2016-019166

特願２０１５－　４３１４１「半導体装置の作製方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　８月　６日出願公開、特開２０１５－１４４３００、請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は、２００３年（平成１５年）１２月１９日（国内優先権主張　２００３年（平成１５年）１月８日）を国際出願日とする特願２００４－５３９１０４号の一部を、平成２２年１２月１６日に新たな出願としたものである特願２０１０－２８０７９４号の一部を、平成２５年７月３１日に新たな出願としたものである特願２０１３－１５９３４１号の一部を、平成２７年３月５に新たな出願としたものであって、同年３月６日付で審査請求がなされ、平成２８年１月２６日付で拒絶理由通知が通知され、同年３月１０日付で意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正がなされたが、同年９月１５日付で拒絶査定（以下、「原査定」という。）がなされたものである。 これに対して、平成２８年１２月２１日付けで審判請求がなされ、当審において平成２９年６月１９日付で拒絶理由が通知され、同年８月７日付で意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正がなされたものである。 第２　本願発明 本願に記載された発明は、平成２９年８月７日付の手続補正書（以下、「本手続補正書」という。）により補正された特許請求の範囲に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである（以下、請求項１および２に係る発明を、それぞれ「本願発明１」および「本願発明２」という。）。 「【請求項１】 第１の基板上にタングステンを含む金属膜を形成し、 前記金属膜上に絶縁膜を形成することで前記金属膜と前記絶縁膜との間にタングステンを含む金属酸化膜を形成し、 前記絶縁膜上に結晶領域を有する第１の半導体素子と、非晶質領域を有する第２の半導体素子とを形成し、 剥離しようとする領域の周縁に沿って前記金属膜に部分的にレーザー光を照射した後、物理的手段を用いることにより、前記金属酸化膜中、前記金属酸化膜と前記絶縁膜との界面、又は前記金属酸化膜と前記金属膜との界面で剥離して、前記第１の基板を除去し、 前記絶縁膜、前記第１の半導体素子、及び前記第２の半導体素子を含む被剥離層に、第２の基板を接着することを特徴とする半導体装置の作製方法。 【請求項２】 第１の基板上にタングステンを含む金属膜を形成し、 前記金属膜上に絶縁膜を形成することで前記金属膜と前記絶縁膜との間にタングステンを含む金属酸化膜を形成し、 前記絶縁膜上に結晶領域を有する第１の半導体素子と、非晶質領域を有する第２の半導体素子とを形成し、 剥離しようとする領域の周縁に沿って前記金属膜に部分的にレーザー光を照射した後、物理的手段を用いることにより、前記金属酸化膜中、前記金属酸化膜と前記絶縁膜との界面、又は前記金属酸化膜と前記金属膜との界面で剥離して、前記第１の基板を除去し、 前記絶縁膜、前記第１の半導体素子、及び前記第２の半導体素子を含む被剥離層に、第２の基板を接着し、 前記第１の半導体素子と電気的に接続された第１の配線、及び前記第２の半導体素子と電気的に接続された第２の配線を露出させることを特徴とする半導体装置の作製方法。」 第３　原査定の理由について １　原査定の理由の概要 原査定の理由の概要は、次のとおりである。 「この出願については、平成２８年　１月２６日付け拒絶理由通知書に記載した理由１によって、拒絶をすべきものです。 なお、意見書並びに手続補正書の内容を検討しましたが、拒絶理由を覆すに足りる根拠が見いだせません。 ●理由１（特許法第２９条第２項）について ・請求項　　　　１－２ ・引用文献等　　１－２ 出願人は、平成２８年３月１０日付けの意見書において 「２－４　［理由１］特許法第２９条第２項について ・・・引用文献１には、段落［００９９］乃至［０１００］、段落［０１２２］乃至［０１３７］に、第１分離層１２０の全領域に対しレーザー光を照射することにより、第１分離層１２０を構成する物質の原子間または分子間の結合力を消失または減少させ、層内剥離および／または界面剥離を生じさせることの記載があります。すなわち、引用文献１には、第１分離層１２０の全領域に対しレーザー光を照射することが、層内剥離および／または界面剥離を行うための必要なステップとして記載されています。したがって、引用発明１において、第１分離層１２０の全領域に対しレーザー光を照射するステップを経ずに、層内剥離および／または界面剥離を行うことはあり得ません。 また、引用文献２には、段落［００１７］乃至［００１８］に、単結晶シリコンからなる基体を陽極化成することにより多孔質シリコンからなる分離層を形成し、分離層上に単結晶シリコンからなる素子形成層を形成し、分離層の機械的な破断を行うことが記載されています。また、段落［００２７］に、後の工程で多孔質Ｓｉ層２の引っ張りによる破断をより容易に行うことができるようにするため、多孔質Ｓｉ層２のエッジ部の側壁にあらかじめレーザービームの照射などによって傷１３を付けておくことが記載されています。 しかしながら、引用文献２には、分離層として多孔質シリコンからなる分離層を用いることが必須として記載されており、それ以外の分離層を用いることの記載はありません。 したがって、本願の請求項１に係る発明は、引用文献１乃至２に記載された発明から当業者が容易に想到できたものではありません。・・・」 旨主張している。 出願人の上記主張について検討するに、出願人も上記において述べているように、引用文献１には段落［００９９］乃至［０１００］、段落［０１２２］乃至［０１３７］に、第１分離層１２０の全領域に対しレーザー光を照射することにより、第１分離層１２０を構成する物質の原子間または分子間の結合力を消失または減少させ、層内剥離および／または界面剥離を生じさせると記載されている。 してみるに、引用文献１には、レーザー光によって結合力を減少させる発明が記載されており、また、結合力を減少した後に物理的な作用等で剥離をなさねばならないことは明らかであるものと認められる。 また、剥離のきっかけとなる部分的なレーザによる破断及び、それに続く機械的な破断は、引用文献２に記載されており、剥離を予定している部分の結合力の程度によって、全体の結合力を弱めるか、引用文献２に記載されたような剥離手段を用いるかは、当業者が適宜選択しうるところと認められるので、出願人の上記主張を採用することは出来ない。 よって、本願出願については、平成２８年　１月２６日付け拒絶理由通知書に記載した理由１によって、拒絶をすべきものとする。 また、請求項２に係る発明である、半導体層に形成された素子への配線を露出させる工程を設けることは、素子への接続を考慮すれば当然行うものと認められる。 ＜引用文献等一覧＞ １.特開平１１－０２６７３３号公報 ２.特開平０８－２１３６４５号公報」 ２　原査定の拒絶理由通知の概要 平成２８年１月２６日付拒絶理由通知書の概要は、次のとおりである。 「１．（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照） ●理由１について ・請求項　　　　１、２ ・引用文献等　　１－２ ・備考 引用文献１の［０１０７］には「金属としては、例えば、Ａｌ，Ｌｉ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｐｒ，Ｇｄ，Ｓｍまたはこれらのうちの少なくとも１種を含む合金が」例示されており、タングステンに限定する格別な効果は認められず、等価な材料の置き換えに過ぎない。 また引用文献１の段落［０１２７］には、照射する光としてレーザ光が例示されている。 してみるに、本願発明と引用文献１に記載された発明を比較すると、引用文献１は、金属膜を形成した領域の一部にレーザー光を照射した後、物理的手段を用いることにより剥離するものではない点で相違する。 前記相違点について検討するに、引用文献２の段落［００２７］－［００２８］にはエッジの側壁に傷１３をレーザーによって付け、外力によって分離させる技術的手段が記載されており、当該技術的手段を引用文献１の剥離のための手段として用いることに困難性があるものとは認められないので、本願発明は前記引用例より当業者が容易に想到し得るものである。 また、請求項２に係る発明に関して、半導体層に形成された素子への配線を露出させる工程を設けることは、接続を考慮すれば当然行うものと認められる。 拒絶の理由が新たに発見された場合には拒絶の理由が通知される。 ＜引用文献等一覧＞ １.特開平１１－０２６７３３号公報 ２.特開平０８－２１３６４５号公報」 第４　原査定の理由（特許法第２９条第２項）について １　引用文献について （１）引用例１について ア　引用例１の記載 原査定の理由に引用された、特開平１１－２６７３３号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。（なお、下線は、当審において付与した。以下、同じ。） （ア）「【００９０】 【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。 【００９１】（第１の実施の形態）図１～図９は本発明の第１の実施の形態（薄膜デバイスの転写方法）を説明するための図である。 【００９２】[工程１]図１に示すように、基板１００上に第１分離層（光吸収層）１２０を形成する。 ・・・　中　略　・・・ 【００９９】２ 第１分離層１２０の説明 第１分離層１２０は、照射される光を吸収し、その層内および／または界面において剥離（以下、「層内剥離」、「界面剥離」と言う）を生じるような性質を有するものであり、好ましくは、光の照射により、第１分離層１２０を構成する物質の原子間または分子間の結合力が消失または減少すること、すなわち、アブレーションが生じて層内剥離および／または界面剥離に至るものがよい。 ・・・　中　略　・・・ 【０１０７】Ｆ．金属 金属としては、例えば、Ａｌ，Ｌｉ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｐｒ，Ｇｄ，Ｓｍまたはこれらのうちの少なくとも１種を含む合金が挙げられる。 ・・・　中　略　・・・ 【０１１２】[工程２]次に、図２に示すように、第１分離層１２０上に、被転写層（薄膜デバイス層）１４０を形成する。 【０１１３】この薄膜デバイス層１４０のＫ部分（図２において１点線鎖線で囲んで示される部分）の拡大断面図を、図２の右側に示す。図示されるように、薄膜デバイス層１４０は、例えば、ＳｉＯ2膜（中間層）１４２上に形成されたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を含んで構成され、このＴＦＴは、ポリシリコン層にｎ型不純物を導入して形成されたソース，ドレイン層１４６と、チャネル層１４４と、ゲート絶縁膜１４８と、ゲート電極１５０と、層間絶縁膜１５４と、例えばアルミニュウムからなる電極１５２とを具備する。 【０１１４】本実施の形態では、第１分離層１２０に接して設けられる中間層としてＳｉＯ2膜を使用しているが、Ｓｉ3Ｎ4などのその他の絶縁膜を使用することもできる。ＳｉＯ2膜（中間層）の厚みは、その形成目的や発揮し得る機能の程度に応じて適宜決定されるが、通常は、１０nm～５μm程度であるのが好ましく、４０nm～１μm程度であるのがより好ましい。中間層は、種々の目的で形成され、例えば、被転写層１４０を物理的または化学的に保護する保護層，絶縁層，導電層，レーザー光の遮光層，マイグレーション防止用のバリア層，反射層としての機能の内の少なくとも１つを発揮するものが挙げられる。 【０１１５】なお、場合によっては、ＳｉＯ2膜等の中間層を形成せず、第１分離層１２０上に直接被転写層（薄膜デバイス層）１４０を形成してもよい。 【０１１６】被転写層１４０（薄膜デバイス層）は、図２の右側に示されるようなＴＦＴ等の薄膜デバイスを含む層である。 【０１１７】薄膜デバイスとしては、ＴＦＴの他に、例えば、薄膜ダイオードや、シリコンのＰＩＮ接合からなる光電変換素子（光センサ、太陽電池）やシリコン抵抗素子、その他の薄膜半導体デバイス、電極（例：ＩＴＯ、メサ膜のような透明電極）、スイッチング素子、メモリー、圧電素子等のアクチュエータ、マイクロミラー（ピエゾ薄膜セラミックス）、磁気記録薄膜ヘッド、コイル、インダクター、薄膜高透磁材料およびそれらを組み合わせたマイクロ磁気デバイス、フィルター、反射膜、ダイクロイックミラー等がある。上記の例示に限らず、本発明の趣旨に反しない種々の薄膜デバイスに適用できる。 ・・・　中　略　・・・ 【０１２２】[工程５]次に、図４に示すように、基板１００の裏面側から光を照射する。 【０１２３】この光は、基板１００を透過した後に第１分離層１２０に照射される。これにより、第１分離層１２０に層内剥離および／または界面剥離が生じ、結合力が減少または消滅する。 【０１２４】第１分離層１２０の層内剥離および／または界面剥離が生じる原理は、第１分離層１２０の構成材料にアブレーションが生じること、また、第１分離層１２０に含まれているガスの放出、さらには照射直後に生じる溶融、蒸散等の相変化によるものであることが推定される。 【０１２５】ここで、アブレーションとは、照射光を吸収した固定材料（第１分離層１２０の構成材料）が光化学的または熱的に励起され、その表面や内部の原子または分子の結合が切断されて放出することをいい、主に、第１分離層１２０の構成材料の全部または一部が溶融、蒸散（気化）等の相変化を生じる現象として現れる。また、前記相変化によって微小な発砲状態となり、結合力が低下することもある。 【０１２６】第１分離層１２０が層内剥離を生じるか、界面剥離を生じるか、またはその両方であるかは、第１分離層１２０の組成や、その他種々の要因に左右され、その要因の１つとして、照射される光の種類、波長、強度、到達深さ等の条件が挙げられる。 【０１２７】照射する光としては、第１分離層１２０に層内剥離および／または界面剥離を起こさせるものであればいかなるものでもよく、例えば、Ｘ線、紫外線、可視光、赤外線（熱線）、レーザ光、ミリ波、マイクロ波、電子線、放射線（α線、β線、γ線）等が挙げられる。そのなかでも、第１分離層１２０の剥離（アブレーション）を生じさせ易いという点で、レーザ光が好ましい。 【０１２８】このレーザ光を発生させるレーザ装置としては、各種気体レーザ、固体レーザ（半導体レーザ）等が挙げられるが、エキシマレーザ、Ｎｄ－ＹＡＧレーザ、Ａｒレーザ、ＣＯ2レーザ、ＣＯレーザ、Ｈｅ－Ｎｅレーザ等が好適に用いられ、その中でもエキシマレーザが特に好ましい。 【０１２９】エキシマレーザは、短波長域で高エネルギーを出力するため、極めて短時間で第１分離層２にアブレーションを生じさせることができ、よって隣接する転写体１８０や基板１００等に温度上昇をほとんど生じさせることなく、すなわち劣化、損傷を生じさせることなく、第１分離層１２０を剥離することができる。 【０１３０】また、第１分離層１２０にアブレーションを生じさせるに際して、光の波長依存性がある場合、照射されるレーザ光の波長は、１００ｎｍ～３５０ｎｍ程度であるのが好ましい。 【０１３１】図１０に、基板１００の、光の波長に対する透過率の一例を示す。図示されるように、３００ｎｍの波長に対して透過率が急峻に増大する特性をもつ。このような場合には、３００ｎｍ以上の波長の光（例えば、波長３０８ｎｍのＸｅ－Ｃｌエキシマレーザー光）を照射する。 【０１３２】また、第１分離層１２０に、例えばガス放出、気化、昇華等の相変化を起こさせて分離特性を与える場合、照射されるレーザ光の波長は、３５０から１２００ｎｍ程度であるのが好ましい。 【０１３３】また、照射されるレーザ光のエネルギー密度、特に、エキシマレーザの場合のエネルギー密度は、１０～５０００ｍＪ／ｃｍ2程度とするのが好ましく、１００～５００ｍＪ／ｃｍ2程度とするのがより好ましい。また、照射時間は、１～１０００ｎｓｅｃ程度とするのが好ましく、１０～１００ｎｓｅｃ程度とするのがより好ましい。エネルギー密度が低いかまたは照射時間が短いと、十分なアブレーション等が生じず、また、エネルギー密度が高いかまたは照射時間が長いと、第１分離層１２０を透過した照射光により被転写層１４０に悪影響を及ぼすおそれがある。 【０１３４】なお、第１分離層１２０を透過した照射光が被転写層１４０にまで達して悪影響を及ぼす場合の対策としては、例えば、第１分離層（レーザー吸収層）１２０上にタンタル（Ｔａ）等の金属膜を形成する方法がある。これにより、第１分離層１２０を透過したレーザー光は、金属膜１２４の界面で完全に反射され、それよりの上の薄膜デバイスに悪影響を与えない。あるいは、第１分離層１２０上にシリコン系介在層例えばＳｉＯ2を介して、シリコン系レーザー吸収層であるアモルファスシリコン層を形成することもできる。こうすると、第１分離層１２０を透過した光は、その上のアモルファスシリコン層にて吸収される。ただしその透過光は、上層のアモルファスシリコン層にて再度アブレーションを生ずるほどの光エネルギーがない。また、金属とは異なり、アモルファスシリコン層上に薄膜デバイス層を形成できるので、既に確立された薄膜形成技術により品質の優れた薄膜デバイス層を形成できる。 【０１３５】レーザ光に代表される照射光は、その強度が均一となるように照射されるのが好ましい。照射光の照射方向は、第１分離層１２０に対し垂直な方向に限らず、第１分離層１２０に対し所定角度傾斜した方向であってもよい。 【０１３６】また、第１分離層１２０の面積が照射光の１回の照射面積より大きい場合には、第１分離層１２０の全領域に対し、複数回に分けて照射光を照射することもできる。また、同一箇所に２回以上照射してもよい。また、異なる種類、異なる波長（波長域）の照射光（レーザ光）を同一領域または異なる領域に２回以上照射してもよい。 【０１３７】次に、図５に示すように、基板１００に力を加えて、この基板１００を第１分離層１２０から離脱させる。図５では図示されないが、この離脱後、基板１００上に第１分離層１２０が付着することもある。 【０１３８】[工程６]次に、図６に示すように、残存している第１分離層１２０を、例えば洗浄、エッチング、アッシング、研磨等の方法またはこれらを組み合わせた方法により除去する。これにより、被転写層（薄膜デバイス層）１４０が、一次転写体１８０に転写されたことになる。 【０１３９】なお、離脱した基板１００にも第１分離層１２０の一部が付着している場合には同様に除去する。なお、基板１００が石英ガラスのような高価な材料、希少な材料で構成されている場合等には、基板１００は、好ましくは再利用（リサイクル）に供される。すなわち、再利用したい基板１００に対し、本発明を適用することができ、有用性が高い。 【０１４０】[工程７]次に、図７に示すように、薄膜デバイス層１４０の下面（露出面）に、接着層１９０を介して、二次転写層２００を接着する。 ・・・　中　略　・・・ 【０１５４】[工程８]次に、図８に示すように、第２分離層である熱溶融性接着層１６０を加熱し、熱溶融させる。この結果、熱溶融性接着層１６０の接着力が弱まるため、一次転写体１８０を、薄膜デバイス層１４０により離脱させることができる。なお、一次転写体１８０に付着した熱溶融性接着剤を除去することで、この一次転写体１８０を繰り返し再利用することができる。 【０１５５】[工程９]最後に、薄膜デバイス層１４０の表面に付着した熱溶融性接着層１６０を除去することで、図９に示すように、二次転写体２００に転写された薄膜デバイス層１４０を得ることができる。ここで、この二次転写体２００に対する薄膜デバイス層１４０の積層関係は、図２に示すように当初の基板１００に対する薄膜デバイス層１４０の積層関係と同じとなる。 【０１５６】以上のような各工程を経て、被転写層（薄膜デバイス層）１４０の二次転写体２００への転写が完了する。その後、被転写層（薄膜デバイス層）１４０に隣接するＳｉＯ2膜の除去や、被転写層１４０上への配線等の導電層や所望の保護膜の形成等を行うこともできる。 【０１５７】本発明では、被剥離物である被転写層（薄膜デバイス層）１４０自体を直接に剥離するのではなく、第１分離層１２０及び第２分離層１６０において分離して二次転写体２００に転写するため、被分離物（被転写層１４０）の特性、条件等にかかわらず、容易かつ確実に、しかも均一に転写することができ、分離操作に伴う被分離物（被転写層１４０）へのダメージもなく、被転写層１４０の高い信頼性を維持することができる。」 イ　引用例１発明について 上記アの記載から、引用例１には、実質的に次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されているものと認められる。 「基板１００上に、金属（Ａｌ，Ｌｉ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｐｒ，Ｇｄ，Ｓｍ）からなる第１分離層（光吸収層）１２０を形成し、 第１分離層１２０上に、絶縁膜上に形成された、ポリシリコン層にｎ型不純物を導入して形成されたソース，ドレイン層１４６と、チャネル層１４４と、ゲート絶縁膜１４８と、ゲート電極１５０と、層間絶縁膜１５４と、例えばアルミニュウムからなる電極１５２とを具備するＴＦＴを含んで構成された、被転写層（薄膜デバイス層）１４０を形成し、 基板１００の裏面側から、強度が均一となるようにレーザ光を照射し、 基板１００に力を加えて、この基板１００を第１分離層１２０から離脱し、 被転写層（薄膜デバイス層）１４０の下面（露出面）に、二次転写層２００を接着し、 被転写層（薄膜デバイス層）１４０上への配線等の導電層や所望の保護膜の形成等を行う、 薄膜デバイスの転写方法。」 （２）引用例２について ア　引用例２の記載 原査定の理由に引用された、特開平８－２１３６４５号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。 （ア）「【００２１】 【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照しながら説明する。なお、実施例の全図において、同一または対応する部分には同一の符号を付す。 【００２２】図１～図１０はこの発明の第１実施例による薄膜太陽電池の製造方法を工程順に示す断面図である。 【００２３】この第１実施例による薄膜太陽電池の製造方法においては、まず、図１に示すように、単結晶Ｓｉ基板１を陽極化成（陽極酸化）することにより多孔質Ｓｉ層２を形成する。この陽極化成法による多孔質Ｓｉ層２の形成方法はよく知られており（例えば、応用物理第５７巻、第１１号、第１７１０頁（１９８８））、例えば、電流密度を３０ｍＡとし、陽極化成溶液としてＨＦ：Ｈ2 Ｏ：Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ＝１：１：１を用いた場合、得られる多孔質Ｓｉ層２の厚さは５～５０μｍ、多孔度（porosity）は１０～５０％である。この多孔質Ｓｉ層２の厚さは、単結晶Ｓｉ基板１を繰り返し使用する観点からは、この単結晶Ｓｉ基板１の厚さの減少を少なくし、使用可能回数を多くするために、可能な限り薄くすることが望ましく、好適には５～１５μｍ、例えば約１０μｍに選ばれる。また、単結晶Ｓｉ基板１は、陽極化成によりその上に多孔質Ｓｉ層２を形成する観点からはｐ型であることが望ましいが、ｎ型であっても、条件設定によっては多孔質Ｓｉ層２を形成することが可能である。 【００２４】次に、図２に示すように、多孔質Ｓｉ層２上に例えばＣＶＤ法により例えば７００～１１００℃の温度でｐ+ 型Ｓｉ層３、ｐ型Ｓｉ層４およびｎ+ 型Ｓｉ層５を順次エピタキシャル成長させた後、ｎ+ 型Ｓｉ層５上に例えばＣＶＤ法により例えば単層のＳｉＯ2 膜やＳｉＮ膜あるいはそれらの積層膜からなる保護膜６を形成する。ここで、ｐ+ 型Ｓｉ層３、ｐ型Ｓｉ層４およびｎ+ 型Ｓｉ層５は太陽電池層を構成し、それらの合計の厚さは典型的には１～５０μｍ、例えば５μｍである。また、この場合、太陽電池層を構成するこれらのｐ+ 型Ｓｉ層３、ｐ型Ｓｉ層４およびｎ+ 型Ｓｉ層５の結晶性を良好にするため、それらのエピタキシャル成長前に、多孔質Ｓｉ層２を例えば４００～６００℃の温度で短時間酸化することによりその内部の孔の内壁に薄い酸化膜を形成してその強度を高めるとともに、例えば真空中において例えば９５０～１０００℃の温度でＨ2 アニールすることにより多孔質Ｓｉ層２の表面の孔を極力埋めておき、エピタキシャル成長が良好に行われるようにするのが好ましい。このようにすることにより、単結晶のｐ+ 型Ｓｉ層３、ｐ型Ｓｉ層４およびｎ+ 型Ｓｉ層５を得ることができる（例えば、日経マイクロデバイス、１９９４年７月号、第７６頁）。 【００２５】次に、図３に示すように、上述のように多孔質Ｓｉ層２、ｐ+ 型Ｓｉ層３、ｐ型Ｓｉ層４、ｎ+ 型Ｓｉ層５および保護膜６が形成された単結晶Ｓｉ基板１の全体を熱酸化することにより、その表面全体に例えば膜厚が５０～５００ｎｍのＳｉＯ2 膜からなる酸化膜７を形成する。この熱酸化時には、多孔質Ｓｉ層２の酸化速度が単結晶Ｓｉ基板１の酸化速度よりも速く、また、多孔質Ｓｉ層２の体積が膨張するため、エッジ部における多孔質Ｓｉ層２とｐ+ 型Ｓｉ層３との界面に酸化膜７がバーズビーク状に形成され、エッジ部におけるｐ+ 型Ｓｉ層３、ｐ型Ｓｉ層４、ｎ+ 型Ｓｉ層５および保護膜６の全体が持ち上がった構造となる。 【００２６】次に、酸化膜７をエッチング除去する。これによって、図４に示すように、エッジ部における多孔質Ｓｉ層２とｐ+ 型Ｓｉ層３との間に楔状の間隙８が形成される。この楔状の間隙８は、後の工程で多孔質Ｓｉ層２の引っ張りによる破断を容易に行うことができるようにするためのものである。 【００２７】次に、図５に示すように、単結晶Ｓｉ基板１の裏面を接着剤９により治具１０に接着するとともに、保護膜６の表面に接着剤１１によりもう一つの治具１２を接着する。これらの治具１０、１２は、後の工程で行われる引っ張りに耐えられるだけの十分な強度を有するものが用いられ、例えば金属や石英などからなるものが用いられる。また、接着剤９、１１は、後の工程で行われる引っ張りに耐えられるだけの十分な接着強度を有するものが用いられ、例えば瞬間接着剤などが用いられる。さらに、この場合、後の工程で多孔質Ｓｉ層２の引っ張りによる破断をより容易に行うことができるようにするため、多孔質Ｓｉ層２のエッジ部の側壁にあらかじめ傷１３を付けておく。この傷１３は、機械的な方法で付けることができるほか、レーザービームの照射などによって付けることもできる。 【００２８】次に、図５に示すように、治具１０、１２に十分に大きな外力Ｐを加えて引っ張る。このとき、この外力Ｐは、単結晶Ｓｉ基板１の中心から多孔質Ｓｉ層２の傷１３が付いているエッジ部側にずれた位置に加え、多孔質Ｓｉ層２のエッジ部に応力集中が起きるようにする。この結果、多孔質Ｓｉ層２はそれ自身機械的強度が低いことに加えて、多孔質Ｓｉ層２のエッジ部の側壁にあらかじめ傷１３が付いていることやエッジ部における多孔質Ｓｉ層２とｐ+ 型Ｓｉ層３との間に楔状の間隙８が形成されていることによりこれらの場所で応力集中が極めて顕著に起き、図６に示すように、多孔質Ｓｉ層２の内部や多孔質Ｓｉ層２とｐ+ 型Ｓｉ層３との界面で破断が起きる。これによって、単結晶Ｓｉ基板１と、ｐ+ 型Ｓｉ層３、ｐ型Ｓｉ層４、ｎ+ 型Ｓｉ層５および保護膜６とが互いに分離される。」 イ　引用例２発明について 上記アの記載から、引用例２には、実質的に次の発明（以下、「引用例２発明」という。）が記載されているものと認められる。 「薄膜太陽電池の製造方法において、 結晶Ｓｉ基板１を陽極化成（陽極酸化）することにより多孔質Ｓｉ層２を形成し、 多孔質Ｓｉ層２上に太陽電池層を構成し、 太陽電池層上に保護膜６を形成し、 結晶Ｓｉ基板１の裏面に治具１０を接着するとともに、保護膜６の表面にもう一つの治具１２を接着し、 多孔質Ｓｉ層２のエッジ部の側壁にレーザービームの照射などによって傷１３を付け、 治具１０、１２に十分に大きな外力Ｐを加えて引っ張り、多孔質Ｓｉ層２の内部や多孔質Ｓｉ層２と太陽電池層との界面で破断させること。」 ２　対比・判断 （１）本願発明１について ア　対比 本願発明１と引用例１発明とを対比すると次のことがいえる。 （ア）引用例１発明の「基板１００」，「絶縁膜上に形成された、ポリシリコン層にｎ型不純物を導入して形成されたソース，ドレイン層１４６と、チャネル層１４４と、ゲート絶縁膜１４８と、ゲート電極１５０と、層間絶縁膜１５４と、例えばアルミニュウムからなる電極１５２とを具備するＴＦＴ」，「二次転写層２００」および「薄膜デバイスの転写方法」は、それぞれ、本願発明１の「第１の基板」，「前記絶縁膜上に結晶領域を有する第１の半導体素子」，「第２の基板」および「半導体装置の作製方法」に相当する。 （イ）引用例１発明の「基板１００上に、金属（Ａｌ，Ｌｉ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｐｒ，Ｇｄ，Ｓｍ）からなる第１分離層（光吸収層）１２０を形成」することと、本願発明１の「第１の基板上にタングステンを含む金属膜を形成」することは、「第１の基板上に」「金属膜を形成」する点で共通する。 （ウ）引用例１発明は、「第１分離層１２０上に、絶縁膜上に形成された、ポリシリコン層にｎ型不純物を導入して形成されたソース，ドレイン層１４６と、チャネル層１４４と、ゲート絶縁膜１４８と、ゲート電極１５０と、層間絶縁膜１５４と、例えばアルミニュウムからなる電極１５２とを具備するＴＦＴを含んで構成された、被転写層（薄膜デバイス層）１４０を形成し」ているから、引用例１発明は、「第１分離層１２０」上に「絶縁膜」が形成されていると言える。そうすると、引用例１発明も、本願発明１の「前記金属膜上に絶縁膜を形成すること」を行っていると認められる。 （エ）引用例１発明の「基板１００の裏面側から、強度が均一となるようにレーザ光を照射し、基板１００に力を加えて、この基板１００を第１分離層１２０から離脱」することと、本願発明１の「剥離しようとする領域の周縁に沿って前記金属膜に部分的にレーザー光を照射した後、物理的手段を用いることにより、前記金属酸化膜中、前記金属酸化膜と前記絶縁膜との界面、又は前記金属酸化膜と前記金属膜との界面で剥離して、前記第１の基板を除去」することは、「剥離しようとする領域の」「前記金属膜に」「レーザー光を照射した後、物理的手段を用いることにより、」「前記第１の基板を除去」する点で共通する。 （オ）引用例１発明の「薄膜デバイス層１４０の下面（露出面）に、二次転写層２００を接着」することと、本願発明１の「前記絶縁膜、前記第１の半導体素子、及び前記第２の半導体素子を含む被剥離層に、第２の基板を接着する」ことは、「前記絶縁膜、前記第１の半導体素子」「を含む被剥離層に、第２の基板を接着する」点で共通する。 （ウ）そうすると、本願発明１と引用例１発明は、以下の点で一致し、また、相違する。 ［一致点］ 「第１の基板上に金属膜を形成し、 前記金属膜上に絶縁膜を形成し、 前記絶縁膜上に結晶領域を有する第１の半導体素子を形成し、 剥離しようとする領域の前記金属膜にレーザー光を照射した後、物理的手段を用いることにより、前記第１の基板を除去し、 前記絶縁膜、前記第１の半導体素子を含む被剥離層に、第２の基板を接着することを特徴とする半導体装置の作製方法。」 ［相違点１］ 本願発明１は「金属膜」に「タングステンを含」んでいるのに対して、引用例１発明はそうでない点。 ［相違点２］ 本願発明１は「前記金属膜上に絶縁膜を形成することで前記金属膜と前記絶縁膜との間にタングステンを含む金属酸化膜を形成し」、「前記金属酸化膜中、前記金属酸化膜と前記絶縁膜との界面、又は前記金属酸化膜と前記金属膜との界面で剥離して」いるのに対して、引用例１発明はそのようになっていない点。 ［相違点３］ 本願発明１は「前記絶縁膜上に」「非晶質領域を有する第２の半導体素子とを形成し」、「前記第２の半導体素子を含む被剥離層」に「第２の基板」を接着しているのに対して、引用例１発明はそうでない点。 ［相違点４］ 本願発明１は「剥離しようとする領域の周縁に沿って前記金属膜に部分的にレーザー光を照射し」ているのに対して、引用例１発明はそうでない点。 イ　本願発明１についての当審の判断 ［相違点２］について検討する。 引用例１発明は、「基板１００に力を加えて、この基板１００を第１分離層１２０から離脱し」ており、該「離脱」によって、「基板１００」（本願発明１の「第１の基板」に相当する。）と「第１分離層１２０」（本願発明１の「金属膜」に相当する。）が離脱するから、本願発明１の「前記金属酸化膜中、前記金属酸化膜と前記絶縁膜との界面、又は前記金属酸化膜と前記金属膜との界面で剥離」することとは、異なる部分で剥離を行っていると認められる。また、このため引用例１発明において「前記金属酸化膜中、前記金属酸化膜と前記絶縁膜との界面、又は前記金属酸化膜と前記金属膜との界面で剥離」することを採用することが容易であるとは認められない。 さらに、引用例２には、［相違点２］に係る、「前記金属膜上に絶縁膜を形成することで前記金属膜と前記絶縁膜との間にタングステンを含む金属酸化膜を形成し」、「前記金属酸化膜中、前記金属酸化膜と前記絶縁膜との界面、又は前記金属酸化膜と前記金属膜との界面で剥離」することは記載されていないから、引用例２の記載事項から、引用例１発明において、［相違点２］に係る構成を採用することが容易であるとも言えない。 そして、本願発明１は、［相違点２］に係る構成を採用することで、「本発明により作製した半導体装置は、プラスチック基板上に形成されているため、従来のものと比べて軽量で薄型化が可能である。」（本願明細書【００３７】）という格別の効果を有するものである。 そうすると、［相違点２］に係る構成は、引用例１ないし２に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到したものであるとは言えない。 したがって、本願発明１は、引用例１ないし２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （２）本願発明２について ア　対比 本願発明２と引用例１発明とを対比すると次のことがいえる。 （ア）引用例１発明の「基板１００」，「絶縁膜上に形成された、ポリシリコン層にｎ型不純物を導入して形成されたソース，ドレイン層１４６と、チャネル層１４４と、ゲート絶縁膜１４８と、ゲート電極１５０と、層間絶縁膜１５４と、例えばアルミニュウムからなる電極１５２とを具備するＴＦＴ」，「二次転写層２００」および「薄膜デバイスの転写方法」は、それぞれ、本願発明２の「第１の基板」，「前記絶縁膜上に結晶領域を有する第１の半導体素子」，「第２の基板」および「半導体装置の作製方法」に相当する。 （イ）引用例１発明の「基板１００上に、金属（Ａｌ，Ｌｉ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｐｒ，Ｇｄ，Ｓｍ）からなる第１分離層（光吸収層）１２０を形成」することと、本願発明２の「第１の基板上にタングステンを含む金属膜を形成」することは、「第１の基板上に」「金属膜を形成」する点で共通する。 （ウ）引用例１発明は、「第１分離層１２０上に、絶縁膜上に形成された、ポリシリコン層にｎ型不純物を導入して形成されたソース，ドレイン層１４６と、チャネル層１４４と、ゲート絶縁膜１４８と、ゲート電極１５０と、層間絶縁膜１５４と、例えばアルミニュウムからなる電極１５２とを具備するＴＦＴを含んで構成された、被転写層（薄膜デバイス層）１４０を形成し」ているから、引用例１発明は、「第１分離層１２０」上に「絶縁膜」が形成されていると言える。そうすると、引用例１発明も、本願発明２の「前記金属膜上に絶縁膜を形成すること」を行っていると認められる。 （エ）引用例１発明の「基板１００の裏面側から、強度が均一となるようにレーザ光を照射し、基板１００に力を加えて、この基板１００を第１分離層１２０から離脱」することと、本願発明２の「剥離しようとする領域の周縁に沿って前記金属膜に部分的にレーザー光を照射した後、物理的手段を用いることにより、前記金属酸化膜中、前記金属酸化膜と前記絶縁膜との界面、又は前記金属酸化膜と前記金属膜との界面で剥離して、前記第１の基板を除去」することは、「剥離しようとする領域の」「前記金属膜に」「レーザー光を照射した後、物理的手段を用いることにより、」「前記第１の基板を除去」する点で共通する。 （オ）引用例１発明の「薄膜デバイス層１４０の下面（露出面）に、二次転写層２００を接着」することと、本願発明２の「前記絶縁膜、前記第１の半導体素子、及び前記第２の半導体素子を含む被剥離層に、第２の基板を接着する」ことは、「前記絶縁膜、前記第１の半導体素子」「を含む被剥離層に、第２の基板を接着する」点で共通する。 （ウ）引用例１発明の「薄膜デバイス層１４０上への配線等の導電層や所望の保護膜の形成等を行う」ことは、本願発明２の「前記第１の半導体素子と電気的に接続された第１の配線、及び前記第２の半導体素子と電気的に接続された第２の配線を露出させること」に相当する。 （エ）そうすると、本願発明２と引用例１発明は、以下の点で一致し、また、相違する。 ［一致点］ 「第１の基板上に金属膜を形成し、 前記金属膜上に絶縁膜を形成し、 前記絶縁膜上に結晶領域を有する第１の半導体素子を形成し、 剥離しようとする領域の前記金属膜にレーザー光を照射した後、物理的手段を用いることにより、前記第１の基板を除去し、 前記絶縁膜、前記第１の半導体素子を含む被剥離層に、第２の基板を接着し、 前記第１の半導体素子と電気的に接続された第１の配線を露出させることを特徴とする半導体装置の作製方法。」 ［相違点５］ 本願発明２は「金属膜」に「タングステンを含」んでいるのに対して、引用例１発明はそうでない点。 ［相違点６］ 本願発明２は「前記金属膜上に絶縁膜を形成することで前記金属膜と前記絶縁膜との間にタングステンを含む金属酸化膜を形成し」、「前記金属酸化膜中、前記金属酸化膜と前記絶縁膜との界面、又は前記金属酸化膜と前記金属膜との界面で剥離して」いるのに対して、引用例１発明はそのようになっていない点。 ［相違点７］ 本願発明２は「前記絶縁膜上に」「非晶質領域を有する第２の半導体素子とを形成し」、「前記第２の半導体素子を含む被剥離層」に「第２の基板」を接着し、また、「前記第２の半導体素子と電気的に接続された第２の配線を露出させ」ているのに対して、引用例１発明はそうでない点。 ［相違点８］ 本願発明２は「剥離しようとする領域の周縁に沿って前記金属膜に部分的にレーザー光を照射し」ているのに対して、引用例１発明はそうでない点。 イ　本願発明２についての当審の判断 上記「（１）イ」で検討したように、［相違点６］（上記「（１）イ」における［相違点２］に対応する。）に係る構成は、引用例１ないし２に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到したものであるとは言えない。 したがって、本願発明２は、引用例１ないし２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 第５　原査定についての判断 本手続補正書の補正により、本願発明１および２は、「前記金属膜上に絶縁膜を形成することで前記金属膜と前記絶縁膜との間にタングステンを含む金属酸化膜を形成し」、「前記金属酸化膜中、前記金属酸化膜と前記絶縁膜との界面、又は前記金属酸化膜と前記金属膜との界面で剥離」するという技術的事項を有するものとなった。 当該、「前記金属膜上に絶縁膜を形成することで前記金属膜と前記絶縁膜との間にタングステンを含む金属酸化膜を形成し」、「前記金属酸化膜中、前記金属酸化膜と前記絶縁膜との界面、又は前記金属酸化膜と前記金属膜との界面で剥離」することは、前記「第４　２（１）イ」で検討したとおり、原査定における引用例１および２には記載されておらず、本願優先日前における周知技術でもないので、本願発明１および２は、当業者であっても、原査定における引用文献１および２に基づいて容易に発明できたものではない。したがって、原査定を維持することはできない。 第６　当審の拒絶理由について １　当審拒絶理由の概要 平成２９年６月１９日付で当審より通知した拒絶理由の概要は、次のとおりである。 「Ａ．この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。 Ｂ．この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 記 請求人は平成２８年３月１０日付の手続補正書により、請求項１および２を 「【請求項１】 第１の基板上にタングステンを含む金属膜を形成し、 前記金属膜上に絶縁膜を形成することで前記金属膜と前記絶縁膜との間にタングステンを含む金属酸化膜を形成し、 前記絶縁膜上に結晶領域を有する第１の半導体素子と、非晶質領域を有する第２の半導体素子とを形成し、 前記金属膜を形成した領域の一部のみにレーザー光を照射した後、物理的手段を用いることにより、前記金属酸化膜中、前記金属酸化膜と前記絶縁膜との界面、又は前記金属酸化膜と前記金属膜との界面で剥離して、前記第１の基板を除去し、 前記絶縁膜、前記第１の半導体素子、及び前記第２の半導体素子を含む被剥離層に、第２の基板を接着することを特徴とする半導体装置の作製方法。 【請求項２】 第１の基板上にタングステンを含む金属膜を形成し、 前記金属膜上に絶縁膜を形成することで前記金属膜と前記絶縁膜との間にタングステンを含む金属酸化膜を形成し、 前記絶縁膜上に結晶領域を有する第１の半導体素子と、非晶質領域を有する第２の半導体素子とを形成し、 前記金属膜を形成した領域の一部のみにレーザー光を照射した後、物理的手段を用いることにより、前記金属酸化膜中、前記金属酸化膜と前記絶縁膜との界面、又は前記金属酸化膜と前記金属膜との界面で剥離して、前記第１の基板を除去し、 前記絶縁膜、前記第１の半導体素子、及び前記第２の半導体素子を含む被剥離層に、第２の基板を接着し、 前記第１の半導体素子と電気的に接続された第１の配線、及び前記第２の半導体素子と電気的に接続された第２の配線を露出させることを特徴とする半導体装置の作製方法。」 としたが、上記請求項１および２に記載された「前記金属膜を形成した領域の一部のみにレーザー光を照射した後」とは、「金属膜」を形成した領域のどの部分にレーザー光を照射したのかわからない。 したがって、請求項１および２に記載された発明は明確であるとは言えない。（理由Ｂ） また、発明の詳細な説明には、「金属膜を形成した領域の一部のみにレーザー光を照射した」に対応する記載は無いことから、特許請求の範囲に記載された発明は、発明の詳細な説明に記載されたものであるとは言えない。（理由Ａ） なお、発明の詳細な説明には、 「【００９０】 次いで、後の剥離を行いやすくするために、タングステン膜３０１と酸化シリコン膜３０２との密着性を部分的に低下させる処理を行う。密着性を部分的に低下させる処理は、剥離しようとする領域の周縁に沿ってタングステン膜３０１または酸化シリコン膜３０２にレーザー光を部分的に照射する処理、或いは、剥離しようとする領域の周縁に沿って外部から局所的に圧力を加えて酸化タングステン膜３０１の膜内または界面の一部分に損傷を与える処理である。具体的にはダイヤモンドペンなどで硬い針を垂直に押しつけて荷重をかけて動かせばよい。好ましくは、スクライバー装置を用い、押し込み量を０．１ｍｍ～２ｍｍとし、圧力をかけて動かせばよい。このように、剥離を行う前に剥離現象が生じやすくなるような部分、即ち、きっかけをつくることが重要であり、密着性を選択的（部分的）に低下させる前処理を行うことで、剥離不良がなくなり、さらに歩留まりも向上する。なお、この工程は、水またはアルコール類に可溶な粘着剤３０５を全面に塗布する前に行ってもよい。」 と記載されているが、「金属膜を形成した領域の一部のみにレーザー光を照射した」処理は、剥離しようとする領域の周縁に沿ってタングステン膜３０１にレーザー光を部分的に照射する処理以外の処理を含むものであるから、「金属膜を形成した領域の一部のみにレーザー光を照射した」処理が、剥離しようとする領域の周縁に沿ってタングステン膜３０１にレーザー光を部分的に照射する処理であるとは認められない。」 第７　当審の拒絶理由（特許法第３６条第６項第１号および同法第３６条第６項第２号）について 当審拒絶理由で拒絶の理由を示した、補正前の請求項１および２は、本手続補正書により 「【請求項１】 第１の基板上にタングステンを含む金属膜を形成し、 前記金属膜上に絶縁膜を形成することで前記金属膜と前記絶縁膜との間にタングステンを含む金属酸化膜を形成し、 前記絶縁膜上に結晶領域を有する第１の半導体素子と、非晶質領域を有する第２の半導体素子とを形成し、 剥離しようとする領域の周縁に沿って前記金属膜に部分的にレーザー光を照射した後、物理的手段を用いることにより、前記金属酸化膜中、前記金属酸化膜と前記絶縁膜との界面、又は前記金属酸化膜と前記金属膜との界面で剥離して、前記第１の基板を除去し、 前記絶縁膜、前記第１の半導体素子、及び前記第２の半導体素子を含む被剥離層に、第２の基板を接着することを特徴とする半導体装置の作製方法。 【請求項２】 第１の基板上にタングステンを含む金属膜を形成し、 前記金属膜上に絶縁膜を形成することで前記金属膜と前記絶縁膜との間にタングステンを含む金属酸化膜を形成し、 前記絶縁膜上に結晶領域を有する第１の半導体素子と、非晶質領域を有する第２の半導体素子とを形成し、 剥離しようとする領域の周縁に沿って前記金属膜に部分的にレーザー光を照射した後、物理的手段を用いることにより、前記金属酸化膜中、前記金属酸化膜と前記絶縁膜との界面、又は前記金属酸化膜と前記金属膜との界面で剥離して、前記第１の基板を除去し、 前記絶縁膜、前記第１の半導体素子、及び前記第２の半導体素子を含む被剥離層に、第２の基板を接着し、 前記第１の半導体素子と電気的に接続された第１の配線、及び前記第２の半導体素子と電気的に接続された第２の配線を露出させることを特徴とする半導体装置の作製方法。」 と補正され、補正前請求項１および２の「前記金属膜を形成した領域の一部のみにレーザー光を照射した後」との記載は「前記金属膜に部分的にレーザー光を照射した後」となったから、本手続補正書により、平成２８年３月１０日付の手続補正書は、特許法第３６条第６項第１号および第２号に規定する要件を満たさないとの、当審拒絶理由で示した理由ＡおよびＢは解消した。 第８　むすび 以上のとおり、原査定の理由によって、本願を拒絶することはできない。 他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。