2019-014445

第２　本願発明

本願請求項１ないし６に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明６」という。）は，令和２年１０月５日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定される発明であり，本願発明１は以下のとおりの発明である。

「【請求項１】

基板を保持するために成膜装置に用いられるサセプタであって，

該基板を保持する基板保持部と，該基板保持部を支持する支持部とが，一体にまたは別体で備えられており，基板側表面の外周形状が略半円状であり，前記成膜装置が，ミストを用いており，さらに，前記成膜装置が，管状炉を備えており，前記サセプタが該管状炉内の前記基板を保持するために用いられるものであり，且つ，前記支持部が前記基板を傾斜姿勢で支持し，前記サセプタが，前記ミストを前記基板まで加速上昇させることができるように構成されていることを特徴とするサセプタ。」

なお，本願発明２ないし６は，本願発明１を減縮した発明である。

第３　引用文献，引用発明等

１　引用文献１について

原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（特開２００６－７０３４２号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線は当審で付加した。以下，同じ。）

「【請求項１】

処理容器と，

前記処理容器の内部に配置され，基板を保持するためのサセプタと，

前記サセプタを誘導加熱するための磁界を形成する，中心軸を中心に巻き形状となっているコイルとを備え，

前記コイルの中心軸の延びる方向に対して，前記サセプタにおいて前記基板を保持する表面の延びる方向が交差している，気相成膜装置。」

「【請求項３】

前記処理容器の内部に反応ガスを流通させるための反応ガス供給部材をさらに備え，

前記基板の平面形状は円形状であり，

前記サセプタの平面形状は，

前記処理容器の内部を流通する反応ガスの流れの上流側に位置する端部であって直線状の上流側壁部と，

前記上流側壁部の両端に連なる円弧状の角部と，

前記反応ガスの流れの下流側に位置する端部である円弧状部分と，

前記円弧状部分の両端部と前記上流側壁部の両端に連なる円弧状の角部とをそれぞれつなぐ側壁部とからなり，

前記円弧状部分の中心点より上流側に，前記基板の中心点が位置するように前記基板は配置される，請求項１または２に記載の気相成膜装置。」

「【技術分野】

【０００１】

この発明は，気相成膜装置，サセプタおよび気相成膜方法に関し，より特定的には，成膜条件の均一性を向上させることが可能な気相成膜装置，サセプタおよび気相成膜方法に関する。

【背景技術】

【０００２】

従来，エピタキシャル薄膜などを形成するための装置としてＣＶＤ（Chemical vapor deposition）装置などの気相成膜装置が知られている。また，そのような気相成膜装置においては，膜を形成する対象物である基板などを保持するためのサセプタが用いられる（たとえば，特許文献１参照）。」

「【０００４】

しかし，上記のような従来の気相成膜装置では，コイルとサセプタとの構成や配置が決定すると，サセプタでの発熱密度分布が決定されるため，成膜に用いる反応ガスの流速の変化といったプロセス条件（より具体的にはサセプタの周囲の熱的条件）が変化することによりサセプタでの放熱特性が変化すると，このような放熱特性の変化に対応してサセプタでの発熱密度分布の修正を行なうことが困難であった。このため，プロセス条件の変化などが発生した場合，適切な基板の温度条件を実現することが難しかった。

【０００５】

この発明は，上記のような課題を解決するために成されたものであり，この発明の目的は，プロセス条件の変化が起きた場合であっても，基板の温度条件を最適化することが可能な気相成膜装置，サセプタおよび気相成膜方法を提供することである。

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【課題を解決するための手段】

【０００６】

この発明に従った気相成膜装置は，処理容器と，サセプタと，コイルとを備える。サセプタは，処理容器の内部に配置され，基板を保持するためのものである。コイルは，サセプタを誘導加熱するための磁界を形成する。当該コイルは中心軸を中心に巻き形状となっている。コイルの中心軸の延びる方向に対して，サセプタにおいて基板を保持する表面の延びる方向は交差している。

【０００７】

この場合，コイルの中心軸の延びる方向に対して，サセプタにおいて基板を保持する表面の延びる方向を交差させる（つまり，コイルの中心軸に対してサセプタを傾ける）と，サセプタにおける誘導加熱による発熱密度の分布が変化する。このため，コイルの中心軸の延びる方向に対して，サセプタにおいて基板を保持する表面の延びる方向のなす角度θを変化させることにより，サセプタにおける発熱と放熱とのバランスを最適化することができる。この結果，サセプタに搭載された基板の温度分布（とくにコイルの中心軸の延びる方向における温度分布）を均一化することができる。

【０００８】

上記気相成膜装置は，コイルの中心軸の延びる方向に対して，サセプタにおいて基板を保持する表面の延びる方向が交差するように，サセプタを保持する架台をさらに備えていてもよい。この場合，架台にサセプタを搭載するという簡単な方法で，コイルの中心軸の延びる方向に対して，サセプタにおいて基板を保持する表面の延びる方向が交差するようにサセプタを傾けた状態に保持できる。また，サセプタを搭載する部分の傾き角度を変えた複数種類の架台を準備しておき，それらの複数種類の架台のうちのいずれかを選択して使用することで，角度θを容易に変更することができる。

【０００９】

上記気相成膜装置は，処理容器の内部に反応ガスを流通させるための反応ガス供給部材をさらに備えていてもよい。また，基板の平面形状は円形状であってもよい。サセプタの平面形状は，処理容器の内部を流通する反応ガスの流れの上流側に位置する端部であって直線状の上流側壁部と，上流側壁部の両端に連なる円弧状の角部と，反応ガスの流れの下流側に位置する端部である円弧状部分と，円弧状部分の両端部と上流側壁部の両端に連なる円弧状の角部とをそれぞれつなぐ側壁部とからなっていてもよい。円弧状部分の中心点より上流側に，基板の中心点が位置するように基板は配置されることが好ましい。また，反応ガスの流れ方向に垂直な方向における，上流側壁部および円弧状の角部の合計幅（上流側幅）は，円弧状部分の幅（下流側幅）より大きいことが好ましい。

【００１０】

この場合，サセプタの平面形状において尖った角部ではなく円弧状の角部を形成しているので，尖った角部が形成された場合よりサセプタの角部からの放熱の程度を小さくできる。このため，サセプタの中心部と角部などの外周部との温度の差を小さくできる（サセプタにおける温度の均一性を向上させることができる）。

【００１１】

また，サセプタを傾けて配置することにより，サセプタの上流側壁部近傍での誘導加熱による発熱密度が高まる。そして，このうような発熱密度が高まった領域側（上流側壁部の方向）に基板をずらして配置すれば，上記のような発熱密度が高まった部分の存在に起因するサセプタの温度均一領域を有効に利用できる。この結果，基板温度の均一化を図ることができる。また，上記のような円弧状部分を形成すれば，サセプタの下流側での放熱特性を，中心軸に対して垂直な方向（サセプタの幅方向）においてより均一化することができる。

【００１２】

また，サセプタの上流側幅が下流側幅より大きくなっているので，サセプタの側壁部に面する領域での反応ガスの流れに乱流が発生する。この結果，サセプタの下流側において反応ガスの（流れに対する）幅方向での拡散が起こるため，サセプタの下流側に位置する基板上に十分な反応ガスを供給することができる。このため，下流側に位置する基板上においても十分な成膜速度で膜を形成することができる。

【００１３】

また，基板の中心からサセプタの上流側壁部までの距離は，基板の中心からサセプタの円弧状部分までの距離より大きくなっていてもよい。この場合，基板より上流側に位置するサセプタからの放熱により，基板に流れてくる反応ガスを十分加熱することができる。この結果，基板上での成膜速度を十分大きくすることができる。」

「【発明を実施するための最良の形態】

【００３５】

以下，図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお，以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。

【００３６】

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図１は，本発明による気相成長装置の処理部を示す断面模式図である。図２は，図１に示した処理部を含む本発明による気相成長装置の構成を示すブロック図である。図３は，図１に示した気相成長装置において用いられる，本発明によるサセプタを示す平面模式図である。図４は，図３に示した線分ＩＶ－ＩＶにおける断面模式図である。図１～図４を参照して，本発明による気相成長装置およびサセプタを説明する。

【００３７】

図１に示すように，本発明による気相成長装置の処理部３は，処理容器２と，この処理容器２の外周を囲むように配置された，中心軸を中心に巻き形状となっているコイルとしての高周波コイル４と，処理容器２の内部に配置されたサセプタ１０と，このサセプタ１０を高周波コイル４のコイル軸（中心軸）の方向（矢印１３によって示される方向）に対して傾き角度θ１だけ傾斜した状態で保持するための架台１１とを含む。なお，ここで傾き角度θ１は，コイルの中心軸としてのコイル軸の方向（矢印１３により示される方向）と，サセプタ１０において基板１２を保持する上部表面との成す角度であるが，図示したサセプタは上部表面と底壁とが平行になっているため，当該傾き角度θ１は矢印１３に示したコイル軸の方向と底壁との成す角度として示されている。

【００３８】

サセプタ１０の上部表面には，平面形状が円形状である基板１２を保持するための凹部１８（図４参照）が形成されている。架台１１は，石英からなり，底壁２２と，底壁に連なり凸部２３を構成する前方部と，この凸部２３に連なり矢印１３で示したコイル軸の方向（底壁２２が延びる方向）に対して角度θ１だけ傾斜した上壁２１とからなる。サセプタ１０は，この上壁２１上に配置されている。また，処理容器２内部には，所定の反応ガスが矢印１５に示す方向から供給される。当該反応ガスは，処理容器２の内部を矢印１５に示す方向に流通する。

【００３９】

図１に示した処理部３を備える気相成長装置１は，図２に示すように，処理部３と，この処理部３へ反応ガスを供給するための反応ガス供給部材としてのガス供給部５と，処理部３からガスを排出するためのガス排出部６と，処理部３を構成する高周波コイル４へ所定の電源を供給するための電源部７と，ガス供給部５，ガス排出部６および電源部７を制御するための制御部８とを備える。なお，気相成長装置１の構成は，図２に示したような構成に限られるものではなく，処理部３において基板１２の表面上に成膜することが可能であれば他の構成を採用してもよい。

【００４０】

次に，図３および図４を参照しながら，図１および図２に示した気相成長装置において用いられる本発明によるサセプタを説明する。

【００４１】

図３および図４に示したように，本発明によるサセプタ１０の平面形状は，矢印１５で示した反応ガスの流れる方向の上流側と下流側とで非対称な形状となっている。サセプタ１０については，サセプタ１０の平面形状が正方形であって当該正方形の中央に基板１２が保持されるとともにサセプタ１０において基板１２を保持する表面の延びる方向が矢印１３で示すコイル軸と平行な場合での基板１２の温度分布より，コイル軸に対して，サセプタ１０において基板１２を保持する上部表面の延びる方向が交差（傾斜）した状態で用いられる場合における基板１２の温度分布が均一化するように，サセプタ１０の形状およびサセプタ１０の上部表面上での基板１２の配置が決定されている。

【００４２】

具体的には，基板１２の中心３０から，矢印１５で示したガスの流れ方向の上流側に距離Ｗだけ離れた位置に，一方壁部としての幅Ｄの直線状である上流側壁部２５が形成されている。そして，この直線状の上流側壁部２５の両側には，半径Ｒ２の円弧状の角部２６が形成されている。また，サセプタ１０の矢印１５で示した反応ガスの流れ方向における下流側では，基板１２の中心３０から下流側にδだけ離れた位置３１を中心として，半径Ｒ３の半円状の円弧状部分２７が形成されている。そして，この下流側の円弧状部分２７の端部と，反応ガスの流れ方向での上流側における半径Ｒ２の円弧状の角部２６とは，それぞれ直線状の側壁部２８により繋がれている。円弧状部分２７の中心点である位置３１より上流側に，基板１２の中心点である中心３０が位置するように基板１２はサセプタ１０上に配置される。図３からもわかるように，上流側壁部２５および円弧状の角部２６の幅Ｗ１は，サセプタ１０の下流側での半径Ｒ３の円弧状部分２７の幅Ｗ２よりも大きくなっている。

【００４３】

この場合，サセプタ１０の平面形状において尖った角部ではなく円弧状の角部２６を形成しているので，尖った角部が形成された場合よりサセプタ１０の角部２６からの放熱の程度を小さくできる。このため，サセプタ１０の中心部と角部２６などの外周部との温度の差を小さくできる。また，サセプタ１０を矢印１３で示すコイル軸に対して傾き角度θ１だけ傾けて配置することにより，サセプタ１０の上流側壁部２５近傍での誘導加熱による発熱密度が高まる。そして，このうような発熱密度が高まった上流側壁部２５側に基板１２をずらして配置すれば，上記のような発熱密度が高まった部分の存在に起因するサセプタ１０の温度均一領域を有効に利用できる。この結果，基板１２の温度の均一化を図ることができる。

【００４４】

また，上記のような円弧状部分２７を形成すれば，サセプタ１０の下流側での放熱特性を，サセプタ１０の幅方向（矢印１３に対して垂直な水平方向）においてより均一化することができる。また，サセプタ１０の上流側幅である幅Ｗ１が下流側幅である幅Ｗ２より大きくなっているので，サセプタ１０の側壁部２８に面する領域での反応ガスの流れに乱流が発生する。この結果，サセプタ１０の下流側においてサセプタ１０の幅方向での反応ガスの拡散が起こるため，サセプタ１０の下流側に位置する基板１２上に十分な反応ガスを供給することができる。このため，下流側に位置する基板１２上においても十分な成膜速度で膜を形成することができる。」

「【００５８】

このような矢印１３に示したコイル軸に対してサセプタ１０を交差するように傾けて配置する場合，図１に示したようにサセプタ１０の（反応ガスの流れに対する）上流側が下流側よりも下がった状態となるような方向にサセプタを傾けるのみでなく，図７に示したように，サセプタ１０の上流側が下流側よりも上がった状態となるような方向にサセプタ１０を傾けてもよい。図７は，本発明による気相成長装置の変形例を示す断面模式図である。図７を参照して，本発明による気相成長装置の変形例を説明する。」

「

」

上記の図１から，架台１１の，底壁２２に連なる凸部２３を構成する前方部は，前記底壁２２の前方の端部から垂直上方に立ち上がる前方壁と，前記前方壁の上方の端部から後方に延びる，反応ガスの流れに対して，下流側が上流側よりも上がった状態となるように傾斜した前方部上壁を備えることを見て取ることができる。

「

」

したがって，上記引用文献１には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。

「エピタキシャル薄膜などを形成するための装置として用いられるＣＶＤ（Chemical vapor deposition）装置などの気相成膜装置で使用される，サセプタと架台とからなる構造体であって，

前記気相成長装置は，

処理容器と，

前記処理容器の内部に配置され，基板を保持するための前記サセプタと，

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前記サセプタを誘導加熱するための磁界を形成する，中心軸を中心に巻き形状となっているコイルと，

前記コイルの中心軸の延びる方向に対して，前記サセプタにおいて前記基板を保持する表面の延びる方向が交差するように保持する架台と，

前記処理容器の内部に反応ガスを流通させるための反応ガス供給部材と，を備え，

前記基板の平面形状は円形状であり，

前記サセプタの平面形状は，

前記処理容器の内部を流通する反応ガスの流れの上流側に位置する端部であって直線状の上流側壁部と，

前記上流側壁部の両端に連なる円弧状の角部と，

前記反応ガスの流れの下流側に位置する端部である円弧状部分と，

前記円弧状部分の両端部と前記上流側壁部の両端に連なる円弧状の角部とをそれぞれつなぐ側壁部とからなり，

前記円弧状部分の中心点より上流側に，前記基板の中心点が位置するように前記基板は配置され，

前記サセプタの上部表面には，平面形状が円形状である基板を保持するための凹部が形成されており，

前記架台は，

底壁２２と，

底壁に連なり凸部２３を構成する前方部と，

前記凸部２３に連なり，前記反応ガスが前記処理容器の内部を流通する方向であるコイル軸の方向（底壁２２が延びる方向）に対して角度θ１だけ傾斜した，サセプタを（反応ガスの流れに対する）上流側が下流側よりも下がった状態となるように傾けて保持する上壁２１とからなり，

前記底壁に連なり凸部２３を構成する前方部は，前記底壁２２の前方の端部から垂直上方に立ち上がる前方壁と，前記前方壁の上方の端部から後方に延びる，反応ガスの流れに対して，下流側が上流側よりも上がった状態となるように傾斜した前方部上壁を備えるものである，

サセプタと架台とからなる構造体。」

２　引用文献２について

原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２（特開平９－１６７７６３号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。

「【請求項１】 半導体基板の一主面以外の下端部を保持する溝と，該一主面が上になるように鉛直線方向に対して該半導体基板を傾けた状態で，他の主面の基板重心よりも上方位置で該半導体基板を支持する支持枠と，を備えた基板支持治具。

【請求項２】 請求項１記載の基板支持治具は，絶縁膜形成装置内で前記半導体基板を支持する治具であって，前記半導体基板の一主面は絶縁膜形成面で有る基板支持治具。

【請求項３】　請求項２記載の基板支持治具において，基板支持治具あるいは絶縁膜形成装置自体を鉛直線方向に対して傾けることで，前記半導体基板を鉛直線方向に対して傾けた基板支持治具。

【請求項４】　請求項１又は請求項２記載の基板支持治具において，前記支持枠を鉛直線方向に対して傾けることで，前記半導体基板を鉛直線方向に対して傾けた基板支持治具。

【請求項５】　請求項１～請求項４のいずれかの請求項に記載の基板支持治具において，複数の半導体基板を支持可能に複数の溝と支持枠が設けられ，半導体基板が鉛直線方向に対して傾けられた状態で，各半導体基板が隣接する支持枠あるいは基板の上端部の鉛直落下位置から離れて配置されるように，前記複数の溝が形成されている基板支持治具。」

「【００２０】

以下本発明の実施形態を図面を用いて説明する。なお，本発明の基板支持治具は特に用途が限定されるものではないが，絶縁膜を介して接合する積層構造の半導体装置を作製する場合には，接合面の鏡面状態を損なう事無く絶縁膜を形成することが望まれるので，このような用途に特に好適に用いられるものである。

（実施形態１）

図１は本発明の絶縁膜形成装置の基板支持治具の第１の実施形態の断面図であり，図２はその側面図である。

【００２１】

ウェーハ１は基板支持治具であるところの石英製ボート２ａの溝３に挿入するが溝とウェーハの接合面が接触しないように溝３は従来（図６のような）のウェーハを溝だけで支持する石英製ボードではウェハーを自立させることができないないような大きなテーパ４として加工する。この為，石英製ボート２ａではウェーハ１の接合面とならない裏面（一般的にはプライムウェーハの研削除去面，或いはハンドルウェーハの接合裏面）を溝３の鉛直位置からウェーハ１の接合裏面側に後退した位置に設置した石英製ボートの枠５で支持することでウェーハ１を接合面を上にして傾いた状態（角度θ）で石英製ボートで支持する。

【００２２】

複数のウェーハを支持，処理する場合は，図３の断面図に示したように隣接するウェーハ１ａの接合裏面と石英製ボートの枠５ａが接触，摩耗することによるゴミの発生，及び隣接するウェーハ１ｂの接合面への落下，付着の問題を回避する為に石英製ボートの枠５ａの上端部からの鉛直落下点から隣接する溝３ｂをある距離（ｔ）だけ離して設け，隣接するウェーハ１ｂの接合面最下部へのゴミの落下，付着を回避することが望ましい。

【００２３】

石英製ボート２ａの枠５の位置は，傾けて支持したウェーハ１の重心よりも上方に設定することでウェーハ１が背面に転倒することを防止する。石英製ボート２ａと枠５は一体に成形されたものである。」

「

」

上記の図２から，石英製ボートを側面から観察した場合に，外周に，円弧状である箇所を有することを見て取ることができる。

したがって，上記引用文献２には次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。

「半導体基板の一主面以外の下端部を保持する溝と，該一主面が上になるように鉛直線方向に対して該半導体基板を傾けた状態で，他の主面の基板重心よりも上方位置で該半導体基板を支持する支持枠と，を備えた

絶縁膜形成装置で使用される基板支持治具であって，

前記基板支持治具の前記溝は，石英製ボードに，前記溝と前記半導体基板の接合面が接触しないように，当該溝だけではウェハーを自立させることができないないような大きなテーパとして加工されたものであり，

さらに，前記石英製ボートは，前記半導体基板の接合面とならない裏面を前記溝の鉛直位置から前記半導体基板の接合裏面側に後退した位置で支持する枠を備え，

前記枠で支持することで前記半導体基板を接合面を上にして傾いた状態（角度θ）で支持し，

前記石英製ボートは，側面から観察した場合に，外周に，円弧状である箇所を有するものである，

基板支持治具。」

３　引用文献３について

原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３（実願昭５８－１０７８０６号（実開昭６０－１６５３５号公報）のマイクロフィルム）には，以下の図面が記載されている。

「

」

「

」

４　引用文献４について

原査定の拒絶の理由に引用された引用文献４（特開平６－２０４１７５号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。

「【００１２】

次に，図２に示すように，シランカップリング剤を含んだ蒸気やミストを反応管１の内部に送り込み，第１のサセプタ３に固定したウェハ２両面にシランカップリング剤を塗布し，数時間ベーキングを行った後自然乾燥させて，数百オングストロームの膜厚のガラス状の鎖状ポリシロキセンの薄膜を形成する（ステップ１０５）。すなわち，シランカップリング剤をベーキングした後乾燥させると，各分子が互いに架橋して［－（ＯSiＲ）－Ｏ－（ＯSiＲ）－］という構造を有する鎖状ポリシロキセンを形成して表面を安定化する。」

「

」

５　引用文献５について

原査定の拒絶の理由に引用された引用文献５（特許第５３９７７９４号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。

「【００３４】

１．実験１

１－１．ミストＣＶＤ装置

まず，図２を用いて，本実施例で用いたミストＣＶＤ装置１９を説明する。ミストＣＶＤ装置１９は，下地基板等の被成膜試料２０を載置する試料台２１と，キャリアガスを供給するキャリアガス源２２と，キャリアガス源２２から送り出されるキャリアガスの流量を調節するための流量調節弁２３と，原料溶液２４ａが収容されるミスト発生源２４と，水２５ａが入れられる容器２５と，容器２５の底面に取り付けられた超音波振動子２６と，内径４０ｍｍの石英管からなる成膜室２７と，成膜室２７の周辺部に設置されたヒータ２８を備えている。試料台２１は，石英からなり，被成膜試料２０を載置する面が水平面から４５度に傾斜している。成膜室２７と試料台２１をどちらも石英で作製することにより，被成膜試料２０上に形成される薄膜内に装置由来の不純物が混入することを抑制している。」

「

」

第４　対比・判断

１　本願発明１について

（１）引用文献１を主引例とした検討

ア　対比

本願発明１と引用発明１とを対比すると，次のことがいえる。

（ア）引用発明１における「エピタキシャル薄膜などを形成するための装置として用いられるＣＶＤ（Chemical vapor deposition）装置などの気相成膜装置」は，本願発明１における「成膜装置」に相当する。

（イ）引用発明１における「サセプタ」，「架台」は，それぞれ，本願発明１における「基板を保持する基板保持部」，「基板保持部を支持する支持部」に相当する。

したがって，引用発明１の「サセプタと架台とからなる構造体」は，本願発明１の「サセプタ」に相当する。

（ウ）引用発明１の「前記サセプタの平面形状は，前記処理容器の内部を流通する反応ガスの流れの上流側に位置する端部であって直線状の上流側壁部と，前記上流側壁部の両端に連なる円弧状の角部と，前記反応ガスの流れの下流側に位置する端部である円弧状部分と，前記円弧状部分の両端部と前記上流側壁部の両端に連なる円弧状の角部とをそれぞれつなぐ側壁部とからなり，前記円弧状部分の中心点より上流側に，前記基板の中心点が位置するように前記基板は配置され，前記サセプタの上部表面には，平面形状が円形状である基板を保持するための凹部が形成されており」という構成は，本願発明１の「基板側表面の外周形状が略半円状であり」という構成に相当する。

（エ）引用発明１の「処理容器」と，本願発明１の「管状炉」とは，「処理容器」である点で一致する。

したがって，本願発明１と引用発明との間には，次の一致点，相違点があるといえる。

（一致点）

「基板を保持するために成膜装置に用いられるサセプタであって，

該基板を保持する基板保持部と，該基板保持部を支持する支持部とが，一体にまたは別体で備えられており，基板側表面の外周形状が略半円状であり，さらに，前記成膜装置が，処理容器を備えており，前記サセプタが該管状炉内の前記基板を保持するために用いられるものであり，且つ，前記支持部が前記基板を傾斜姿勢で支持するサセプタ。」

（相違点）

（相違点１）本願発明１の成膜装置が「ミストを用いており」，「前記サセプタが，前記ミストを前記基板まで加速上昇させることができるように構成されている」という構成を備えるのに対し，引用発明１は，そのような構成を備えていない点。

（相違点２）本願発明１の成膜装置が「管状炉」を備えるのに対し，引用発明１は，そのような構成が特定されていない点。

イ　相違点についての判断

上記相違点１について検討すると，相違点１に係る本願発明１の成膜装置において「ミストを用い」ることは，上記「第３」４及び５に記載されているとおり，本願の優先日前において周知技術であったといえる。

しかしながら，成膜装置において「ミストを用い」ることが周知技術であるとしても，引用発明１において，反応ガスとして，「ミストを用い」た場合に，引用発明１の「サセプタと架台とからなる構造体」が，「ミストを基板まで加速上昇させることができる」ものであるとまでは，引用文献１の記載からは認めることはできない。

すなわち，本願発明１の「前記サセプタが，前記ミストを前記基板まで加速上昇させることができるように構成されている」という構成は，サセプタを用いない場合のミストの速度と，サセプタを用いた場合の当該サセプタに保持された基板の上流側の端部にミストが達した時点での速度とを対比して，「加速上昇」していることを要するものと理解されるところ，引用文献１には，処理容器の内部において反応ガスの流速がどのように変化するかについては記載されていない。

そして，上記「第３」１のとおり，引用文献１に「サセプタの上流側幅が下流側幅より大きくなっているので，サセプタの側壁部に面する領域での反応ガスの流れに乱流が発生する。」（【００１２】），「また，サセプタ１０の上流側幅である幅Ｗ１が下流側幅である幅Ｗ２より大きくなっているので，サセプタ１０の側壁部２８に面する領域での反応ガスの流れに乱流が発生する。」（【００４４】）と記載されていること，及び，引用文献１の図１の記載から見て取れる，架台１１の，底壁２２に連なる凸部２３を構成する前方部が，前記底壁２２の前方の端部から垂直上方に立ち上がる前方壁を備えることによって，反応ガスの流れが乱れるものと認められることから，乱流を伴う反応ガスの流速の変化を，引用文献１の記載と技術常識に基づいて一義的に特定することができるとも認められない。

したがって，引用発明１の「サセプタと架台とからなる構造体」が，「ミストを基板まで加速上昇させることができる」ものであると認めることはできない。

そして，引用文献１ないし５の記載を参酌しても，引用発明１において，「サセプタと架台とからなる構造体」を，「ミストを基板まで加速上昇させることができる」ものとする動機付けを見いだすことができないから，引用発明１において，相違点１に係る本願発明１の構成を採用することは，当業者が容易になし得たものであるとはいえない。

したがって，他の相違点について検討するまでもなく，本願発明１は，当業者であっても引用発明１，引用文献１ないし５に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。

（２）引用文献２を主引例とした検討

ア　対比

本願発明１と引用発明２とを対比すると，次のことがいえる。

（ア）引用発明２の「半導体基板」，「絶縁膜形成装置」は，それぞれ，本願発明１の「基板」，「成膜装置」に相当する。

（イ）引用発明２の「『基板支持治具』である『石英製ボート』」と，本願発明１の「サセプタ」は，「基板支持治具」である点で一致する。

したがって，本願発明１と引用発明２との間には，次の一致点，相違点があるといえる。

（一致点）

「基板を保持するために成膜装置に用いられる基板支持治具であって，

基板側表面の外周形状が略半円状であり，前記基板支持治具が前記基板を保持するために用いられるものであり，且つ，前記支持部が前記基板を傾斜姿勢で支持する基板支持治具。」

（相違点）

（相違点３）基板支持治具が，本願発明１では「該基板を保持する基板保持部と，該基板保持部を支持する支持部とが，一体にまたは別体で備えられて」いる「サセプタ」であるのに対して，引用発明２では「前記半導体基板の接合面とならない裏面を前記溝の鉛直位置から前記半導体基板の接合裏面側に後退した位置で支持する枠を備え」た「石英製ボート」である点。

（相違点４）本願発明１の成膜装置が「ミストを用いており」，「前記サセプタが，前記ミストを前記基板まで加速上昇させることができるように構成されている」という構成を備えるのに対し，引用発明２は，そのような構成を備えていない点。

（相違点５）本願発明１の成膜装置が「管状炉」を備えるのに対し，引用発明２は，そのような構成が特定されていない点。

イ　相違点についての判断

上記相違点４について検討すると，相違点４に係る本願発明１の成膜装置において「ミストを用い」ることは，上記「第３」４及び５に記載されているとおり，本願の優先日前において周知技術であったといえる。

しかしながら，成膜装置において「ミストを用い」ることが周知技術であるとしても，引用発明２において，反応ガスとして，「ミストを用い」た場合に，引用発明２の「『基板支持治具』である『石英製ボート』」が，「ミストを基板まで加速上昇させることができる」ものであるとまでは，引用文献２の記載からは認めることはできない。

そして，引用文献１ないし５の記載を参酌しても，引用発明２において，「『基板支持治具』である『石英製ボート』」を，「ミストを基板まで加速上昇させることができる」ものとする動機付けを見いだすことができないから，引用発明２において，相違点４に係る本願発明１の構成を採用することは，当業者が容易になし得たものであるとはいえない。

したがって，他の相違点について検討するまでもなく，本願発明１は，当業者であっても引用発明２，引用文献１ないし５に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。

２　本願発明２ないし６について

本願発明２ないし６も，本願発明１の成膜装置が「ミストを用いており」，「前記サセプタが，前記ミストを前記基板まで加速上昇させることができるように構成されている」という構成と同一の構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても，引用発明１又は引用発明２と，引用文献１ないし５に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。

第５　原査定の概要及び原査定についての判断

原査定は，請求項１ないし６について，上記引用文献１ないし５に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。しかしながら，令和２年１０月５日付け手続補正により補正された請求項１ないし６は，それぞれ，「管状炉を備えており，前記サセプタが該管状炉内の前記基板を保持するために用いられるものであり，且つ，前記支持部が前記基板を傾斜姿勢で支持し，前記サセプタが，前記ミストを前記基板まで加速上昇させることができるように構成されている」という構成を有するものとなっており，上記のとおり，本願発明１ないし６は，上記引用文献１又は引用文献２に記載された発明及び上記引用文献１ないし５に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものではない。したがって，原査定を維持することはできない。

第６　当審拒絶理由について

１　特許法第３６条第６項第１号について

当審では，本願の特許請求の範囲の請求項１－６の記載は，本願明細書の発明の詳細な説明の記載及び本願の出願当時の技術常識に照らして，当業者が本願明細書に記載された本願発明の課題を解決できると認識できる範囲を超えており，サポート要件に適合しないものというべきであるとの拒絶の理由を通知しているが，令和２年１０月５日付けの補正において，各請求項に「前記成膜装置が，管状炉を備えており，前記サセプタが該管状炉内の前記基板を保持するために用いられるものであり，且つ，前記支持部が前記基板を傾斜姿勢で支持し，」との構成が特定され，さらに，同日付けの意見書で説明がされた結果，この拒絶の理由は解消した。

２　特許法第２９条第２項について

当審では，請求項１ないし６について，上記引用文献１，４，５，３に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとの拒絶の理由を通知しているが，令和２年１０月５日付け手続補正により補正された請求項１ないし６は，それぞれ，「前記成膜装置が，管状炉を備えており，前記サセプタが該管状炉内の前記基板を保持するために用いられるものであり，且つ，前記支持部が前記基板を傾斜姿勢で支持し，」との構成を有するものとなり，上記のとおり，本願発明１ないし６は，上記引用文献１に記載された発明及び上記引用文献１ないし５に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものではないから，この拒絶の理由は解消した。

第７　むすび

以上のとおり，本願発明１ないし６は，当業者が引用発明１又は引用発明２と引用文献１ないし５に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものではない。

したがって，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。

また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。

よって，結論のとおり審決する。