審決検索MVP
← 検索一覧に戻る
特許拒絶査定不服審判

2018-003919

GaN結晶及びGaN結晶からなる基板

審判番号
2018-003919
法域
特許
審判種別
拒絶査定不服審判(拒絶査定不服の審決)
出願番号
特願2016-146212外部サイト(J-PlatPat)へ移動します
請求日
2018年03月20日
審決日
2019年02月12日
公報発行日
2019年03月29日
結論
原査定取消(特許/登録すべき)
審判長/審判官
分類
P18 .113-WYF(C30B) / P18 .121-WYF(C30B) / P18 .537-WYF(C30B)
データ出所
審決公報(SGML)

事件の表示

特願2016-146212「GaN結晶及びGaN結晶からなる基板」拒絶査定不服審判事件〔平成28年12月28日出願公開、特開2016-222540、請求項の数(8)〕について、次のとおり審決する。

結論

【結 論】 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。

理由

【理 由】 本願は、平成24年10月26日(パリ条約による優先権主張 2011年10月28日(US)アメリカ合衆国、優先権主張 平成24年 8月28日(JP)日本国)に出願した特願2012-236354号の一部を平成28年 7月26日に新たな特許出願としたものであって、その請求項1~8に係る発明は、平成31年 1月22日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項1~8に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。 そして、本願については、原査定の拒絶理由及び当審からの拒絶理由のいすれを検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。 また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。

審決本文(J-PlatPat)

J-PlatPatの審決検索トップを開きます。番号入力で「審判番号」を選び、下の番号を貼り付けて検索してください。

J-PlatPat 審決検索を開く
2018-003919

番号・当事者・条文・審決分類・商標の称呼が一致(または近い)審決を機械的に集めた候補です。判断内容は各審決の本文でご確認ください。

同じ当事者の審決443件(三菱ケミカル株式会社)
  • 2025-004448拒絶査定不服審判 / 2026-08-25 / 原査定取消(特許/登録すべき)積層ポリエステルフィルムの機能層除去方法
    同じ当事者: 三菱ケミカル株式会社
  • 2025-009861拒絶査定不服審判 / 2026-08-07 / 原査定取消(特許/登録すべき)樹脂組成物の製造方法及び多孔質膜の製造方法
    同じ当事者: 三菱ケミカル株式会社
  • 2025-008155拒絶査定不服審判 / 2026-07-29 / 原査定取消(特許/登録すべき)接着シート及びこれを用いた硬化物、積層体並びに自動車用外装材
    同じ当事者: 三菱ケミカル株式会社
  • 2024-003816拒絶査定不服審判 / 2026-07-21 / 原査定取消(特許/登録すべき)改変されたプロテアーゼ切断配列を含むアクチビンA
    同じ当事者: 三菱ケミカル株式会社
  • 2025-010523拒絶査定不服審判 / 2026-07-15 / 原査定取消(特許/登録すべき)シリカ粒子、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デ…
    同じ当事者: 三菱ケミカル株式会社
検索でもっと見る →
同じ論点・分野の審決(審決分類)132件(113・C30B、121・C30B、537・C30B)
  • 2024-019616拒絶査定不服審判 / 2026-05-26 / 原査定取消(特許/登録すべき)単結晶炉のホットゾーンヒータ及び単結晶炉
    共通の審決分類: 113・C30B、121・C30B、537・C30B
  • 2024-007294拒絶査定不服審判 / 2026-03-31 / 原査定取消(特許/登録すべき)ダイヤモンド基板及びその製造方法
    共通の審決分類: 113・C30B、121・C30B、537・C30B
  • 2024-005326拒絶査定不服審判 / 2026-03-17 / 請求不成立単結晶シリコンウェーハの製造方法
    共通の審決分類: 113・C30B、121・C30B、537・C30B
  • 2024-008750拒絶査定不服審判 / 2026-03-03 / 原査定取消(特許/登録すべき)炭化ケイ素単結晶ウェハ、結晶及び製造方法、半導体デバイス
    共通の審決分類: 113・C30B、121・C30B、537・C30B
  • 2023-019610拒絶査定不服審判 / 2026-01-07 / 原査定取消(特許/登録すべき)亀裂低減に最適な格子面配向を持つSiC結晶基板およびその製造方法
    共通の審決分類: 113・C30B、121・C30B、537・C30B

メモ・タグ(非公開)

あなただけに表示されます。審決本文の公開範囲は変わりません。

メモとタグは Pro の機能です。ログイン/Proでメモを保存