2020-001237

特願２０１５－２５７３７４「セラミック電子部品」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　７月　６日出願公開、特開２０１７－１２０８５４、請求項の数（４）〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は、平成２７年１２月２８日の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。 令和１年　５月２１日付け：拒絶理由通知書 令和１年　６月２７日　　：意見書の提出 令和１年１０月３１日付け：拒絶査定 令和２年　１月２９日　　：審判請求書、手続補正書の提出 令和２年　４月１６日　　：上申書の提出 第２　原査定の概要 原査定（令和１年１０月３１日付け拒絶査定）の拒絶の理由は、本願の請求項１ないし４に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載された技術事項に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。 引用文献１：特開２００６－２８７０４５号公報 引用文献２：特開２０１２－１２９５０８号公報 第３　審判請求時の補正について 令和２年１月２９日の審判請求時の補正は、特許法第１７条の２第３項から第６項までの要件に違反しているものとはいえない。 請求項１における「粒界相の平均厚み」について「１．５ｎｍ以下」という事項を追加する補正は、「粒界相の平均厚み」の上限値を特定するものであるから、同条第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものといえる。また、当該「１．５ｎｍ以下」という事項は、当初明細書の【００１８】に記載されており、当該補正は当初明細書に記載した事項の範囲内においてしたものといえるから、同条第３項の要件に適合する。さらに、当該補正は同条第４項の要件に適合する。 そして、「第４　本願発明」ないし「第６　対比・判断」で説示するように、補正後の請求項１ないし４に係る発明は、独立して特許を受けることができるものであるから、同条第６項の要件に適合する。 第４　本願発明 本願の請求項１ないし４に係る発明は、令和２年１月２９日提出の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。 「　　【請求項１】 誘電体層および電極層を有するセラミック電子部品であって、 前記誘電体層は、複数のセラミック粒子および前記複数のセラミック粒子間に存在する粒界相を有し、 前記セラミック粒子の主成分はチタン酸バリウムであり、 前記粒界相の平均厚みが１．０ｎｍ以上１．５ｎｍ以下、かつ、前記粒界相の厚みバラツキσが０．１ｎｍ以下であることを特徴とするセラミック電子部品。 【請求項２】 前記誘電体層は、チタン酸バリウム、イットリウム、マグネシウム、クロム、バナジウム、カルシウムおよびケイ素を含み、 前記チタン酸バリウムの含有量をＢａＴｉＯ３換算で１００モル部とした場合に、前記イットリウムの含有量がＹ２Ｏ３換算で１．０～１．５モル部、前記マグネシウムの含有量がＭｇＯ換算で１．８～２．５モル部、前記クロムの含有量がＣｒ２Ｏ３換算で０．２～０．７モル部、前記バナジウムの含有量がＶ２Ｏ５換算で０．０５～０．２モル部、前記カルシウムの含有量がＣａＯ換算で０．５～２．０モル部、前記ケイ素の含有量がＳｉＯ２換算で１．６５～３．０モル部である請求項１に記載のセラミック電子部品。 【請求項３】 前記セラミック粒子のｄ５０が０．４７μｍ以下である請求項１または２に記載のセラミック電子部品。 【請求項４】 前記誘電体層は希土類元素Ｒおよびケイ素を含有し、Ｒ２Ｏ３換算した前記Ｒの含有量をＳｉＯ２換算した前記ケイ素の含有量で割った値が０．４０以上、０．７９以下である請求項１～３のいずれかに記載のセラミック電子部品。」 第５　引用文献 １．引用文献１について 引用文献１には、図面とともに、以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。 （１）「【請求項１】 チタン酸バリウムを主成分とする誘電体層を有する電子部品であって、 前記誘電体層を形成する複数のセラミック粒子のうち、隣接するセラミック粒子間に存在する結晶粒界の厚さが１ｎｍ以下である粒子の割合が全体の３０％以上９５％以下であることを特徴とする電子部品。」 （２）「【００２９】 図１に示すように、本発明の電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサ１は、誘電体層２と内部電極層３とが交互に積層された構成のコンデンサ素子本体１０を有する。このコンデンサ素子本体１０の両側端部には、素子本体１０の内部で交互に配置された内部電極層３と各々導通する一対の外部電極４が形成してある。内部電極層３は、各側端面がコンデンサ素子本体１０の対向する２端部の表面に交互に露出するように積層してある。」 （３）「【００３６】 図２に示すように、本実施形態の誘電体層２は、複数の誘電体粒子（セラミック粒子）２０を有する。誘電体粒子２０の平均粒子径が０．３μｍ以下である。粒子径が小さくなることにより良好な信頼性を得ることができるが、誘電体粒子のサイズ効果により、高い誘電率を得ることが困難になる。従って、粒子径の下限は特に定義されない。しかしながら、小さい粒子径を得るためには小さい原料を用いる必要があり、その原料粉末が小さくなればなるほどその取り扱いが困難になるため、通常、セラミック粒子の平均粒子径は０．０５μｍ程度を下限とする。 【００３７】 誘電体粒子２０と誘電体粒子２０との間には、結晶粒界２２が存在し、本実施形態では、隣接するセラミック粒子間に存在する結晶粒界２２の厚さが１ｎｍ以下である粒子の割合が全体の３０％以上９５％以下である。好ましくは、隣接するセラミック粒子間に存在する結晶粒界の厚さが０．７５ｎｍ以下である粒子の割合が全体の４０％以上９０％以下である。」 上記（２）によれば、電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサ１は、誘電体層２と内部電極層３とを有する。 そして、上記（３）によれば、誘電体層２は、複数の誘電体粒子（セラミック粒子）２０を有する。また、誘電体粒子２０と誘電体粒子２０との間には結晶粒界２２が存在する。すなわち、セラミック粒子２０とセラミック粒子２０との間には結晶粒界２２が存在する。 ここで、誘電体層２は、上記（１）によれば、チタン酸バリウムを主成分とするから、誘電体層２が有するセラミック粒子２０の主成分はチタン酸バリウムであるといえる。 さらに、上記（３）によれば、結晶粒界２２の厚さが１ｎｍ以下である粒子の割合が全体の３０％以上９５％以下である。 以上によれば、引用文献１には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 「誘電体層２と内部電極層３とを有し、 誘電体層２は、複数のセラミック粒子２０を有し、セラミック粒子２０とセラミック粒子２０との間には結晶粒界２２が存在し、 セラミック粒子２０の主成分はチタン酸バリウムであり、 結晶粒界２２の厚さが１ｎｍ以下である粒子の割合が全体の３０％以上９５％以下である、積層セラミックコンデンサ１。」 ２．引用文献２について 引用文献２には、積層型セラミック電子部品に関して、図面とともに、以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。 （１）「【００３１】 ＜積層セラミックコンデンサ１＞ 図１に示すように、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、誘電体層２と、内部電極層３と、が交互に積層された構成のコンデンサ素子本体１０を有する。この素子本体１０の両端部には、素子本体１０の内部で交互に配置された内部電極層３と各々導通する一対の外部電極４が形成してある。素子本体１０の形状に特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよい。」 （２）「【００４６】 ＜誘電体粒子および粒界＞ 図２に示すように、誘電体層２は、誘電体粒子２０と、隣接する複数の誘電体粒子２０間に形成された粒界２２と、を含む。本実施形態では、誘電体粒子２０は、主成分粒子（ＡＢＯ３粒子）に対し、Ｒ元素、ＭｇやＳｉなどの副成分元素が固溶（拡散）した粒子であってもよい。」 （３）「【００６１】 本実施形態では、粒界２２の厚みの測定値の平均値は、好ましくは０ ．３～０．９ｎｍ、より好ましくは０．３～０．７ｎｍである。また、粒界２２の厚みの平均値と粒界の厚みの標準偏差とから、粒界２２の厚みのバラツキを示す指標であるＣ．Ｖ．値を算出したときに、Ｃ．Ｖ．値が好ましくは２５以下、より好ましくは２０以下である。なお、Ｃ．Ｖ．値は、下記に示す式より求められる。 Ｃ．Ｖ．値＝（標準偏差／平均値）×１００ ・・・（略）・・・ 【０１４６】 ＜粒界の厚みの平均値およびそのＣ．Ｖ．値＞ まず、コンデンサ試料を誘電体層に対して垂直な面で切断した。この切断面について、ＳＴＥＭ観察を行い、誘電体粒子と粒界との判別を行った。次いで、誘電体粒子とは異なるコントラストを有する領域の厚みを画像処理により算出した。この測定を、４０個の粒界について行い、各測定点における粒界の厚みの測定値から平均値を算出し、これを粒界の厚みの平均値とした。さらに粒界の厚みの測定値から標準偏差を求め、この標準偏差と平均値とから、下記に示す式を用いて、粒界の厚みのバラツキを示す指標となるＣ．Ｖ．値を算出した。 Ｃ．Ｖ．値＝（標準偏差／平均値）×１００ 結果を表４に示す。 【０１４７】 【表４】 【０１４８】 表４より、粒界の厚みの平均値が上述した範囲外である場合には（試料番号２４）、ｍ値が悪化する傾向にあることが確認できた。 【０１４９】 これに対し、粒界の厚みの平均値および粒界の厚みについてのＣ．Ｖ．値が上述した範囲内である場合には（試料番号４、２２、２３、２５～２７）、良好なｍ値が得られることが確認できた。」 上記（１）によれば、積層セラミックコンデンサ１は、誘電体層２と内部電極層３とを有する。 また、上記（２）によれば、誘電体層２は、誘電体粒子２０と、隣接する複数の誘電体粒子２０間に形成された粒界２２とを含む。 そして、上記（３）によれば、粒界２２の厚みの測定値の平均値は、好ましくは０ ．３～０．９ｎｍであり、Ｃ．Ｖ．値が好ましくは２５以下であるが、試料番号２４として、粒界の厚みの平均値が１．０ｎｍ、Ｃ．Ｖ．値が１５であるコンデンサ試料が記載されている。ここで、Ｃ．Ｖ．値＝（標準偏差／平均値）×１００であるから、試料番号２４の標準偏差は前記平均値とＣ．Ｖ．値とから０．１５ｎｍと求まる。 以上によれば、引用文献２には、次の技術事項が記載されている。 「積層セラミックコンデンサにおいて、誘電体層は隣接する複数の誘電体粒子２０間に形成された粒界を含み、粒界の厚みの平均値が１．０ｎｍであり、標準偏差が０．１５ｎｍであること。」 第６　対比・判断 １．請求項１について （１）対比 本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）と引用発明とを対比する。 ア　引用発明の「積層セラミックコンデンサ１」は、本願発明の「セラミック電子部品」に相当する。 イ　引用発明の「積層セラミックコンデンサ１」は「誘電体層２と内部電極層３とを有」するところ、「誘電体層２」と「内部電極層３」は、本願発明の「誘電体層」と「電極層」に相当する。したがって、引用発明と本願発明の「セラミック電子部品」は「誘電体層および電極層を有する」点で共通する。 ウ　引用発明の「誘電体層２は、複数のセラミック粒子２０を有し、セラミック粒子２０とセラミック粒子２０との間には結晶粒界２２が存在」するところ、「セラミック粒子２０」は、本願発明の「セラミック粒子」に相当する。また、引用発明の「結晶粒界２２」はセラミック粒子２０とセラミック粒子２０との間に存在するから、本願発明の「粒界相」に相当する。したがって、引用発明と本願発明は「前記誘電体層は、複数のセラミック粒子および前記複数のセラミック粒子間に存在する粒界相を有」する点で共通する。 エ　引用発明の「セラミック粒子２０の主成分はチタン酸バリウムであ」ることは、本願発明の「前記セラミック粒子の主成分はチタン酸バリウムであ」ことに相当する。 オ　本願発明は「前記粒界相の平均厚みが１．０ｎｍ以上１．５ｎｍ以下、かつ、前記粒界相の厚みバラツキσが０．１ｎｍ以下である」のに対して、引用発明の厚さが１ｎｍ以下である粒子の割合が全体の３０％以上９５％以下である「結晶粒界２２」について、平均厚みが１．０ｎｍ以上１．５ｎｍ以下であるのかどうか不明であり、また、厚みバラツキσが特定されていない点で相違する。 したがって、本願発明と引用発明は 「誘電体層および電極層を有するセラミック電子部品であって、 前記誘電体層は、複数のセラミック粒子および前記複数のセラミック粒子間に存在する粒界相を有し、 前記セラミック粒子の主成分はチタン酸バリウムであることを特徴とするセラミック電子部品。」 の点で一致し、以下の点で相違する。 （相違点） 本願発明は「前記粒界相の平均厚みが１．０ｎｍ以上１．５ｎｍ以下、かつ、前記粒界相の厚みバラツキσが０．１ｎｍ以下である」のに対して、引用発明の厚さが１ｎｍ以下である粒子の割合が全体の３０％以上９５％以下である「結晶粒界２２」について、平均厚みが１．０ｎｍ以上１．５ｎｍ以下であるのかどうか不明であり、また、厚みバラツキσが特定されていない点。 （２）相違点についての判断 引用発明の「結晶粒界２２」は、厚さが１ｎｍ以下である粒子の割合が全体の３０％以上９５％以下であるところ、例えば厚さが１ｎｍ以下である粒子の割合が５０％以下、すなわち厚さが１ｎｍ以上の割合が５０％以上であっても、厚さの分布次第で必ずしも平均厚みが１ｎｍ以上になるとは限らない。そうすると、引用発明の「結晶粒界２２」について、平均厚みが１．０ｎｍ以上１．５ｎｍ以下であるとまではいえない。仮に１．０ｎｍ以上１．５ｎｍ以下の範囲にあるとしても厚みバラツキσについて特定されていない。 この点について、引用文献２には、積層セラミックコンデンサにおいて、誘電体層に含まれる粒界の厚みの平均値が１．０ｎｍであり、標準偏差が０．１５ｎｍであることが記載されている。 そして、本願明細書の【００２２】によれば「粒界相２０の厚みの標準偏差が厚みバラツキσである」から、引用文献２に記載されている積層セラミックコンデンサの粒界の標準偏差は厚みバラツキσといえる。しかし、当該厚みバラツキσは０．１ｎｍを超えるものである。 したがって、たとえ引用発明に引用文献２に記載された技術事項を適用することができたとしても、相違点に係る構成を導き出すことはできない。 よって、本願発明は、引用発明及び引用文献２に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 ２．請求項２ないし４について 請求項２ないし４は、請求項１を引用しているから、請求項２ないし４に係る発明は、本願発明の発明特定事項を全て含むものである。したがって、本願発明と同じ理由により、請求項２ないし４に係る発明は、引用発明及び引用文献２に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることできたものとはいえない。 第７　原査定について 上記「第４　本願発明」ないし「第６　対比・判断」で説示したように、本願の請求項１ないし４に係る発明は、引用発明及び引用文献２に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。したがって、原査定の拒絶の理由を維持することはできない。 第８　むすび 以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。 また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。