2016-007521

特願２０１２－　９４１３４「信号伝送線路とその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年１０月２８日出願公開，特開２０１３－２２３１３８，請求項の数（４）〕について，次のとおり審決する。

【結　論】 原査定を取り消す。 本願の発明は，特許すべきものとする。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は，平成２４年４月１７日の出願であって，平成２７年９月９日付けで拒絶理由通知がされ，同年１０月２２日付けで手続補正され，平成２８年３月２４日付けで拒絶査定（原査定）がされ，これに対し，同年５月２３日に拒絶査定不服審判の請求がされるとともに同日付けで手続補正がされ，その後，同年１２月２１日付けで当審より拒絶理由通知（以下，「当審拒絶理由通知」という。）がされ，平成２９年１月２４日付け及び同年２月３日付けで手続補正がされたものである。 第２　本願発明 本願請求項１ないし４に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明４」という。）は，平成２９年２月３日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定される発明であり，本願発明１は，以下のとおりの発明である。 「　線路入力端と線路出力端との間で直流抵抗を有する少なくとも１対の線路導体を備え， 線路入力端から線路出力端に向けて一方向で，１Ｇｂｐｓ以上の高速ディジタルベースバンド信号を伝送する信号伝送線路であって， 上記信号伝送線路の線路導体は， （１）印刷又はインジェクションによって形成される金属分散等方性導電ペーストである線路導体と， （２）銀又は銅及び銅合金金属粉末分散エポキシペーストである線路導体と， （３）カーボン又はカーボンナノチューブにてなる粉末分散有機物のペーストである線路導体と， （４）印刷又はインジェクションで線路導体を樹脂上に形成した後，当該樹脂を硬化することで上記信号伝送線路を形成したときの当該線路導体と のいずれかであり， 上記信号伝送線路は， 時間領域反射法を用いて線路入力端から線路出力端までの信号伝送線路の特性インピーダンスを，線路入力端から測定し，上記測定された特性インピーダンスが実質的に一定になるように， 上記各線路導体（１１，１５，１６，２１）の線路間隔（ｓ）を同一にし，かつ 上記各線路導体（１１，１５，１６，２１）の線路幅（ｗ～ｗ＋α）を，線路入力端から線路出力端への上記各線路導体の長さ方向で漸増的に広くすることにより， 上記各線路導体（１１，１５，１６，２１）の線路幅（ｗ）が同一である場合に比較して， 反射損失を低減して上記高速ディジタルベースバンド信号を伝送させることを特徴とする信号伝送線路。」 なお，本願発明２及び本願発明３は，本願発明１を減縮した発明であり，本願発明４は，本願発明１を製造方法として特定したものであって，本願発明１の技術的特徴をすべて包含するものである。 第３　引用文献，引用発明等 １．引用文献１について 原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（特表２００６－５２８４６６号公報）には，「コプレーナストリップ線路に基づく方法および装置」（発明の名称）に関して，図面とともに次の事項が記載されている。 ア　「【０００２】 発明の分野 本発明は，一般的にはコプレーナストリップ線路（ＣＰＳ：coplanar striplines）に基づく半導体素子に関する様々な方法および装置に関する。いくつかの事例的な態様においては，正弦波信号源，より具体的には定常正弦波発振器（standing wave sinusoidal oscillators）が，コプレーナストリップ線路構成に基づいて実装される。」（第９ページ） イ　「【０００７】 多くの応用において従来から扱われているように，伝送線路は，いくつかの重要な点において，より広い範疇の導波路といくぶん異なる意味で特徴づけることができる。例えば，第１に，伝送線路は，一般にＤＣ（周波数／ゼロ）から超高周波（例えば，ミリ波およびマイクロ波範囲，約１ＧＨｚから１００ＧＨｚ）で動作するように構成される。しかしながら，導波路は，その特定の構造および寸法によって決まる，ある周波数より上でのみ動作が可能であり（「カットオフ周波数」），そのために一般的にハイパスフィルタとして作用する。他方，約５０ＧＨｚから３００ＧＨｚのオーダーの超高周波においては，伝送線路は，従来からよく知られた伝送線路導体におけるスキン効果に加えて，導体を隔てる材料に関する誘電体損失のために，全体的に非効率的になってくるとみなされている。 （以下省略）」（第１０ページ） ウ　「【０００９】 特に，図２Ａには，半導体基板１０３上の誘電体層１０１上に配置された３つの平行な導体２０Ａ，４０および２０Ｂによって形成された，コプレーナ導波路５０の横断面図を示してある。図２Ｂは，事例的なコプレーナ導波路デバイスを上から見下ろした上面図であり，このデバイスでは，中央導体４０がその両端でパッド４２Ａ，４２Ｂによって終端されており，導体２０Ａ，２０Ｂは，その面内で導体４０を完全に包囲するように電気的に接続して示してある（図２Ａの横断面図は，図２Ｂの一点鎖線2A－2Aに沿った断面である）。図２Ａおよび図２Ｂに示すように，導体２０Ａ，２０Ｂの幅Ｗ１は，中央導体４０の幅Ｗ２よりも大幅に大きい場合がある。」（第１１ページ） エ　「【００３３】 例えば，本発明の一態様は，互いに平行であり，かつ実質的に第１の方向に沿って配向されている，第１の導体および第２の導体のみを含む，コプレーナストリップ線路（ＣＰＳ）を備える，装置を目的とする。この態様の装置は，コプレーナストリップ線路に近接して配置された，複数の直線状導電ストリップをさらに含む。この複数の直線状導電ストリップは，本質的に互いに平行であり，実質的に第１の方向に直角の第２の方向に沿って配向されている。この態様の一観点においては，この装置はシリコン基板をさらに含み，このシリコン基板の上に，少なくとも１つの誘電体，複数の直線状導電ストリップ，およびコプレーナストリップ線路が配置されている。別の観点においては，この装置は，約１Ｇｈｚから６０Ｇｈｚ以上の範囲の周波数を有する，コプレーナストリップ線路上の少なくとも１つの信号をサポートするように構成されている。さらに別の観点においては，コプレーナストリップ線路および複数の直線状導電ストリップは，約１Ｇｈｚから６０Ｇｈｚの範囲における少なくとも１つの周波数に対してこの装置が少なくとも３０の品質係数Ｑを有するように，配設される。」（第１６ページ） オ　「【００３５】 本発明のさらに別の態様は，単位長さ当り抵抗Ｒおよび単位長さ当りコンダクタンスＣが，コプレーナストリップ線路に沿った位置の，不連続関数または連続関数となるように構成された，コプレーナストリップ線路を目的としている。この態様の一観点においては，コプレーナストリップ線路導体間の間隔および導体それ自体の幅が，コプレーナストリップ線路に沿って変化する，テーパー付きコプレーナストリップ線路構成が実装される。この態様の一観点においては，そのようなテーパー付き構成は，コプレーナストリップ線路の長さに沿って線路パラメータＲ，Ｇを有効に変えるとともに，同時に，コプレーナストリップ線路の一様な特性インピーダンスを実質的に維持して，局所反射を回避する。」（第１７ページ） カ　「【０１０４】 ｅ．テーパー付きコプレーナストリップ線路を使用する定常波発振器 図１５Ａは，本発明による（λ／４）コプレーナストリップ線路ＳＷＯ５００の別の態様を示し，ここでＳＷＯは，位置依存線路パラメータを有するテーパー付きコプレーナストリップ線路に基づいている。図１５Ａに示す，テーパー付き構成を使用するＳＷＯ５００の態様の説明を容易にするために，図１３Ｂに示した（λ／４）コプレーナストリップ線路ＳＷＯに対する電圧および電流の波形を，図１５Ｂに再生した。しかしながら，ここで理解すべきことは，この態様と関係して考察した概念は，本明細書において考察したように，本発明による他の様々なＳＷＯに実装可能であることである。したがって，本質的に四分の一波長のＳＷＯに関係する，これから後に考察する特定の事例は，一義的に，説明の目的で提示するものである。さらに，以下で考察するように，本発明によるテーパー付きコプレーナストリップ線路構成は，ＳＷＯでの使用の用途に限定されるものではなく，その他のＣＰＳベースデバイスにおいて使用できることを理解すべきである。」（第３１ページ） キ　「【０１０７】 特に，単位長さ当り抵抗Ｒは，一般的にはよく知られたスキン効果に関係し，この場合に，高周波において，電荷担体が縁端近く，かつ所与の導体の芯から離れて移動する。コプレーナストリップ線路を構成する２つの導体が，互いにより接近させられる（すなわち，距離Ｓが減少および／または導体幅Ｗが増大する）ので，導体の縁端または「表皮」付近を流れるそれぞれの電荷が互いにより接近させられて，それによって電荷流を妨げる。したがって，導体が互いにより接近させられると，一般に，単位長さ当り抵抗Ｒが増大する。 【０１０８】 （…中略…）　要約すると，前述のことから，上記の事例におけるコプレーナストリップ線路パラメータＲ，Ｇは，一般に導体間隔と逆に変化すること，すなわち導体がより接近させられると，Ｒは増大しＧは減少すること，逆に導体がより大きな距離だけ隔てられると，Ｒは減少しＧは増大することを理解すべきである。」（第３２ページ） ク　「【０１１４】 図１６は，ストリップ線路の特性インピーダンスＺを大幅に変えることなく，コプレーナストリップ線路に沿ってＲとＧを変化させる，本発明の一態様による方法を説明する，グラフおよび対応する事例的テーパー付きコプレーナストリップ線路構成５０５を含む。この態様の一観点によれば，図１６のグラフは，ストリップ線路の長さに沿ってストリップ線路の幅Ｗおよびストリップ線路導体間の間隔Ｓを変化させることに基づく，コンピュータシミュレーション（例えば，Ｓｏｎｎｅｔ ＥＭ）によって得られるデータから編集することができる。したがって，図１６のグラフの水平軸は，幅Ｗを表わし，グラフの垂直軸はストリップ線路の導体間の間隔Ｓをあらわす。 （…中略…） 【０１１６】 図１６に示すように，ＷまたはＳのいずれかを増大させると，上述したＲ－Ｇトレードオフのせいで，Ｒが減少し，Ｇが増加する結果となる（すなわち，Ｒ３＞Ｒ２＞Ｒ１およびＧ３＜Ｇ２＜Ｇ１）。しかしながら，特性インピーダンスＺ０は，Ｓが増大すると増大するが，Ｗが増大すると減少する。したがって，ｚ＝０付近で低Ｇ，およびｚ＝Ｌで低Ｒを達成して，大幅にＺ０に影響を与えることなく損失を低減するためには，図１６に示すＺ０等高線の１つに追従して，コプレーナストリップ線路導体を，同時に，ｚ＝０からｚ＝Ｌまで幅を広げ，かつ離れる方向に移動させてもよい。 【０１１７】 前述の概念を説明するために，図１６のグラフから，本質的に一定の特性インピーダンスＺ０，２を有する，テーパー付きコプレーナストリップ線路構成の設計を一例として考える。ここで理解すべきことは，この事例の基礎となる方法は，以下に考察するように，結果として得られるデバイスの所望の特性インピーダンスを表わす，その他の特性インピーダンス等高線に同様に適用することができることである。 具体的には，図１６の一定特性インピーダンス等高線Ｚ０，２を参照して，３つの点Ａ，Ｂ，Ｃを，Ｚ０，２等高線に沿って，この等高線と損失等高線（Ｒ３，Ｇ３），（Ｒ２，Ｇ２），（Ｒ１，Ｇ１）とのそれぞれの交点で，識別する。やはり図１６の事例に示すように，点Ａ（すなわち高Ｒ，低Ｇ）に対応する寸法ＷＡおよびＳＡを，テーパー付きストリップ線路５０５のｚ＝０の周辺の部分で使用し，点Ｂに対応する寸法ＷＢおよびＳＢを，ストリップ線路の中央付近の部分で使用し，点Ｃ（すなわち低Ｒ，高Ｇ）に対応する寸法ＷＣおよびＳＣを，ストリップ線路のｚ＝Ｌの周辺の部分で使用する。 【０１１８】 前述の事例は，特性インピーダンス等高線Ｚ０，２に沿って，３つの基準点Ａ，Ｂ，Ｃを使用して，テーパー付きコプレーナストリップ線路構成５０５に沿った対応する寸法を決定するが，ここで理解すべきことは，本発明はこの点において限定されるものではなく，すなわち，所与の特性インピーダンス等高線に沿って任意の数の点を使用して，テーパー付きコプレーナストリップ線路に沿った，対応する寸法を決定することができることである。特に，点の数が増加するにつれて，結果として得られるテーパー付きコプレーナストリップ線路は，ＲおよびＧが本質的にストリップ線路に沿った位置ｚの連続的関数である線路に，次第に類似してくる。しかしながら，ここで理解すべきことは，所与のインピーダンス等高線に沿って実質的に任意有限の数の点に対して，区分テーパー付き構成（piecewise tapered configuration）が生成され，この構成においては，ＲおよびＧがストリップ線路に沿って不連続に（すなわち，区分毎に）変化することである。」（第３４ページ） ケ　「【図１５Ａ】 」（第５１ページ） コ　「【図１６】 」（第５１ページ） 前記アないしケ及び本願の出願日における技術常識を参酌して，引用文献１に記載された技術的事項について検討する。 ａ．前記アより，引用文献１には，「コプレーナストリップ線路」が記載されており，当該「コプレーナストリップ線路」は，前記ウ，ク及びケより，「１対の導電ストリップ」を備えるものである。 また，前記イ及びエより，前記「コプレーナストリップ線路」は，１ＧＨｚ以上の超高周波の信号を伝送するものである。 また，前記「コプレーナストリップ線路」（１対の導電ストリップ）が，「線路入力端」と「線路出力端」を備え，かつ，その「線路入力端から線路出力端との間で直流抵抗を有する」こと，及び，「線路入力端から線路出力端に向けて一方向」で信号を伝送することは自明である。 そうすると，引用文献１には，「線路入力端から線路出力端との間で直流抵抗を有する１対の導電ストリップを備え，１ＧＨｚ以上の超高周波の信号を伝送するコプレーナストリップ線路」が記載されているといえる。 ｂ．前記ウ及びエより，前記「導電ストリップ」は，「半導体基板の誘電体層上に形成された導体」である。 ｃ．前記オの「コプレーナストリップ線路の一様な特性インピーダンスを実質的に維持して，局所反射を回避する」，前記クの【０１１７】の「本質的に一定の特性インピーダンスＺ０，２を有する，テーパー付きコプレーナストリップ線路構成の設計を一例として考える。」より，前記「コプレーナストリップ線路」は，「特性インピーダンスを実質的に一定」となるように設計されており，そして，その「一定」となるべき範囲は，前記クの【０１１６】ないし【０１１８】及び前記コ（図１６）より，ｚ＝０である線路入力端から，ｚ＝Ｌである線路出力端までであることは明らかである。さらに，前記クの【０１１４】より，「特性インピーダンス」は，コンピュータシミュレーションにより計算されるものである。 これらを総合すると，引用文献１には，「コンピュータシミュレーションにより，線路入力端から線路出力端までのコプレーナストリップ線路の特性インピーダンスを計算し，上記計算された特性インピーダンスが実質的に一定となるように」，「コプレーナストリップ線路」が設計されることが記載されているといえる。 ｄ．そして，前記設計は，前記カ，キ，ク，ケ（図１５Ａ）及びコ（図１６）より，前記「コプレーナストリップ線路」の「導電ストリップ」が，「線路間隔と線路幅の両者を，線路入力端から線路出力端への各導電ストリップの長さ方向へ漸増的に広くすること」により実現されているといえる。 そしてその効果は，前記エの「局所反射を回避する」及び前記クの【０１１４】の「大幅にＺ０に影響を与えることなく損失を低減する」より，「局所反射による損失を低減」して「上記超高周波の信号を伝送させること」であるといえる。 前記ａ．ないしｄ．の検討から，引用文献１には，次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認める。 「　線路入力端から線路出力端との間で直流抵抗を有する１対の導電ストリップを備え，１ＧＨｚ以上の超高周波の信号を伝送するコプレーナストリップ線路であって， 上記コプレーナストリップ線路の導電ストリップは，半導体基板の誘電体層上に形成された導体であり， 上記コプレーナストリップ線路は，コンピュータシミュレーションにより，線路入力端から線路出力端までのコプレーナストリップ線路の特性インピーダンスを計算し，上記計算された特性インピーダンスが実質的に一定となるように， 線路間隔と線路幅の両者を，線路入力端から線路出力端への各導電ストリップの長さ方向へ漸増的に広くすることにより， 局所反射による損失を低減して上記超高周波の信号を伝送させることを特徴とするコプレーナストリップ線路。」 ２．引用文献２及び３について 原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２（特開平７－３０３１０号公報）及び引用文献３（特開２００４－１５９１９８号公報）には，引用文献２の【００１２】，図１及び図２の記載及び引用文献３の【００１０】及び図１の記載より，次の事項（以下，「技術事項」という。）が記載されていると認める。 「線路導体の線路幅，線路導体間の間隔，線路導体の厚さ，基板の厚さを変えることにより，特性インピーダンスを調整できること。」 ３．引用文献４ないし６について 原査定の拒絶の理由に引用された引用文献４（特開２００６－３８８０３号公報），引用文献５（特開２００４－２３３３３６号公報）及び引用文献６（特開平４－３０５１７０号公報）には，引用文献４の【０００３】の記載，引用文献５の【０００３】の記載及び引用文献６の【０００１】の記載より，次の事項（以下，「周知事項」という。）が記載されていると認める。 「時間領域反射法を用いて伝送線の特性インピーダンスを測定すること。」 第４　当審の判断 １．本願発明１について （１）対比 本願発明１と引用発明とを対比すると，次のことがいえる。 引用発明における「導電ストリップ」が，その両端の間に「直流抵抗を有する」ことは自明なことである。 引用発明における「コプレーナストリップ線路」は，本願発明１における「信号伝送線路」に含まれるものである。 引用発明における「１ＧＨｚ以上の超高周波の信号」と，本願発明１における「１Ｇｂｐｓ以上の高速ディジタルベースバンド信号」とは，「所定の信号」である点において共通する。 引用発明において，「半導体基板の誘電体層上に形成された導体」が，何らかの手法により形成されることは自明である。よって，引用発明における「１対のストリップ導体」と，本願発明１における「少なくとも１対の線路導体」とは，「１対の導体」であり，「所定の手法で形成される導体」である点において共通する。 「特定インピーダンス」に関し，引用発明における「コンピュータシミュレーションにより，線路入力端から線路出力端までのコプレーナストリップ線路の特性インピーダンスを計算し，上記計算された特性インピーダンス」と，本願発明１における「時間領域反射法を用いて線路入力端から線路出力端までの信号伝送線路の特性インピーダンスを，線路入力端から測定し，上記測定された特性インピーダンス」とは，「所定の手法により線路入力端から線路出力端までの信号伝送線路の特性インピーダンスを，取得し，上記取得された特性インピーダンス」において共通する。 引用発明における「線路間隔と線路幅の両者を，線路入力端から線路出力端への各導電ストリップの長さ方向へ漸増的に広くすること」と，本願発明１における「上記各線路導体（１１，１５，１６，２１）の線路間隔（ｓ）を同一にし，かつ上記各線路導体（１１，１５，１６，２１）の線路幅（ｗ～ｗ＋α）を，線路入力端から線路出力端への上記各線路導体の長さ方向で漸増的に広くすること」とは，「上記各線路導体の線路幅」に関しては「線路入力端から線路出力端への上記各線路導体の長さ方向で漸増的に広くすること」の構成を含む点において共通する。また， 引用発明における「局所反射による損失を低減」することは，本願発明１における「反射送信を低減」することに等しい。また，引用発明において，「局所反射による損失を低減」するという効果が，「上記各線路導体の線路幅が同一である場合に比較して」との相対的な基準によるものであることは自明である。 （２）一致点・相違点 以上の検討から，本願発明１と引用発明とは，以下の点において一致ないし相違する。 ［一致点］ 「　線路入力端と線路出力端との間で直流抵抗を有する１対の導体を備え， 線路入力端から線路出力端に向けて一方向で，所定の信号を伝送する信号伝送線路であって， 上記信号伝送線路の導体は，所定の手法で形成される導体であり， 上記信号伝送線路は， 所定の手法により線路入力端から線路出力端までの信号伝送線路の特性インピーダンスを，取得し，上記取得された特性インピーダンスが実質的に一定になるように， 上記各線路導体の線路幅に関しては，線路入力端から線路出力端への上記各線路導体の長さ方向で漸増的に広くすることにより， 上記各線路導体の線路幅が同一である場合に比較して， 反射損失を低減して上記所定の信号を伝送させることを特徴とする信号伝送線路。」 ［相違点１］ 「所定の信号」が，本願発明１においては，「１Ｇｂｐｓ以上の高速ディジタルベースバンド信号」であるのに対し，引用発明においては，「１ＧＨｚ以上の超高周波の信号」である点。 ［相違点２］ 「１対の導体」が，本願発明１においては， 「（１）印刷又はインジェクションによって形成される金属分散等方性導電ペーストである線路導体と， （２）銀又は銅及び銅合金金属粉末分散エポキシペーストである線路導体と， （３）カーボン又はカーボンナノチューブにてなる粉末分散有機物のペーストである線路導体と， （４）印刷又はインジェクションで線路導体を樹脂上に形成した後，当該樹脂を硬化することで上記信号伝送線路を形成したときの当該線路導体と のいずれか」であるのに対し， 引用発明においては，「半導体基板の誘電体層上に形成された導体」であり，これ以外，どのように形成されたものかについて具体的に特定していない点。 ［相違点３］ 「特性インピーダンス」の「取得」が，本願発明１においては，「時間領域反射法を用いて線路入力端から線路出力端までの信号伝送線路の特性インピーダンスを，線路入力端から測定」するものであるのに対し，引用発明においては，「コンピュータシミュレーション」により「計算」するものである点。 ［相違点４］ 特性インピーダンスが実質的に一定になるように，かつ，反射損失を低減するための「導体」の具体的な要件として，「各線路導体の線路幅を，線路入力端から線路出力端への上記各線路導体の長さ方向で漸増的に広くすること」に加えて，本願発明１においては，「各線路導体」の「線路間隔」を「同一」にするものであることを付加するのに対し，引用発明においては，「線路間隔」も「線路入力端から線路出力端への各導電ストリップの長さ方向へ漸増的に広くすること」を付加する点。 （３）相違点についての判断 事案に鑑みて，先ず，［相違点４］について検討するに，［相違点４］に係る本願発明１の構成は，引用文献２ないし６のいずれにも記載されておらず，かつ，本願の出願日における技術常識でもない。 したがって，他の相違点について検討するまでもなく，本願発明１は，当業者であっても引用発明，並びに，引用文献２及び３に記載された技術事項又は引用文献４ないし６に記載された周知事項に基づいて容易に発明することができたものであるとはいえない。 ２．本願発明２ないし４について 本願発明２ないし４も，［相違点４］に係る本願発明１の構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても，引用発明，並びに，引用文献２及び３に記載された技術事項又は引用文献４ないし６に記載された周知事項に基づいて容易に発明することができたものであるとはいえない。 第５　原査定の概要及び原査定についての判断 原査定は，原査定時の請求項１ないし６に係る発明は，引用文献１ないし６に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定におり特許を受けることができないというものである。 しかしながら，平成２９年２月３日付けの手続補正により補正された請求項１ないし４は，上記［相違点４］に係る本願発明１の構成を備えるものとなっており，上記のとおり，本願発明１ないし４は，引用文献１に記載された発明（引用発明），並びに，引用文献２及び３に記載された技術事項又は引用文献４ないし６に記載された周知事項に基づいて容易に発明することができたものではない。したがって，原査定を維持することはできない。 第６　当審拒絶理由について 当審では，請求項１ないし４に係る発明は，係り受け等，日本語として明確でないため，特許法第３６条第６項第２項に規定する要件を満たしていない旨の拒絶の理由を通知しているが，平成２９年２月３日付けの手続補正により係り受け等が明確になるように補正された結果，この拒絶の理由は解消した。 第７　むすび 以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。 また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって，結論のとおり審決する。