2019-014883

特願２０１８－　３９４９４「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年　７月１９日出願公開、特開２０１８－１１３４５９、請求項の数（３）〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は，平成２３年３月３１日に出願された特願２０１１－７８５８５号（優先権主張　平成２２年４月２日）の一部を平成２７年４月６日に新たな特許出願とした特願２０１５－７７４６３号の一部を平成２９年１月９日に新たな特許出願とした特願２０１７－１５１５号の一部を平成３０年３月６日に新たな特許出願としたものであって，その手続きの経緯は以下のとおりである。 平成３０年１２月２１日付け：拒絶理由通知 平成３１年３月１日　　　　：意見書及び手続補正書の提出 平成３１年４月２６日付け　：最後の拒絶理由通知 令和元年７月１０日　　　　：意見書及び手続補正書の提出 令和元年７月３１日付け　　：補正却下（令和元年７月１０日提出の手続補正書）及び拒絶査定 令和元年１１月６日　　　　：審判請求書及び手続補正書の提出 第２　原査定の概要 原査定（令和元年７月３１日付け拒絶査定）の概要は,本願の請求項１～２に係る発明は，以下の引用例１～４に基づいて，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下，「当業者」という。）が容易に発明できたものであり，本願の請求項３～４に係る発明は，以下の引用例１～５に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない（理由１），というものであり，さらに，本願の請求項３～４の記載は明確でない（理由２），というものである。 引用例一覧 １．特開２０１０－０１６３４７号公報 ２．特開２０１０－０６７９５４号公報 ３．特開２００９－２１２５２０号公報 ４．特開２００５－０３３１７２号公報 ５．特開２００９－２３１６１３号公報 第３　本願発明 本願の請求項１～３に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」～「本願発明３」という。）は，令和元年１１月６日提出の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１～３に記載された事項により特定される発明であり，以下のとおりの発明である。 「【請求項１】 インジウムとガリウムと亜鉛と酸素を有する酸化物半導体膜と， 前記酸化物半導体膜上のゲート電極と， 前記ゲート電極と前記酸化物半導体膜との間のゲート絶縁膜と， 前記酸化物半導体膜上のソース電極及びドレイン電極と， 前記酸化物半導体膜の下面と接する金属酸化物膜と， 前記金属酸化物膜の下面と接する絶縁膜と，を有し， 前記酸化物半導体膜は，前記ゲート絶縁膜と接する領域を有し， 前記酸化物半導体膜及び前記ゲート絶縁膜は，前記ゲート電極と前記金属酸化物膜とに挟まれ， 前記絶縁膜は，窒化シリコンを有し， 前記金属酸化物膜は，ガリウムと酸素を有し， 前記金属酸化物膜のエネルギーギャップは，前記酸化物半導体膜のエネルギーギャップよりも大きいことを特徴とする半導体装置。 【請求項２】 インジウムとガリウムと亜鉛と酸素を有する酸化物半導体膜と， 前記酸化物半導体膜上のゲート電極と， 前記ゲート電極と前記酸化物半導体膜との間のゲート絶縁膜と， 前記酸化物半導体膜上のソース電極及びドレイン電極と， 前記酸化物半導体膜の下面と接する金属酸化物膜と， 前記金属酸化物膜の下面と接する絶縁膜と，を有し， 前記酸化物半導体膜は，前記ゲート絶縁膜と接する領域を有し， 前記酸化物半導体膜及び前記ゲート絶縁膜は，前記ゲート電極と前記金属酸化物膜とに挟まれ， 前記絶縁膜は，窒化シリコンを有し， 前記金属酸化物膜は，ＧａＯｘを有し， 前記金属酸化物膜のエネルギーギャップは，前記酸化物半導体膜のエネルギーギャップよりも大きいことを特徴とする半導体装置。 【請求項３】 請求項１又は請求項２において， 前記金属酸化物膜は，０原子％を超えて２０原子％以下の濃度の不純物元素を含むことを特徴とする半導体装置。」 第４　引用例の記載と引用発明 １．引用例１について （１）引用例１の記載事項 原査定の拒絶の理由に引用された引用例１には，図２とともに次の事項が記載されている。（下線は当審による。以下同じ。） 「【００２３】 図２は，本発明の第２実施形態に係る薄膜トランジスタを説明する断面図であって，上部ゲート構造の他の例を示す。 【００２４】 基板２０上にバッファ層２１が形成され，バッファ層２１上にソース電極２２ａ及びドレイン電極２２ｂが形成される。ソース電極２２ａ及びドレイン電極２２ｂを含む基板２０上には界面安定化層２３及び酸化物半導体からなる活性層２４が順次形成される。活性層２４を含む上部にはゲート絶縁層２５が形成され，活性層２４上部のゲート絶縁層２５上にはゲート電極２６が形成される。」 「【００２７】 前記実施形態において，活性層１３，２４，３４は両側部がソース電極１２ａ，２２a，３２ａ及びドレイン電極１２ｂ，２２ｂ，３２ｂと一部重なり，チャネル領域がゲート電極１６，２６，３７と重なるように配置される。活性層１３，２４，３４を構成する酸化物半導体は，酸化亜鉛（ＺｎＯ）を含み，ガリウム（Ｇａ），インジウム（Ｉｎ），錫（Ｓｎ），ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ），カドミウム（Ｃｄ），銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ），ゲルマニウム（Ｇｅ），ガドリニウム（Ｇｄ）及びバナジウム（Ｖ）のうちの少なくとも１つのイオンがドーピングされ得る。活性層１３，２４，３４は，例えば，ＺｎＯ，ＺｎＧａＯ，ＺｎＩｎＯ，ＺｎＳｎＯ，ＧａＩｎＺｎＯ，ＣｄＯ，ＩｎＯ，ＧａＯ，ＳｎＯ，ＡｇＯ，ＣｕＯ，ＧｅＯ，ＧｄＯ，ＨｆＯなどで形成される。 【００２８】 界面安定化層１４，２３，３３，３５は，活性層１３，２４，３４と同等であるか，活性層１３，２４，３４より大きいバンドギャップ，例えば，３.０～８.０ｅＶのバンドギャップを有する酸化物であって，ＳｉＯｘ，ＳｉＮ，ＳｉＯｘＮｙ，ＳｉＯｘＣｙ，ＳｉＯｘＣｙＨｚ，ＳｉＯｘＦｙ，ＧｅＯｘ，ＧｄＯｘ，ＡｌＯｘ，ＧａＯｘ，ＳｂＯ，ＺｒＯｘ，ＨｆＯｘ，ＴａＯｘ，ＹＯｘ，ＶＯｘ，ＭｇＯｘ，ＣａＯｘ，ＢａＯｘ，ＳｒＯｘ及びＳＯＧ（spin on glass）からなる群より選択されることができる。 【００２９】 図１～図３に示すように，本発明の薄膜トランジスタは，活性層１３，２４，３４の一面又は両面に界面安定化層１４，２３，３３，３５が備えられる。界面安定化層１４，２３，３３，３５は，３.０～８.０ｅＶのバンドギャップを有する酸化物からなる。界面安定化層１４，２３，３３，３５のバンドギャップが活性層１３，２４，３４のバンドギャップ，例えば，３.０ｅＶより小さければ電荷が容易に抜け出すため，チャネルのキャリアを効果的に利用できなくなり，バンドギャップが８.０ｅＶより大きくなれば，高い絶縁特性により電気的特性が低下する。酸化物を含む界面安定化層１４，２３，３３，３５は，ゲート絶縁層１５，２５，３６及び保護層（図示せず）と同質性を有するため，化学的に高い界面安全性を維持し，活性層１３，２４，３４と同等であるか，活性層１３，２４，３４より大きいバンドギャップを有するため，物理的に電荷トラップを抑止する。 【００３０】 電荷トラップの抑止効果を高めるためには，界面安定化層１４，２３，３３，３５の水素濃度を１０+１９／cm３以下に調節することが好ましい。界面安定化層１４，２３，３３，３５の水素濃度が１０+１９／cm３より高ければ，水素が活性層１３，２４，３４の表面部に侵入（拡散）してトラップとして作用するため，活性層１３，２４，３４の電気的特性が低下し得る。界面安定化層１４，２３，３３，３５の水素濃度を１０+１９／cm３以下に調節するためには，化学蒸着方法よりはスパッタリング蒸着方法のような物理蒸着方法を利用することが好ましい。 【００３１】 また，本発明の界面安定化層１４，２３，３３，３５は，チャネル領域の活性層１３，２４，３４を保護すると同時に後続する熱処理過程でキュアリング（curing）効果を高めるため，活性層１３，２４，３４の被害を回復させる役割もする。 【００３２】 活性層２４，３４と，ソース電極２２ａ，３２ａ及びドレイン電極２２ｂ，３２ｂとの間に介在される界面安定化層２３及び３３は，ソース電極２２ａ，３２ａ及びドレイン電極２２ｂ，３２ｂと活性層１３，２４，３４の接触抵抗が低く維持されるように１００Å以下の厚さ，好ましくは１０～２０Åの厚さで形成されることが好ましい。そして，活性層１３，３４上部面の界面安定化層１４，３５は，活性層１３，３４を十分に保護し，界面安全性を維持できるように５０～５０００Åの厚さで形成されることが好ましい。」 「【００３４】 まず，図４ａに示すように，基板３０上にＭｏ，ＭｏＷ，Ａｌ，ＡｌＡｄ，ＡｌＬｉＬａなどで導電層を形成した後，パターニングしてソース電極３２ａ及びドレイン電極３２ｂを形成する。このとき，不純物の拡散などを防止するために，基板３０上にバッファ層３１を形成し，バッファ層３１上にソース電極３２ａ及びドレイン電極３２ｂを形成できる。基板３０としては，シリコン（Ｓｉ）などの半導体基板，ガラスやプラスチックなどの絶縁基板又は金属基板を用いることができる。」 引用例１の図２として，次の図面が示されている。 （２）摘記の整理と引用発明 以上の摘記を整理すると，引用例１には次の事項が記載されているものと理解できる。 ・酸化物半導体からなる活性層２４の上部にゲート絶縁層２５が形成され，活性層２４上部のゲート絶縁層２５上にはゲート電極２６が形成されること。（段落［００２２］及び図２） ・酸化物半導体からなる活性層２４の下面に接して界面安定化層２３が形成され，界面安定化層２３下にソース電極２２ａ及びドレイン電極２２ｂが形成され，界面安定化層２３，ソース電極２２ａ及びドレイン電極２２ｂの下面に接して，バッファ層２１が形成されること。（段落［００２２］及び図２） ・酸化物半導体からなる活性層２４が，ＧａＩｎＺｎＯから形成されること。（段落［００２７］） ・界面安定化層２３がＧａＯｘから形成されること。（段落［００２８］） ・界面安定化層２３が，活性層２４よりも大きいバンドギャップを有すること。（段落［００２８］，［００２９］） 上記によれば，上記引用例１には次の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。 「ＧａＩｎＺｎＯから形成される活性層２４と， 前記活性層２４上部のゲート絶縁膜２５と， 前記活性層２４上部のゲート絶縁膜２５上のゲート電極２６と， 前記活性層２４の下面と接する界面安定化層２３と， 前記界面安定化層２３下のソース電極２２ａ及びドレイン電極２２ｂと， 前記界面安定化層２３，前記ソース電極２２ａ及び前記ドレイン電極２２ｂの下面に接するバッファ層２１と，を有し， 前記界面安定化層２３はＧａＯｘから形成され， 前記界面安定化層２３のバンドギャップは，前記活性層２４のバンドギャップよりも大きい， 薄膜トランジスタ。」 ２．引用例２～４について （１）原査定の拒絶の理由に引用された上記引用例２には，図２とともに次の記載がある。 「【００６３】 実施例１及び比較例１～４ １．ＴＦＴ素子の作製 （実施例１） 本発明のＴＦＴ素子１の作製 下記により図２の構成のＴＦＴ素子１を作製した。 ・基板２１：厚さ１２５μｍのポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フイルムを用いた。 ・絶縁層２６：ＳｉＯＮを５００ｎｍの厚みにスパッタリング蒸着法により蒸着した。 ・ゲート電極２２：厚さ４０ｎｍのモリブデン層をスパッタリング蒸着法により成膜し，フォトリソグラフィー法およびエッチングによりストライプ状のゲート電極を形成した。 ・ゲート絶縁膜２３：アクリル樹脂をスピンコートした後，焼成して０．５μｍ厚のゲート絶縁膜２３を形成した。 【００６４】 ・中間層７：ゲート絶縁膜２３上に，ＳｉＯ２を，メタルマスクを介して室温でスパッタリング蒸着法により成膜し，厚さ２０ｎｍの中間層７を形成した。 【００６５】 ・ソース電極５－２１，ドレイン電極５－２２：中間層７の上に，酸化亜鉛インジウム（出光興産）をターゲットとして，室温でＲＦスパッタリング法によって，厚さ２００ｎｍでベタ状に成膜し，次にフォトリソグラフィー法およびエッチングにより，ゲート電極と直交するストライプ状酸化亜鉛インジウム電極に加工した（この段階ではソースドレイン電極は分離されていない）。次に，前記ストライプ状酸化亜鉛インジウム電極の上にネガレジストを塗布し，基板側から露光してレジストを固め，シュウ酸をエッチング液として，エッチングを行った。この結果，ソース電極５?２１とドレイン電極５?２２が，ゲート電極に対して自己整合的に形成された。 【００６６】 ・第１界面層２６１：中間層７上および，ソース電極５－２１，ドレイン電極５－２２の上に，ＩｎＧａＺｎＯ４（ＩＧＺＯと略記する）の組成を有するターゲットを使い，酸素導入ＲＦマグネトロンスパッタ法により，ＩＧＺＯを，メタルマスクを介して室温成膜し，厚さ０．７ｎｍの第１界面層２６１を形成した。 【００６７】 ・活性層２４：第１界面層２６１の上に，１０質量％ＺｎＯを含有するＩｎ３Ｏ２（ＩＺＯと略記する）の組成を有するターゲットを使い，酸素導入ＲＦマグネトロンスパッタ法により，ＩＺＯを，メタルマスクを介して室温成膜し，厚さ１０ｎｍの活性層２４を形成した。 【００６８】 ・第２界面層２６２：活性層２４の上に，ＩＧＺＯの組成を有するターゲットを使い，酸素導入ＲＦマグネトロンスパッタ法により，ＩＧＺＯを，メタルマスクを介して室温成膜し，厚さ４０ｎｍの第２界面層２６２を形成した。」 引用例２の図２として以下の図が示されている。 以上によれば，引用例２には次の事項が開示されているといえる。 ・基板上に形成されたＳｉＯＮ絶縁膜と，その上に形成された活性層２４を有するＴＦＴ。 （２）原査定の拒絶の理由に引用された上記引用例３には，図１とともに次の記載がある。 「【００１９】 本発明による薄膜トランジスタは、１２ＣａＯ・７Ａｌ２Ｏ３（Ｃ１２Ａ７）で形成された非晶質膜のチャンネル層を備える。前記チャンネル層を備えた本発明による薄膜トランジスタの一具現例は、図１に示されている。 【００２０】 図１において，基板１１には，ＢａＴｉＯ３，ＬａＡｌＯ３，ＭｇＯなどの金属酸化物，ＳＵＳ基板，ガラス基板またはプラスチック基板が使われる。前記基板の上部には，ＳｉＯｘなどで形成されたバッファ層１１´が形成される。このバッファ層１１’は省略されてもよい。前記バッファ層上に形成されたゲート電極１２は，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｌ，Ｍｏ，Ｎｄ，Ｗ，ＩＴＯ及びＩＺＯからなる群から選択された一つ以上の金属または合金で形成されるが，これらに限定されるものではない。前記金属のうち二つ以上の金属の合金で形成されることも可能である。絶縁層１３は，前記ゲート電極を覆うように形成されている。前記絶縁層１３の上部には，ソース及びドレイン電極１４ａ及び１４ｂがそれぞれ形成されている。このソース及びドレイン電極１４ａ及び１４ｂは，図１に示すように，一定部分のゲート電極１２と重なるようにするが，必ずしもこれに限定されるものではない。前記ソース及びドレイン電極１４ａ及び１４ｂは，例えば，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｏｓ，ＩＴＯ，Ｍｏ，ＭｏＷ，ＩＺＯ，Ａｌ及びＴｉからなる群から選択された一つ以上の金属または合金で形成されるが，これらに限定されるものではない。前記金属のうち二つ以上の金属の合金も使用可能である。前記ソース及びドレイン電極１４ａ及び１４ｂの間には，ソース／ドレイン領域を電気的に連結するチャンネル層１５が形成される。一方，図１には，チャンネル層１５がソース及びドレイン電極１４ａ及び１４ｂの下部に形成されているが，チャンネル層１５がソース及びドレイン電極１４ａ及び１４ｂの上部に形成されてもよい。」 引用例３の図１として，以下の図が示されている。 以上によれば，引用例３には次の事項が記載されているといえる。 ・基板の上部にＳｉＯｘなどで形成されたバッファ層１１‘と，その上に形成されたチャネル層１５を有する薄膜トランジスタ。 （３）原査定の拒絶の理由に引用された上記引用例４には，図６とともに次の記載がある。 「【００６０】 図６（ａ）ないし（ｃ）に示すように，半導体装置としての薄膜トランジスタ１１は，絶縁性基板１２上に形成された下地絶縁層１３上にソース電極１４とドレイン電極１５が間隔をおいて形成され，それらの上に半導体層１６，ゲート絶縁層１７，ゲート電極１８が順次積層され，さらに半導体層１６，ゲート絶縁層１７およびゲート電極１８を覆う保護層１９が形成され，スタガ型の構造を成している。この薄膜トランジスタ１１において，半導体層１６，ゲート絶縁層１７およびゲート電極１８は，同じ形状（図６（ａ）に示す半導体層１６の形状）にパターンニングされて積層されている。 【００６１】 この薄膜トランジスタ１１が表示装置（例えば，実施形態４のアクティブマトリクス型液晶表示装置）に用いられる場合は，ドレイン電極１５が絵素電極に接続されるか，もしくはドレイン電極１５と絵素電極とが透明導電膜で一体的に形成される。 【００６２】 下地絶縁層１３は，絶縁物としてのＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＡｌＮ，ＭｇＯ，Ｔａ２Ｏ５，ＴｉＯ２，ＺｒＯ２，ｓｔａｂ?ＺｒＯ２，ＣｅＯ２，Ｋ２Ｏ，Ｌｉ２Ｏ，Ｎａ２Ｏ，Ｒｂ２Ｏ，Ｉｎ２Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３，Ｓｃ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，ＫＮｂＯ３，ＫＴａＯ３，ＢａＴｉＯ３，ＣａＳｎＯ３，ＣａＺｒＯ３，ＣｄＳｎＯ３，ＳｒＨｆＯ３，ＳｒＳｎＯ３，ＳｒＴｉＯ３，ＹＳｃＯ３，ＣａＨｆＯ３，ＭｇＣｅＯ３，ＳｒＣｅＯ３，ＢａＣｅＯ３，ＳｒＺｒＯ３，ＢａＺｒＯ３，ＬｉＧａＯ２，ＬｉＧａＯ２の混晶系（Ｌｉ１－（ｘ＋ｙ）ＮａｘＫｙ）（Ｇａ１－ｚＡｌｚ）Ｏ２またはこれらのうち少なくとも２つを含む固溶体を用いて形成されている。この下地絶縁層１３は，半導体層１６の下端面におけるソース電極１４およびドレイン電極１５と界面を形成する領域以外の領域と界面を形成している。」 引用例４の図６（ｂ）として以下の図が示されている。 以上によれば，引用例４には次の事項が記載されている。 ・絶縁性基板１２上に形成された下地絶縁層１３上に半導体層１６が形成された薄膜トランジスタ１１。 ３．引用例５について 原査定の拒絶の理由に引用された上記引用例５には，次の記載がある。 「【００３６】 ２）抵抗層 本発明に用いられる抵抗層のバンドギャップが４．０ｅＶ以上１５．０ｅＶ未満である。好ましくは，抵抗層が，Ｇａ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｃａ，及びＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素を含む酸化物を含有する。より好ましくは，Ｇａ，Ｍｇ，Ａｌ，又はＣａを含む酸化物，さらに好ましくは，Ｇａ，Ｍｇ，又はＡｌを含む酸化物である。 【００３７】 具体的に本発明の抵抗層に係るアモルファス酸化物は，Ｇａ２Ｏ３，ＭｇＯ，Ａｌ２Ｏ３，または，以上の酸化物を２種以上を混合した酸化物である。 【００３８】 ＜バンドギャップ＞ 本発明の抵抗層は，バンドギャップが４．０ｅＶ以上１５．０ｅＶ未満であり，好ましくは４．２ｅＶ以上１２．０ｅＶ以下，より好ましくは４．５ｅＶ以上１０．０ｅＶ以下である。本発明の抵抗層のバンドギャップは，下記により調製（調整）される。 例えば，Ｇａ２Ｏ３（４．６ｅＶ）とＭｇＯ（８．０ｅＶ）の二種の混合物であれば，Ｇａの比率が高い場合バンドギャップは小さくなり，Ｍｇの比率が高い場合バンドギャップは大きくなる。」 以上によれば，引用例５には次の事項が記載されているといえる。 ・抵抗層にＧａ，Ｍｇ，Ａｌを含む酸化物を用いること。また，Ｇａ２Ｏ３とＭｇＯの二種の混合物であれば，Ｇａの比率が高い場合バンドギャップは小さくなり，Ｍｇの比率が高い場合バンドギャップは大きくなること。 第５　対比・判断 １．本願発明１について １．１　対比 本願発明１と引用発明１とを比較する。 ・引用発明１における「活性層２４」が，本願発明１における「酸化物半導体膜」に相当し，以下同様に，「ゲート電極２６」が「ゲート電極」に，「ゲート絶縁膜２５」が「ゲート絶縁膜」に，「ソース電極２２ａ」が「ソース電極」に，「ドレイン電極２２ｂ」が「ドレイン電極」に，「界面安定化層２３」が「金属酸化物膜」に，「バッファ層２１」が「絶縁膜」に，「薄膜トランジスタ」が「半導体装置」に，それぞれ相当する。 ・引用発明１において，活性層２４の上部にゲート絶縁膜２５が形成され，前記活性層２４上部のゲート絶縁膜２５上にゲート電極２６が形成されていることが特定されている。また，引用例１の図２から,活性層２４とゲート絶縁膜２５が接することは明らかである。そうすると，本願発明１と引用発明１は，ともに「前記酸化物半導体膜は，前記ゲート絶縁膜と接する領域を有し」，かつ，「前記酸化物半導体膜及び前記ゲート絶縁膜は，前記ゲート電極と前記金属酸化物膜とに挟まれ」る構成である点で一致する。 ・引用発明１における「前記界面安定化層２３のバンドギャップは，前記活性層２４のバンドギャップよりも大きい」との事項は，本願発明１における「前記金属酸化物膜のエネルギーギャップは，前記酸化物半導体膜のエネルギーギャップよりも大きい」との事項に相当する。 以上によれば，本願発明１と引用発明１の一致点，相違点は以下のとおりである。 ＜一致点＞ 「インジウムとガリウムと亜鉛と酸素を有する酸化物半導体膜と， 前記酸化物半導体膜上のゲート電極と， 前記ゲート電極と前記酸化物半導体膜との間のゲート絶縁膜と， 前記酸化物半導体膜上のソース電極及びドレイン電極と， 前記酸化物半導体膜の下面と接する金属酸化物膜と， 前記金属酸化物膜の下面と接する絶縁膜と，を有し， 前記酸化物半導体膜は，前記ゲート絶縁膜と接する領域を有し， 前記酸化物半導体膜及び前記ゲート絶縁膜は，前記ゲート電極と前記金属酸化物膜とに挟まれ， 前記絶縁膜は，窒化シリコンを有し， 前記金属酸化物膜は，ガリウムと酸素を有し， 前記金属酸化物膜のエネルギーギャップは，前記酸化物半導体膜のエネルギーギャップよりも大きいことを特徴とする半導体装置。」 ＜相違点１＞ 本願発明１では，「ソース電極及びドレイン電極」が「酸化物半導体膜上」にあるのに対し，引用発明１では，「活性層２４」の下にある点。 ＜相違点２＞ 本願発明１では，「前記絶縁膜は，窒化シリコンを有し」ているのに対し，引用発明１では，「バッファ層２１」の材料が特定されていない点。 １．２　相違点についての判断 事案に鑑み，相違点２について先に検討する。 上記第４の２．（１）～（３）に摘記した引用例２～４の記載によれば，薄膜トランジスタ技術において，基板と活性層との間に下地の絶縁膜を形成する技術は周知技術であり，さらに，当該絶縁膜の材料としてＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）を用いることが知られていたものと認められる。 しかしながら，引用例２～４には，下地の絶縁膜として「窒化シリコン」を用いることは記載されていない。 また，本願明細書段落[００４１]によれば，本願発明における「絶縁膜」は，金属酸化物膜と接触させることによってその界面に電荷の捕獲中心を形成し，電荷を絶縁膜と金属酸化物膜との界面に捕獲することで，金属酸化物膜と酸化物半導体膜の界面での電荷捕獲を十分に抑制するとの作用効果を有するものであり，本願明細書段落［００４２］によれば，本願発明１における「窒化シリコン」は，当該作用効果を有する膜として選択されたものであると認められる。 一方，引用例１～４には「絶縁膜」として「窒化シリコン」を選択することによる上記の作用効果について記載されていない。 そうすると，たとえ下地の絶縁膜として「酸窒化シリコン」を用いることが知られていたとしても，当業者が「窒化シリコン」を選択することによる上記の作用効果について予見し得ない以上，引用発明１において「バッファ層」として特に「窒化シリコン」を選択する動機があると認めることはできない。 なお，引用例５には抵抗層の組成についての記載はあるものの，下地の絶縁層として窒化シリコンを採用することは記載されていない。 したがって，本願発明１は，相違点１について検討するまでもなく，引用例２～４に示される周知技術及び引用例５に記載された事項に照らし，引用発明１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 ２．本願発明２～３について 本願発明２～３も，上記相違点２に係る構成，すなわち，本願発明１の「前記絶縁膜は，窒化シリコンを有し」との構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，上記引用例２～５に示される周知技術に照らし引用発明１に基づいて当業者が容易に発明できたものとはいえない。 第６　原査定について １．理由１について 審判請求時の補正により，本願発明１～３は，「前記絶縁膜は，窒化シリコンを有し」という事項を有するものとなっており，当業者であっても，拒絶査定において引用された引用例１～５に基づいて，容易に発明できたものとはいえない。したがって，原査定の理由１を維持することはできない。 ２．理由２について 審判請求時の補正により，本願の請求項３の「新規性」との語句は削除され，本願の請求項３～４の記載は不明確ではなくなった。したがって，原査定の理由２を維持することはできない。 第７　結言 以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。 また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって，結論のとおり審決する。