素原子を含む第２構造単位とを有する重合体成分」であって「上記脂環構造が多環構造であり、上記第２構造単位が下記式（２）で表される基を含」むのに対し、引用発明の「脂環構造を含む第１構造単位」における「脂環構造」が「多環構造」でない点。

（３）判断

事案に鑑みて、上記相違点２について検討する。

ア　引用文献１の記載（段落【０２４５】～【０２４６】等）を参酌すると、疎水性樹脂の具体例として、ＨＲ－２３のように脂環構造が多環構造である繰り返し単位を有する疎水性樹脂は記載されているものの、脂環構造が多環構造である繰り返し単位を有し、かつ、本願発明６の式（２）で表される基を含む構造単位を有する疎水性樹脂は記載されていない。また、脂環構造が多環構造である繰り返し単位と、本願発明６の式（２）で表される基を含む繰り返し単位とを同一の重合体中に有するとすべき動機も、引用文献１には記載されていない。

さらに、レジストパターン形成方法において、脂環構造が多環構造である繰り返し単位と、本願発明６の式（２）で表される基を含む繰り返し単位とを同一の重合体中に有することが、撥水性や欠陥抑制性の観点から好ましいという知見が、本件出願時における当業者の技術常識であったことを示す他の証拠もない。

以上総合すると、引用文献１に脂環構造が多環構造である繰り返し単位を有する疎水性樹脂が記載されているとしても、同一の重合体中に、脂環構造を含む第１構造単位と、上記第１構造単位以外のフッ素原子を含む第２構造単位とを有する重合体成分で、かつ上記脂環構造が多環構造であり、上記第２構造単位が下記式（２）で表される基を含むという、相違点２に係る本願発明の構成に当業者が容易に想到し得たとはいえない。

イ　本願発明６の効果として、本件出願の明細書の【００１０】には、本発明のネガ型レジストパターン形成方法によれば、低上層膜表面の撥水性を高めることができ、かつ現像欠陥の少ないレジストパターンを形成することができることが記載されている。そして、この効果は、本件出願の明細書の【０３３５】【表３】の実施例１４及び１５と、比較例１～５とを比較すると、後退接触角、剥がれ耐性、ブリッジ欠陥抑制性、断線欠陥抑制性が向上していることからも確認することができる。ここで、同一の重合体中に、脂環構造を含む第１構造単位と、上記第１構造単位以外のフッ素原子を含む第２構造単位とを有する重合体成分で、かつ上記脂環構造が多環構造であり、上記第２構造単位が下記式（２）で表される基を含むという構成が引用文献１に記載されていないことは上記アのとおりであるから、上記効果は、引用発明から当業者が予測し得る効果とはいえない。

ウ　以上ア～イのとおりであるから、上記相違点１について判断するまでもなく、本願発明６は、当業者が引用文献１に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。

（４）請求項７～８、１０～１２に係る発明について

本件出願の請求項７～８、１０～１２に係る発明は、いずれも、本願発明６に対してさらに他の発明特定事項を付加した発明であるから、本願発明６における全ての発明特定事項を具備するものである。

そうしてみると、前記（３）で述べたのと同じ理由により、これらの発明も、引用文献１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであるとはいえない。

（５）請求項１４～１５に係る発明について

本件出願の請求項１４に係る発明（以下「本願発明１４」という。その他の請求項に係る発明についても同様に称する。）も、前記「第１」「３」に記載したとおり、上層膜形成用組成物に関する発明であって、本願発明６と同じ、「同一の重合体中に、脂環構造を含む第１構造単位と、上記第１構造単位以外のフッ素原子を含む第２構造単位とを有する重合体成分、及び溶媒を含有し、上記重合体成分中のフッ素原子含有率が２質量％以上３０質量％以下であり、上記脂環構造が多環構造であり、上記第２構造単位が下記式（２）で表される基を含み、上記重合体成分を構成する全構造単位に対する上記第１構造単位の含有割合が、４０モル％以上９５モル％以下である」という発明特定事項を具備する発明である。また、本願発明１５は、本願発明１４に対してさらに他の発明特定事項が付加された発明であるから、前記発明特定事項を具備するものである。

そうしてみると、前記（３）で述べたのと同じ理由により、これらの発明も、引用文献１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであるとはいえない。

第３　むすび

以上のとおり、本件出願の請求項６～８、１０～１２、１４～１５に係る発明は、引用文献１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。

したがって、原査定の理由によっては、本件出願を拒絶することはできない。

また、他に本件出願を拒絶すべき理由を発見しない。

よって、結論のとおり審決する。